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公开(公告)号：CN119647380A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411726740.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373 , G06N3/096
Abstract: MOS场效应管的失效物理模型迁移学习方法、存储介质及设备，属于MOS场效应管偏压温度不稳定性失效物理建模技术领域。为了解决现有的迁移学习方法并不能针对MOS场效应管失效物理模型的失效机理衍变规律进行迁移学习，从而导致迁移后的模型效果并不理想。本发结合历史数据和仿真分析方法，构建不同候选源领域复相关模型并确定影响失效物理模型系数的关键参数，然后根据复相关性模型，计算不同候选源领域与目标领域的距离，构建MOS场效应管的可迁移性判别准则；然后建立候选源领域的电子元器件失效物理参数辨识模型，并基于可迁移域判别准则，采用实例迁移学习方法，构建目标域与受其影响的失效物理模型系数的参数辨识模型。
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公开(公告)号：CN116911027A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310888397.1
申请日：2023-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种考虑多元件‑系统动态交互影响的系统退化建模方法，所述方法包括如下步骤：步骤1：建立能够准确描述系统物理特性和运行机制的多物理场仿真模型；步骤2：融合系统物理方程和多物理场仿真数据集，建立系统多物理场仿真模型的代理模型；步骤3：对系统中的组成元件开展加速退化试验，根据试验数据建立M个元件级性能参数退化模型；步骤4：根据代理模型和元件级性能参数退化模型，量化表征多元件‑系统动态交互影响过程，实现系统性能退化建模；步骤5：根据系统级性能参数退化数据，计算系统在tk时刻下的可靠度。该方法量化表征了多元件‑系统退化之间的动态交互影响过程，实现了更符合工程实际的系统退化建模与可靠性准确评估。
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公开(公告)号：CN115510718B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211269128.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F18/23213 , G06F119/02 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开了一种基于多模型协同的数模混合电路设备可靠性预计方法，所述方法包括如下步骤：S1、建立适用于可靠性预计的数模混合电路设备电、热耦合数字样机模型；S2、基于数字样机模型，分析数模混合电路设备电子元器件失效模式、失效机理，确定可靠性薄弱的电子元器件及其失效物理模型；S3、建立融合性能退化和功能失效的数模混合电路设备可靠性预计模型，基于蒙特卡洛及电热耦合仿真法求解得到给定预计工作环境应力及故障判据对应的可靠度曲线。本发明能够解决数模混合电路电子设备电路仿真建模、电子元器件退化与失效行为模拟、电热耦合下同时考虑电子元器件功能失效与性能退化的可靠性预计困难的问题。
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公开(公告)号：CN114792053B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210459927.6
申请日：2022-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 一种基于初值‑速率相关退化模型的可靠性评估方法，涉及一种可靠性评估方法。对电子元器件产品开展退化试验，采集退化数据；针对产品的特征参数建立考虑初值与退化速率相关性的退化模型；建立退化模型对应的对数似然函数，确定退化模型中的时间尺度函数形式，并利用极大似然方法估计退化模型中的待定参数；将待定参数估计值代入可靠度函数解析式，得到可靠度函数实现对产品的可靠性评估。将性能参数初值与退化速率的相关性引入电子元器件产品的可靠性评估当中，能够有效提高评估结果的准确度。
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公开(公告)号：CN114925510A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210489677.0
申请日：2022-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/14 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种带有自适应交互作用项的多应力加速模型构建方法，所述方法构建了一种带有自适应交互作用项的多应力加速模型，首先根据各加速应力单独作用时产品的物理老化规律确定多应力加速模型中各加速应力的主效应项；然后，将多应力加速模型中的交互作用项量化表征为其他加速应力对当前主效应的影响，并将各主效应项中的特定参数表达为其他多应力变量的函数，其具体函数形式可由极大似然估计过程自适应优化获取，解决了多应力交互作用无法准确量化描述的问题，同时增强了该模型与各类加速试验数据匹配的灵活性和适用性，为产品可靠性评价以及服役过程中的维修策略制定提供重要支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111027216B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911267928.5
申请日：2019-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10
Abstract: 一种基于多退化机理耦合的电磁继电器退化建模方法，涉及电磁继电器退化建模方法。对电磁继电器可能存在的时变退化参数进行分析，在表征参数全覆盖的条件下对时变退化参数进行实验，使用基于退化机理或者随机过程的建模方法得到电磁继电器时变退化参数退化模型，使用时变参数退化模型建立电磁继电器时变退化参数字典库，随后建立电磁继电器表征参数计算模型，在表征参数计算模型中，计算当前多退化参数阶段的状态表征参数，将状态表征参数代入退化字典库，获取下一状态的退化参数，再将此时的状态表征参数当作当前状态计算状态参数，进而获取下一状态的退化参数，循环迭代计算得到全寿命周期多源退化参数耦合作用下的时变退化参数模型。
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公开(公告)号：CN110941912B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201911267935.5
申请日：2019-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/04
Abstract: 多退化机理耦合的电磁继电器全寿命周期可靠性评估方法，涉及电磁继电器评估方法。分析确定退化参数；对温度场分布工作剖面进行剖析；实验获取退化参数数据，建立电磁继电器单参数退化模型；形成多元退化字典库；建立温度场分布耦合计算模型；展开虚拟实验过程，得到多退化耦合作用下的电磁继电器关键零部件和制造工序过程参数退化数据；建立耦合退化模型；将耦合退化模型代入到温度场分布耦合计算模型中，根据温度场分布的退化失效阈值计算得到伪寿命；通过拟合计算得到伪寿命分布类型的参数，进而完成可靠性的评估。补充了当前电磁继电器可靠性评估过程中多退化机理耦合作用综合考虑方法的缺失。
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公开(公告)号：CN103310944B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310194813.4
申请日：2013-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开一种含永磁双E型轭铁结构，包括：外轭铁，为上端开口的空心圆柱体结构；永磁体，与所述外轭铁侧壁固定连接；内轭铁，位于所述外轭铁内部，与所述永磁体固定连接；所述内轭铁为空心的环形圆柱体结构，包括内轭铁上底、内轭铁中隔、内轭铁下底和内轭铁侧壁；衔铁，位于所述外轭铁内部，从所述内轭铁的内环处贯穿，包括衔铁上底、衔铁下底和衔铁侧壁；所述衔铁上底和衔铁下底的直径大于所述内轭铁的内环直径；所述衔铁上底位于所述内轭铁中隔与内轭铁上底之间，所述衔铁下底位于所述外轭铁下底与所述内轭铁下底之间；以及线圈骨架、线圈、连杆和弹簧，其中所述外轭铁、内轭铁和衔铁均为导磁材料。
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公开(公告)号：CN119644002A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411672299.5
申请日：2024-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法，属于电子元器件可靠性辨识技术领域。为了解决现有技术并没有针对碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用分析方法的问题。本发明首先开展加速退化试验，获取用于进行温度相互作用辨识的阈值电压退化数据，然后消除测量异常波动与测量误差，并对恒定温度加速退化试验中温度为Ti与Tj的各组样本数据和两阶段温度加速退化试验第二阶段各组样本数据分别进行拟合；然后对退化路径数据进行统计检验，根据统计检验结果判断退化是否受温度相互作用影响。本发明用于MOSFET阈值电压退化的温度相互作用的辨识。
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公开(公告)号：CN115130249B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210927835.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/04 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 一种综合考虑制造成本和质量损失的继电器容差设计方法，涉及一种继电器设计方法。分析继电器零部件制造与装配特征，建立继电器零部件不确定性最大界与制造成本之间的关系模型；分析继电器出厂筛选试验和寿命周期内关键零部件性能退化对输出特征参数的影响规律，建立继电器寿命周期质量损失模型，基于继电器制造成本模型和继电器寿命周期质量损失模型，建立继电器容差设计自适应变贡献率步长控制函数，建立考虑制造成本和质量损失的继电器容差设计模型，进行设计参数不确定性最大界自动寻优，确定最佳容差组合。有助于以最小的成本增加实现不确定性因素最大界的定量分配，提升继电器质量一致性，降低寿命周期质量损失。
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