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公开(公告)号：CN110212735B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201910518637.2
申请日：2019-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于转速自适应调节的宽速域旋转涡流制动器，属于电机领域。本发明永磁铁和压力弹簧连接在一起并安装在初级转接板上的长方形槽内，初级背铁与初级转接板连接在一起且二者同轴；1号导体环、2号导体环、3号导体环和4号导体环采用不同材料的导体，且从内到外电导率逐渐降低，1号导体环、2号导体环、3号导体环和4号导体环紧密贴合在一起且两两同轴；次级部分与初级部分连接且次级部分与初级部分同轴。本发明中提出的宽速域旋转涡流制动器，可以随着转速变化自动调整永磁体的位置，使其与次级导体板中的不同材料导体环相对应，从而在宽速度范围内，均获得优良的制动性能。
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公开(公告)号：CN113392562A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110729229.9
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明公开了一种轴向磁通次级导条式永磁涡流制动器建模方法。步骤1：通过有限元法分别计算了低速时和高速时次级导条式涡流制动器的磁场分布；步骤2：基于步骤1中的磁场分布，分析导体的垂直边缘上的磁通密度的圆周分量；步骤3：基于步骤2的分析结果，在引入等效的槽弧系数；步骤4：确定步骤3中等效的槽弧系数中的待定系数；步骤5：利用步骤3和步骤4建立次级导条式涡流制动器的数学模型，支撑相应涡流制动器的优化设计。本发明解决传统的解析模型无法准确预测高速情况下的制动转矩的问题。
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公开(公告)号：CN110970191B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201911356805.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明涉及一种多层屏蔽装置的退磁方法，退磁方法基于退磁线圈系统实现退磁，退磁线圈系统包括多匝退磁线圈、多个连接导线和供电模块；多层屏蔽装置包括至少两层屏蔽体，各层屏蔽体由内到外逐层套设，每层屏蔽体上均间隔缠绕多匝退磁线圈，每匝退磁线圈一半位于所缠绕的屏蔽体内侧，另一半位于所缠绕的屏蔽体外侧；各退磁线圈均通过相应的连接导线接入供电模块；供电模块包括控制器，控制器与各连接导线连接；退磁方法包括：向各退磁线圈通入相应的退磁电流，令各层屏蔽体先由内向外逐层退磁，再由外向内逐层退磁，退磁电流强度大小根据各层所述屏蔽体的尺寸设定。该方法相较于现有的退磁方法能够有效提高退磁效果。
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公开(公告)号：CN110993252A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911359320.5
申请日：2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种分布式退磁线圈系统、屏蔽装置及退磁方法，该系统包括多匝退磁线圈以及多个连接导线；屏蔽装置中屏蔽体的每个屏蔽面上均匀间隔缠绕多匝所述退磁线圈，每匝所述退磁线圈一半位于所缠绕的屏蔽体内侧，另一半位于所缠绕的屏蔽体外侧，用于提供相应的退磁磁场，以构成闭合的磁通回路；各连接导线均回折设置于屏蔽面外侧，每个连接导线一半与相对应的各退磁线圈连接，另一半原路反向折回，接入供电模块，用于使其连接的各退磁线圈通入相应的退磁电流。本发明采用了分布式设置的退磁线圈，相较于现有技术能够大幅度提高退磁效果，将屏蔽装置中的静态磁场降低到极低程度，有效解决微弱磁场信号检测时对无磁环境的迫切需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110970191A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911356805.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明涉及一种多层屏蔽装置的退磁方法，退磁方法基于退磁线圈系统实现退磁，退磁线圈系统包括多匝退磁线圈、多个连接导线和供电模块；多层屏蔽装置包括至少两层屏蔽体，各层屏蔽体由内到外逐层套设，每层屏蔽体上均间隔缠绕多匝退磁线圈，每匝退磁线圈一半位于所缠绕的屏蔽体内侧，另一半位于所缠绕的屏蔽体外侧；各退磁线圈均通过相应的连接导线接入供电模块；供电模块包括控制器，控制器与各连接导线连接；退磁方法包括：向各退磁线圈通入相应的退磁电流，令各层屏蔽体先由内向外逐层退磁，再由外向内逐层退磁，退磁电流强度大小根据各层所述屏蔽体的尺寸设定。该方法相较于现有的退磁方法能够有效提高退磁效果。
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公开(公告)号：CN106028770B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610444315.4
申请日：2016-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明涉及一种磁屏蔽室开关结构。主要解决了现有大屏蔽室的屏蔽门、屏蔽窗的屏蔽效果差的问题。所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构3限位固定。具有结构简单、屏蔽效果好的特点。
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公开(公告)号：CN106102427B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610388904.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 一种新型屏蔽结构及其设计方法。主要解决了现有技术方案造价昂贵，屏蔽效果不理想的问题。其构造为闭合线圈同轴单轴排列，由闭合线圈构成的同轴排列组外设置有高导磁外屏蔽层，闭合线圈串联在一起，连接电源，设计方法步骤为，利用毕奥‑萨伐尔定律建立解析模型；采用镜像模型的方法构建包括外层导磁材料边界条件的线圈磁场分布模型；通过泰勒展开使二、四、六阶等偶数阶次系数在x＝0时为零，解出线圈间距、安匝数比值等关键结构参数。具有成本低廉，磁场屏蔽效果好的特点。
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公开(公告)号：CN106028770A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610444315.4
申请日：2016-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0001
Abstract: 本发明涉及一种磁屏蔽室开关结构。主要解决了现有大屏蔽室的屏蔽门、屏蔽窗的屏蔽效果差的问题。所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成，固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式，固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接，并通过支撑结构3限位固定。具有结构简单、屏蔽效果好的特点。
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公开(公告)号：CN105828594A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610388903.0
申请日：2016-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0071
Abstract: 本发明涉及具有局部磁场补偿能力的主动屏蔽装置。主要解决了现有的技术方案造价昂贵，屏蔽效果不理想的问题。所述的高导磁屏蔽层(1)外侧在主动线圈范围内分布有补偿线圈(2)阵列，每个补偿线圈(2)独立设置，每个补偿线圈(2)中心分别设置有磁强计(3)，其中每个补偿线圈(2)与每个磁强计(3)分别连接中央控制器模块。具有成本低廉，磁场屏蔽、补偿效果好的特点。
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