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公开(公告)号：CN104091867B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410358143.X
申请日：2014-07-25
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开一种高压发光二极管及其制作方法，其通过引入液态绝缘材料层/液态导电材料层，固化后用于绝缘/桥接，可以使得各发光单元之间的隔离沟槽宽度做成超窄状（开口宽度小于或等于0.3μm），从而提高单片产出，扩大有效发光区面积，提升发光效率；避免了传统高压发光二极管金属线跨过落差极大的沟渠容易断线问题，提升串/并联跨接良率；此外，在芯片制作端即可实现，制作成本较低。
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公开(公告)号：CN106252470A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610758712.9
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基发光二极管及其制作方法，提供一生长基板；在生长基板上制作发光外延层，其自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；从第二半导体层蚀刻出开口结构，且延伸至第一半导体层，使得部分第一半导体层裸露；制作第一金属电极、第二金属电极层，分别覆盖于裸露的第一半导体层和第二半导体层之上；制作金属粘附层，并形成开口，分别形成于第一金属电极和第二金属电极层之上；在上述结构上沉积半导体保护层，并形成开口，露出部分金属粘附层以及金属电极层表面，作为封装打线区。
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公开(公告)号：CN103996773B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410248717.8
申请日：2014-06-06
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
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公开(公告)号：CN105810791A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610328141.5
申请日：2016-05-18
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了倒装LED芯片的制作方法，LED芯片包括：基板；发光外延层，位于基板之上；ITO层，位于发光外延层之上；通过对ITO进行蚀刻处理后，实现对ITO表面粗化和氟化的改善处理，在ITO层上沉积金属反射层；短时间的蚀刻起到增强金属反射层在ITO表面的附着性的效果，同时，由于ITO表面的氟化处理，有效提升由外延层表面膜层、透明导电膜层、金属反射层组成的全方位反射镜（ODR）结构的反射率，实现LED光萃取效率的提升。
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公开(公告)号：CN104091867A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410358143.X
申请日：2014-07-25
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/22 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066 , H01L33/48 , H01L2933/0033
Abstract: 本发明公开一种高压发光二极管及其制作方法，其通过引入液态绝缘材料层/液态导电材料层，固化后用于绝缘/桥接，可以使得各发光单元之间的隔离沟槽宽度做成超窄状（开口宽度小于或等于0.3μm），从而提高单片产出，扩大有效发光区面积，提升发光效率；避免了传统高压发光二极管金属线跨过落差极大的沟渠容易断线问题，提升串/并联跨接良率；此外，在芯片制作端即可实现，制作成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103996773A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410248717.8
申请日：2014-06-06
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L33/0075 , H01L33/24
Abstract: 本发明涉及一种倒装发光二极管及其制作方法，包括：一基板；一外延层，位于所述基板之上，所述外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；至少一个开口结构，位于所述外延层的边缘位置之上，且延伸至基板表面，使得部分外延层的侧壁以及部分基板表面裸露，从而将外延层划分为外延主体层与阻隔栅结构；一绝缘层，位于所述开口结构之上，作为金属电极隔离层。
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公开(公告)号：CN101872824A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010200860.1
申请日：2010-06-07
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种侧面兼具分布布拉格反射层和金属反射层的双反射层氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法，缓冲层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层依次层叠形成于蓝宝石基板上，透明导电层形成于P-GaN层上，分布布拉格反射层覆盖于外延层和透明导电层的侧面，金属反射层形成于分布布拉格反射层上，P电极欧姆接触金属层形成于合金金属反射层上，由N电极欧姆接触金属层形成于暴露的N-GaN层上，P电极欧姆接触金属层和N电极欧姆接触金属层通过合金金属导电层及金丝球焊点与散热基板粘合；LED芯片的倾斜侧面设置分布布拉格反射层与金属反射层相结合的双重反射结构，充分发挥反射层的优异反射性，提高发光二极管的出光效率。
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公开(公告)号：CN210025347U
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201920437286.8
申请日：2019-04-02
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种发光二极管安装系统，包括：传送装置、发光二极管拾取单元、定位传感装置、控制系统；所述传送装置的传送载物件上安装有多个承载平台，所述承载平台上设置有至少一个能将预安装载体定位安装的定位安装结构；发光二极管拾取单元包括发光二极管拾取装置和至少一个发光二极管放置台，发光二极管拾取装置的拾取范围至少覆盖一承载平台和一发光二极管放置台；控制系统控制传送装置和发光二极管拾取装置动作。通过本实用新型系统得到的显示屏，其预安装载体上阵列的发光二极管来自不同发光二极管放置台上的Wafer或Tape，能够有效避免显色或亮度不均现象。
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公开(公告)号：CN208127232U
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201820670651.5
申请日：2018-05-07
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种发光二极管芯片结构，包括：一发光外延结构，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；局部缺陷区，位于部分所述第二导电型半导体层上，且向下延伸至所述第一导电型半导体层形成台面结构，所述台面结构露出有发光外延结构侧壁；一绝缘反射层，覆盖于所述发光外延结构的表面以及包裹所述发光外延结构侧壁，所述绝缘反射层包括第一、第二通孔结构；一第一电极，通过所述第一通孔结构与所述第一导电型半导体层实现电连接，且所述第一电极横跨于所述绝缘反射层的部分表面上；一第二电极，通过所述第二通孔结构与所述第二导电型半导体层实现电连接，且所述第二电极横跨于所述绝缘反射层的部分表面上。
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公开(公告)号：CN207398165U
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201721377414.1
申请日：2017-10-24
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种发光二极管，包括：半导体层叠体，包含：第一导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的发光层；第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一导电型半导体层电连接，所述第二电极位于所述第二导电型半导体层上并与所述第二导电型半导体层电连接；所述第一电极包括若干个第一子电极，所述第二电极包括若干个第二子电极；其特征在于：任意相邻的两个第一子电极和/或第二子电极之间的投影距离相等。
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