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公开(公告)号：CN115410910A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211112661.4
申请日：2022-09-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/51 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开一种改善铪基铁电器件耐受性的方法。包括以下步骤：在Si衬底上形成第一HZO层，之后形成第一TiN层，并在氮气氛围下进行快速热退火处理，随后，刻蚀去除所述第一TiN层；形成ZrO2层和第二HZO层，之后形成第二TiN层，并在氮气氛围下进行快速热退火处理，通过调控ZrO2层的厚度使其具有适当的反铁电特性，从而削弱铁电器件在极化反转过程中的极化电流的强度，改善铪基铁电器件耐受性；光刻刻蚀所述第二TiN层，形成删极；进行离子注入掺杂，在栅极两侧的硅衬底中形成源区和漏区，并高温退火以激活杂质。
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公开(公告)号：CN115410904A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211112662.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种通过界面技术改善铁电MOS电容性能的方法。该方法包括以下步骤：在Si衬底上形成TiN底电极；在所述TiN底电极上形成ZrO2层；在所述ZrO2层上沉积铪基铁电层；在所述铪基铁电层上形成ZrO2层；在所述ZrO2层上形成TiN顶电极；在氮气氛围下进行快速热退火处理。
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公开(公告)号：CN115410903A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211112658.2
申请日：2022-09-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种通过插层技术优化铁电MOS电容性能的方法。该方法包括以下步骤：在Si衬底上形成金属底电极；在所述金属底电极上沉积高k介电层；在所述高k介电层上沉积金属氮化物作为应力夹持层；在所述应力夹持层上沉积铪基铁电层；在所述铪基铁电层上形成金属顶电极；在氮气氛围下进行快速热退火处理。
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公开(公告)号：CN112331772B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202011155918.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。
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公开(公告)号：CN115233156A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210878689.2
申请日：2022-07-25
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结制备方法及约瑟夫森结。本发明的约瑟夫森结制备方法，包括以下步骤：向工艺腔内通入氩气和氮气，在氩气和氮气的作用下通过靶材对工艺腔内的约瑟夫森结进行镀膜，得到表面镀有氮化层的约瑟夫森结。本发明的约瑟夫森结金属层镀膜方法的有益效果在于：通过向密闭的工艺腔内通入氩气和氮气，并电离氩气和氮气得到氮离子体和氩离子体，氩离子体轰击工艺腔上侧的靶材得到靶材的原子团，靶材的原子团与氮离子体结合在约瑟夫森结的表面形成一层靶材氮化物，靶材氮化物层的形成能够避免约瑟夫森结的顶层金属层于空气接触，避免顶层金属层氧化，进而能够提升约瑟夫森结的稳定性，降低约瑟夫森结造成的器件扰动频次以及幅度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112909000B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110321937.9
申请日：2021-03-25
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供了一种半浮栅存储器，包括：衬底；隧穿层，设于所述衬底的上表面；第一半导体，包括覆盖端和邻接端，所述邻接端设于所述衬底且一侧邻接所述隧穿层，所述覆盖端覆盖所述隧穿层，所述第一半导体与所述衬底构成二极管结构；半浮栅，覆盖所述第一半导体，所述半浮栅具有深能级缺陷。本发明通过第一半导体与衬底构成二极管结构，当导通时，加快数据的写入半浮栅，实现了快速存储功能，由于二极管结构和隧穿层的性能，半浮栅内的电荷不容易返流回衬底，从而增加了存储时间。最重要的，半浮栅具有深能级缺陷，有效地增强电荷保持能力，增加了存储器的刷新时间。另外，本发明还提供了半浮栅存储器的制造工艺。
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公开(公告)号：CN112838089B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110321983.9
申请日：2021-03-25
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明提供了一种半浮栅存储器，包括：衬底；隧穿层，设于所述衬底；第一半导体，设于所述衬底并邻接所述隧穿层，且与所述隧穿层平行，所述第一半导体与所述衬底构成二极管结构；第二半导体，覆盖所述隧穿层和所述第一半导体；所述衬底、所述第一半导体和所述第二半导体的费米能级依次降低。本发明通过第一半导体与衬底构成二极管结构，加快数据的写入，实现了快速存储功能，并且由于衬底、第一半导体和第二半导体的费米能级依次降低，进一步加快存储速度的同时增加了数据的保存时间。另外，本发明还提供了半浮栅存储器的制造方法。
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公开(公告)号：CN115172586A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210896285.6
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种嗅觉感存算一体化忆阻器及其制备方法。该嗅觉感存算一体化忆阻器包括：衬底；底层叉指电极，形成在所述衬底上；电阻调控功能层，其为高k介质薄膜，形成在所述底层叉指电极上；气体探测功能层，其为SnO2薄膜，形成在所述电阻调控功能层上；顶层叉指电极，形成在所述气体探测功能层上，其叉指延伸方向与底层叉指电极的叉指延伸方向正交，在同一个忆阻器体系中实现硫化氢气体的感知、处理与记忆功能：释放硫化氢气体，器件的电导变大，实现嗅觉功能；撤除气体后电导被保持记忆，实现存储功能；器件能够对连续的硫化氢气体产生阶梯式响应，用于神经形态计算并对气体种类进行识别判断，实现计算功能。
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公开(公告)号：CN115172585A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210896282.2
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种新型可穿戴存储器及其制备方法。以第一织物型金属线作为底电极；在所述第一织物型金属线表面包覆一层金属氧化物薄膜，作为阻变功能层；在具有金属氧化物薄膜的第一织物型金属线上缠绕第二织物型金属线作为顶电极，获得新型可穿戴存储器。在电压的激励下，氧化物薄膜中形成氧空位，迁移积累形成导电通道，实现电阻由高阻态向低阻态的转变；在相反的电压下，氧空位导电通道断裂，器件由低阻态转变回高阻态。
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公开(公告)号：CN115172464A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210896084.6
申请日：2022-07-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种多端仿树突型神经形态器件及其制备方法。该多端仿树突型神经形态器件包括：衬底；二维半导体材料，形成在所述衬底上，作为沟道；源电极和漏电极形成在所述二维半导体材料两侧；铪基铁电薄膜，覆盖上述结构；离子栅介质层，形成在所述铪基铁电薄膜上，位于所述沟道区的上方；多端顶栅，形成在所述离子栅介质层上，通过先后对多端顶栅施加不同时间、空间序列的电学脉冲刺激，获得时空影响下的树突器件的神经突触可塑性。
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