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公开(公告)号：CN106102427A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610388904.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0071
Abstract: 一种新型屏蔽结构及其设计方法。主要解决了现有技术方案造价昂贵，屏蔽效果不理想的问题。其构造为闭合线圈同轴单轴排列，由闭合线圈构成的同轴排列组外设置有高导磁外屏蔽层，闭合线圈串联在一起，连接电源，设计方法步骤为，利用毕奥‑萨伐尔定律建立解析模型；采用镜像模型的方法构建包括外层导磁材料边界条件的线圈磁场分布模型；通过泰勒展开使二、四、六阶等偶数阶次系数在x＝0时为零，解出线圈间距、安匝数比值等关键结构参数。具有成本低廉，磁场屏蔽效果好的特点。
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公开(公告)号：CN106102427B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610388904.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 一种新型屏蔽结构及其设计方法。主要解决了现有技术方案造价昂贵，屏蔽效果不理想的问题。其构造为闭合线圈同轴单轴排列，由闭合线圈构成的同轴排列组外设置有高导磁外屏蔽层，闭合线圈串联在一起，连接电源，设计方法步骤为，利用毕奥‑萨伐尔定律建立解析模型；采用镜像模型的方法构建包括外层导磁材料边界条件的线圈磁场分布模型；通过泰勒展开使二、四、六阶等偶数阶次系数在x＝0时为零，解出线圈间距、安匝数比值等关键结构参数。具有成本低廉，磁场屏蔽效果好的特点。
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公开(公告)号：CN105828594A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610388903.0
申请日：2016-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0071
Abstract: 本发明涉及具有局部磁场补偿能力的主动屏蔽装置。主要解决了现有的技术方案造价昂贵，屏蔽效果不理想的问题。所述的高导磁屏蔽层(1)外侧在主动线圈范围内分布有补偿线圈(2)阵列，每个补偿线圈(2)独立设置，每个补偿线圈(2)中心分别设置有磁强计(3)，其中每个补偿线圈(2)与每个磁强计(3)分别连接中央控制器模块。具有成本低廉，磁场屏蔽、补偿效果好的特点。
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