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公开(公告)号：CN103226629A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310097322.8
申请日：2013-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 继电器批次产品吸合时间一致性控制方法，本发明涉及继电器批次产品吸合时间一致性控制方法。本发明是要解决继电器产品研发过程中缺乏一致性控制方法指导研发人员对可控参数分配合理的容差，进而导致制造过程中批次产品一致性差的问题，而提出了继电器批次产品吸合时间一致性控制方法。一、正交试验设计；二、试验数据贡献率分析；三、建立容差分配目标函数；四、确定关键参数及其容差；五、继电器制造过程控制。本发明应用于继电器研发阶段的一致性控制领域。
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公开(公告)号：CN101984441B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010521026.2
申请日：2010-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种基于EDA技术的电子系统多目标可靠性容差设计方法。步骤包括：建立电子系统的Pspice仿真模型；根据电子系统所处的环境条件建立关键元器件可靠性退化模型；根据系统的可靠性指标或根据元器件实际所受应力情况来确定其约束条件；对目标函数进行灵敏度分析，找出影响目标函数的灵敏元器件；通过多元线性回归分析建立目标函数与参数容差之间的回归方程，找到所有满足特性指标的容差组合；建立基于质量损失的多目标容差优化函数。本发明通过对灵敏元件进行容差控制，减小因参数和噪声偏差导致的元器件应力的波动，在不改变系统参数及结构的情况下提高系统内部每个元器件的寿命，进而提高电子系统整体的可靠性，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN119644002A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411672299.5
申请日：2024-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用辨识方法，属于电子元器件可靠性辨识技术领域。为了解决现有技术并没有针对碳化硅功率MOSFET阈值电压退化的温度相互作用分析方法的问题。本发明首先开展加速退化试验，获取用于进行温度相互作用辨识的阈值电压退化数据，然后消除测量异常波动与测量误差，并对恒定温度加速退化试验中温度为Ti与Tj的各组样本数据和两阶段温度加速退化试验第二阶段各组样本数据分别进行拟合；然后对退化路径数据进行统计检验，根据统计检验结果判断退化是否受温度相互作用影响。本发明用于MOSFET阈值电压退化的温度相互作用的辨识。
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公开(公告)号：CN115130249B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210927835.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/04 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 一种综合考虑制造成本和质量损失的继电器容差设计方法，涉及一种继电器设计方法。分析继电器零部件制造与装配特征，建立继电器零部件不确定性最大界与制造成本之间的关系模型；分析继电器出厂筛选试验和寿命周期内关键零部件性能退化对输出特征参数的影响规律，建立继电器寿命周期质量损失模型，基于继电器制造成本模型和继电器寿命周期质量损失模型，建立继电器容差设计自适应变贡献率步长控制函数，建立考虑制造成本和质量损失的继电器容差设计模型，进行设计参数不确定性最大界自动寻优，确定最佳容差组合。有助于以最小的成本增加实现不确定性因素最大界的定量分配，提升继电器质量一致性，降低寿命周期质量损失。
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公开(公告)号：CN115630546A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211271247.8
申请日：2022-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种考虑工作温度影响的三相换流器软故障诊断方法，所述方法包括如下步骤：S1、建立三相换流器的电热耦合数字样机模型和基于测试建立关键元器件参数温度特性曲线；S2、建立三相换流器标准状态空间模型和软故障状态空间模型；S3、采用关键元器件参数温度特性曲线以及三相换流器标准状态空间模型及软故障状态空间模型，建立具有温度补偿的三相换流器软故障观测器；S4、基于三相换流器软故障观测器，使用L2范数积分残差评价实现基于测试激励组合的三相换流器的软故障检出和隔离。相比于传统的故障观测器设计方法，该方法考虑了温度对系统参数的影响，据此对三相换流器开展测试性设计，通过故障观测器实现故障检出和故障隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115130326A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210927848.3
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种平衡力继电器不确定性最大界自动分配方法，涉及一种继电器不确定性最大界分配方法。确定平衡力继电器的关键底层退化零部件及材料；试验采集关键底层退化零部件和材料的退化信息，建立退化模型；建立数字样机模型，分析退化对继电器质量参数的影响，考虑出厂筛选建立考虑退化的全寿命周期质量损失函数模型；构建制造工序极限能力约束下不确定性最大界自动分配加速步长函数模型；分析继电器当前设计状态质量参数波动与设计目标之间的偏差，建立不确定性最大界分配目标函数，对目标函数进行寻优，确定最优解集；抽样验证是否符合要求。有助于保证不确定性最大界的分配精度与效率，实现平衡力继电器全寿命周期质量一致性波动的控制。
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公开(公告)号：CN115130249A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210927835.6
申请日：2022-08-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/20 , G06F111/04 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 一种综合考虑制造成本和质量损失的继电器容差设计方法，涉及一种继电器设计方法。分析继电器零部件制造与装配特征，建立继电器零部件不确定性最大界与制造成本之间的关系模型；分析继电器出厂筛选试验和寿命周期内关键零部件性能退化对输出特征参数的影响规律，建立继电器寿命周期质量损失模型，基于继电器制造成本模型和继电器寿命周期质量损失模型，建立继电器容差设计自适应变贡献率步长控制函数，建立考虑制造成本和质量损失的继电器容差设计模型，进行设计参数不确定性最大界自动寻优，确定最佳容差组合。有助于以最小的成本增加实现不确定性因素最大界的定量分配，提升继电器质量一致性，降低寿命周期质量损失。
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公开(公告)号：CN111046555B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201911267915.8
申请日：2019-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/04 , G06F119/02
Abstract: 时变退化质量特征补偿的全寿命周期质量稳健性优化方法，属于电磁继电器质量优化设计领域。分析确定电磁继电器关键设计参数，进行线性度分析，基于K‑L展开方法将电磁继电器全寿命周期进行展开，分为若干个子寿命区间，使用克里金方法将子寿命区间的质量稳健性特征参数建模，并进行统一化表达，建立电磁继电器全寿命周期质量稳健性模型，质量稳健性特征要求水平选取合适的质量特征水平，计算时变退化参数作用下的电磁继电器质量稳健性特征偏移度，将质量偏移补偿到全寿命周期质量稳健性的需求，使用蒙特卡洛生成批量样本，计算输出特征，验证优化效果。为解决电磁继电器产品全寿命周期质量稳健性设计优化提出了一种新方法。
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公开(公告)号：CN110941927B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201911359431.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种永磁同步电机转子动偏心位移计算方法，属于永磁同步电机检测技术领域。方法是：根据永磁同步电机的组成特点、结构参数以及电磁方案确定其本体结构仿真模型；根据永磁同步电机的实际制造工艺参数，通过有限元仿真得到永磁同步电机的三相自感互感波形；基于Simulink建立永磁同步电机SVPWM双闭环控制电路，仿真得到永磁同步电机的空载电流。建立转子动偏心位移仿真模型，根据步骤二仿真输出永磁同步电机的空载电流，根据最小二乘法拟合，得到不同转子动偏心位移对应的特征频率含量。根据电机实际结构参数尺寸建立电机仿真模型，得到批量空载电流特征频率含量，根据步骤五计算批量转子动偏心位移。本发明解决了目前永磁同步电机转子动偏心位移计算的问题。
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公开(公告)号：CN112668265B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110007279.6
申请日：2021-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 一种基于Saber软件的SiC MOSFET SPICE模型图形化修正方法，属于新型器件的建模与仿真领域。所述方法通过Saber仿真软件的Model Architect工具中Scanned Data Utility功能、Optimizer Utility自动拟合功能建立初步模型。通过选取Saber软件中Model Architect工具提供的Toggle Anchor Objects锚点工具对所建模型进行图形化修正，并通过理论分析和实测数据指导并检验所建模型的准确性。本发明建立的模型经过理论验证和与实际测试数据的对比，显示出比较好的准确性和严谨性，可以为包含SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据。
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