一种分部处理式阵列式语音定位和增强方法

    公开(公告)号:CN104715758A

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201510066532.X

    申请日:2015-02-06

    Abstract: 本发明提出了一种分部处理式阵列式语音定位和增强方法,包括广义旁瓣抵消器的基本结构、阻塞矩阵(Block Matrix)的设计、分量滤波器的设计和外置维纳滤波部分。该方法借鉴分量结构,外加后置维纳滤波器,利用部分自适应技术,保证了算法的去噪性能,有效地抑制非相干噪声和相干噪声,加快了算法的收敛速度,降低了运算复杂度,相对于传统的广义旁瓣相消器的麦克风阵列语音增强系统,采用改进的语音增强系统具有更高的输出信噪比。仿真实验测试结构表明,相对于基于全带广义旁瓣抵消器的麦克风阵列语音增强系统,本发明的方法具有更高的输出信噪比。

    基于连续噪声跟踪的目标语音信号增强方法、系统及存储介质

    公开(公告)号:CN109817234B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201910168105.0

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 本发明提供了一种基于连续噪声跟踪的目标语音信号增强方法、系统及存储介质,该目标语音信号增强方法包括:步骤1:接收带噪语音信号,对带噪语音信号进行分帧加窗处理,使用短时傅里叶变换得到时频域的关系;步骤2:对噪声功率谱进行估计;步骤3:语音功率谱的估计;步骤4:通过语音估计器对语音信号进行估计;步骤5:反傅里叶变换,加窗并使用交叠相加技术实现语音恢复。本发明的有益效果是:本发明有效地把目标语音信号分离出来,大大减小了语音信号中的噪声残余量,使得目标信号的质量大大提高。这对自动语音识别、说话人识别、人机对话接口以及助听器等应用有着非常重要的作用。

    基于超高斯先验语音模型与深度学习的语音分离方法、系统及存储介质

    公开(公告)号:CN109767781A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201910167788.8

    申请日:2019-03-06

    Abstract: 本发明提供了一种基于超高斯先验语音模型与深度学习的语音分离方法、系统及存储介质,该语音分离方法包括利用纯净语音功率谱密度估计值和噪声功率谱密度估计值,从而求出增益函数中的先验信噪比,将先验信噪比带入到增益函数中得到增益函数的值,利用增益函数值与带噪语音谱相乘得到纯净语音幅度谱的估计值,利用重叠相加技术我们就能得到恢复出来的语音信号。本发明的有益效果是:本发明将传统的统计模型与深度学习技术的结合下,不仅能够有效的抑制非平稳噪声信号,同时也解决了深度学习技术高度依赖训练数据而泛化能力弱的问题。两者的结合使得该方法的增强性能在各种各样的噪声环境以及信噪比情况下都表现得非常鲁棒。

    生理时间序列的特征表示与提取方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN109657646A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201910012857.8

    申请日:2019-01-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于奇异谱分解与共空间模式的生理时间序列的特征表示与提取方法、装置及存储介质。通过获取生理时间序列并对所述生理时间序列进行预处理,得到预处理后的生理时间序列;对生理时间序列进行奇异谱分解,得到生理时间序列的各阶奇异谱分量;利用生理时间序列的各阶奇异谱分量,进行共空间模式算法处理,提取得到生理时间序列对应不同生理状态的特征信息。本发明相比于传统的特征提取方法而言,是一种基于自身数据驱动的自动特征提取方法,基本不需要算法参数的预设,同时具有算法实现简单、算法运行高效等特征,能有效的提取生理信号的特征信息。

    混合结构主动降噪耳机、降噪方法及存储介质

    公开(公告)号:CN109511044A

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:CN201910012835.1

    申请日:2019-01-07

    Abstract: 本发明公开了一种混合结构主动降噪耳机、降噪方法及存储介质,混合结构主动降噪耳机包括:有源噪声控制系统、参考传声器以及消声传声器,参考传声器以及消声传声器均与有源噪声控制系统连接;参考传声器用来采集耳机外界噪声,并将采集的外界噪声发送至有源噪声控制系统;有源噪声控制系统用于对所述参考传声器采集的外界噪声进行处理,输出抵消噪声至所述消声传声器;消声传声器用于将接收到的所述抵消噪声对外输出,对实际噪声进行抵消。本发明所提出的新型混合结构主动降噪耳机,采用鲁棒性设计,将噪声信号通过该系统进行循环迭代处理,能够选择出最适合的降噪系统系数,更加快速准确地追踪噪声信号的变化,从而大幅度提升降噪效果。

    一种隧穿场效应晶体管数字标准单元的版图结构设计方法

    公开(公告)号:CN105390538A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510888155.8

    申请日:2015-12-04

    Abstract: 本发明提出了一种遂穿场效应晶体管数字标准单元的版图结构设计方法,在传统的MOSFET数字标准单元的版图基础上,通过对版图结构和掺杂浓度的改变,得到实验需要的遂穿场效应晶体管数字标准单元版图。其中包括确定遂穿场效应晶体管数字标准单元的版图设计基本参数,设计数字标准单元原理图并根据电路性能确定器件尺寸后,根据上述内容最终确定遂穿场效应晶体管的版图结构。本发明设计出的隧穿场效应晶体管版图中源漏掺杂非对称,器件串联时有源区面积会更大;遂穿场效应晶体管的PIN结构,器件关态时静态电流非常小,有效降低静态功耗,同时由于其亚阈值摆幅能突破60mv/dec极限,使得电路充放电速度更快。

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