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公开(公告)号：CN113821111A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111008994.8
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F3/033 , A63F13/214 , A63F13/24 , A61H39/04
Abstract: 本发明属于电脑输入设备技术领域，具体为一种用脚掌移动做位移量的电脑输入装置。本电脑输入装置通过检测脚底位移来记录脚底移动，包括使用脚底驱动的滚球加垂直按压，或者使用摄像头检测脚底纹路移动（类似于光学鼠标器）；脚掌的线位移通过直接接触滚球转换为角位移，再使用软质圆柱驱动的角位移编码器对角位移进行感知，或者通过使用软质圆柱驱动的微型直流电机和电学放大器转换为与角速度成正比的电压、电流信号。位移传感器与压力传感器的输出通过导线连接到单片机，进行信号处理。装置通过USB接口与电脑连接，可被电脑识别为游戏杆或者鼠标器。本电脑输入装置，可手脚并用，在电脑前工作娱乐中得到健身，并提高工作效率。
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公开(公告)号：CN120049882A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510110515.5
申请日：2025-01-23
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多相位时钟产生器，该多相位时钟产生器通过对输入时钟信号进行处理，输出与N个对应于不同相位的注入电流信号，N为4的整数倍，并在交叉耦合环形振荡器中设置交叉耦合环路，该环路基于相位顺序分别与N/4个二级环形振荡器中各输出节点相耦接，二级环形振荡器通过交叉耦合机制，实现了高工作频率、高稳定性的振荡频率输出和低误差的相位对齐，使得其能够输出N个等间隔相位的振荡时钟信号，由于二级环形振荡器中的各输出节点还基于相位顺序被输入注入电流信号，对二级环形振荡器完成了频率和相位的锁定，该频率与输入时钟信号的频率相同，且相位噪声非常低，从而，本发明可以生成低相位噪声、高相位精度的高速多相位时钟信号。
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公开(公告)号：CN118590020B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411080564.0
申请日：2024-08-08
Abstract: 本发明提供一种多重电感耦合的低噪声放大器电路，包括：主路晶体管、栅极电感、源极电感和漏极电感；主路晶体管的栅极与栅极电感的一端相连，栅极电感的另一端接入信号；主路晶体管的源极与源极电感的一端相连，源极电感的另一端接地；主路晶体管的漏极与漏极电感的一端相连，漏极电感的另一端连接输出模块；栅极电感、源极电感和漏极电感两两之间耦合，以消除主路晶体管产生的噪声。本发明提供的低噪声放大器电路能够通过栅极电感、源极电感和漏极电感两两之间的耦合作用，对主路晶体管产生的噪声进行抵消，并能够在一定程度上增强增益，从而有效降低了低噪声放大器的噪声稀释，解决了如何降低低噪声放大器的噪声系数的问题。
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公开(公告)号：CN118687606A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410705020.2
申请日：2024-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了模拟测试电路、检测系统和光电传感器，该电路包括：参考源模块，用于产生参考电压；分压可调模块，用于对第一电压进行分压，并输出第一分压电压，所述分压可调模块包括电压调节单元，所述电压调节单元用于对所述第一分压电压进行调节；误差输出模块，用于根据所述第一分压电压和所述参考电压之差输出第一电流。本发明的技术方案通过电压调节单元对第一分压电压进行调节，实现对所述第一电流的调节，提高了所述第一电流的输出范围，从而使所述模拟测试电路能应用于不同电流需求的测试场景。
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公开(公告)号：CN118590020A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411080564.0
申请日：2024-08-08
Abstract: 本发明提供一种多重电感耦合的低噪声放大器电路，包括：主路晶体管、栅极电感、源极电感和漏极电感；主路晶体管的栅极与栅极电感的一端相连，栅极电感的另一端接入信号；主路晶体管的源极与源极电感的一端相连，源极电感的另一端接地；主路晶体管的漏极与漏极电感的一端相连，漏极电感的另一端连接输出模块；栅极电感、源极电感和漏极电感两两之间耦合，以消除主路晶体管产生的噪声。本发明提供的低噪声放大器电路能够通过栅极电感、源极电感和漏极电感两两之间的耦合作用，对主路晶体管产生的噪声进行抵消，并能够在一定程度上增强增益，从而有效降低了低噪声放大器的噪声稀释，解决了如何降低低噪声放大器的噪声系数的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114203705A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111528267.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器结构，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一行所述晶体管单元沿第一方向依次设置，所述晶体管单元包括沿所述第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向，所述晶体管单元的第二传输管与在所述第一方向上相邻的所述晶体管单元的第一传输管堆叠设置在一起形成共栅结构，能够减少第一传输管和所述第二传输管所占的面积，提高电路集成度，并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN114203704A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111525682.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管、传输单元和第二共栅互补场效应晶体管，所述传输单元包括堆叠设置的第一传输管和第二传输管，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向、所述传输管单元的沟道方向和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向均平行于所述第一方向，堆叠设置的第一传输管和第二传输管，能够极大减少单个第一传输管和单个第二传输管所占面积，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
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公开(公告)号：CN113805711A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111008992.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F3/033 , G06F3/038 , A63F13/214 , A63F13/24
Abstract: 本发明属于电子运动设备技术领域，具体为一种脚控位移输入装置。本发明通过脚掌操控输入操作，通过直流电机或圆形格栅角位移编码器实现脚底位移信号转化为电信号；最后通过USB接口将信号输入到电脑中，驱动与运动相关的程序；输入装置包括脚控位移信号传感器，其结构有两种形式：一为直流电机驱动式，包括：滚球、支撑轴承、软质圆柱、弹性薄片、固定支架、直流电机、运算放大器和单片机；另一种为角位移编码器驱动式，即将前一种位移传感器中的直流电机替换以为角位移编码器。本发明装置无需额外占地，无需安全防护装置，正常桌椅与带有USB接口的电脑就可使用。应用场景包括如2D、3D游戏，地图历经，360°VR街景体验，实景虚拟参观等。
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公开(公告)号：CN113394295A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110650073.5
申请日：2021-06-10
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种用于P型环栅器件的堆叠结构及增强P型环栅器件的沟道应力的方法，通过将堆叠件的牺牲层与沟道层材料的晶格常数设置成牺牲层材料的晶格常数小于沟道层的材料的晶格常数，并且沟道层的材料的晶格常数等于底层结构的材料的晶格常数；以使得初始状态下，沟道层无应变，牺牲层具有初始的张应变；当牺牲层发生弛豫时，沟道层受到牺牲层因弛豫而诱导的压应变，从而巧妙地利用牺牲层来增强P型环栅器件的沟道层应力，从而提高P型环栅器件的空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN112908853A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110114036.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供了一种GAA晶体管及其制备方法、电子设备，其中的制备方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层，所述外延层包括交替层叠的牺牲层与硅层，其中，所述外延层中与所述衬底相接触的一层为底层牺牲层；刻蚀所述衬底与所述外延层，以形成鳍片；刻蚀所述鳍片中剩余的外延层，以在鳍片的第一侧与第二侧刻蚀出源极区域与漏极区域，其中，刻蚀的最终终点低于所述剩余的外延层中底层牺牲层的最高处，且不低于衬底与底层牺牲层的连接处；鳍片的第一侧与第二侧为鳍片一对相对的两侧；在所述源极区域制作源极，在所述漏极区域制作漏极。
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