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公开(公告)号：CN104297843A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410492521.3
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: G02B6/124 , B81C1/0015 , G02B6/13
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅制备方法，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN102781072B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210262674.X
申请日：2012-07-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04W48/18
Abstract: 异构网络场景下无线资源管理的一个关键问题是网络选择，本发明提供了一种基于多属性决策和群组决策的网络选择方法。首先由多属性决策方法来得到主观与客观决策结果，利用层次分析法以及熵权法分别得到主观和客观决策结果，然后采用群组决策对主观和客观决策结果进行综合，并采用群组决策中的相容性理论对综合后结果的合理性进行判断，判断是否具有合理性，如果不合理，则需要修改决策，重新进行综合。最后将综合后的结果来对网络进行决策，为用户选择合适的网络。该方法不仅考虑到网络的客观属性，还考虑到了用户的偏好，保证了用户不会因为自己的偏好而选择一些性能较差的网络。本发明不但可以有效减少切换的次数而且还可以为用户提供满意的服务质量。
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公开(公告)号：CN104009393A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410179466.2
申请日：2014-04-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单方向发射的电泵浦氮化镓微激光器及其制备方法。该方法首先利用在硅基p型氮化镓/量子阱/n型氮化镓材料，利用电子束刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺制备由单根悬臂梁支撑的非对称氮化镓悬空薄膜微腔，在晶片正面蒸镀上Au/Ni电极，在n型氮化镓表面蒸镀Au/Ti，采用超声波键合技术，在电极表面键合引线，最终制备完整的器件。对制备的器件施加合适的电流，获得单方向性发射的回音壁模紫外激光。
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公开(公告)号：CN103779452A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410026373.6
申请日：2014-01-21
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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公开(公告)号：CN103633203A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107133.4
申请日：2013-05-08
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/58
Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103630967A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107095.2
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种微机电可调氮化物光波导器件及其制备方法，其实现载体为高阻硅衬底氮化物晶片，该晶片包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件和微纳驱动器件结构，结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除氮化物光波导器件和微纳驱动器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物光波导器件；采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得分离的氮化物光波导器件和微纳驱动器件；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，利用氮化物器件层和空气的折射率差异，实现氮化物光波导器件对光场的约束；相邻波导器件之间的距离可以通过微机电驱动器进行调控，由于耦合距离的改变，从而实现对光波导器件光学性能的调控。
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公开(公告)号：CN103185918A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310085681.1
申请日：2013-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微机电可调氮化物谐振光栅，实现氮化物谐振光栅和微型纳米静电驱动器的集成并提出了制备微机电可调氮化物谐振光栅的方法；该微机电可调氮化物谐振光栅实现在高阻硅衬底氮化物晶片上，采用薄膜沉积、电子束曝光、光刻、反应离子刻蚀、三五族刻蚀、深硅刻蚀等技术定义和刻蚀器件，并在器件下方形成空腔，完成悬空微型纳米静电驱动器和谐振光栅的集成；通过微型纳米静电驱动器调控谐振光栅的周期、占空比等结构参数，从而达到改变器件光学性能的目的。
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公开(公告)号：CN103048715A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310002458.6
申请日：2013-01-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种平面亚波长非周期高对比度光栅，包括高折射率材料器件层，所述高折射率材料器件层的上表面为长方形，且所述高折射率材料器件层上分布有平行于长方形短边的光栅，所述光栅的相位分布满足方程φ(y)=k0(y2/2fy)。本发明所设计的平面亚波长非周期高对比度光栅不需要改变光栅的设计结构，就可以使光栅获得相应的聚焦能力。
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公开(公告)号：CN119208433B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411710069.3
申请日：2024-11-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10F55/255 , H10F71/00 , H10F77/40
Abstract: 本发明公开了集成导模谐振光栅的GaN基光电折射率传感器及其制备方法，涉及半导体光电传感器技术领域。本发明包括衬底层，所述衬底层的上方形成有二氧化硅键合层，所述二氧化硅层上部分别形成LED结构和光探测器结构，两者之间设有电隔离区域。本发明采用电感耦合等离子刻蚀技术去除了氮化镓缓冲层和未掺杂氮化镓层，并进一步刻蚀减薄n型氮化镓层，最后刻蚀形成光栅结构，减薄工艺和光栅的集成优化了光传播路径，提高了光提取效率，增强了光与待检测介质之间的耦合作用，从而提升了传感器的灵敏度，并且本发明实现了光发射和光探测功能单片集成，结合驱动电路与信号处理电路可实现系统级的传感器芯片，提高了系统的集成度。
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公开(公告)号：CN118352425B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410773714.X
申请日：2024-06-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法，本发明属于第三代半导体紫外光电探测器技术领域。本发明的探测器包括硅衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层以及p型氮化镓层；n型氧化镓层和p型金属电极层设置于p型氮化镓层的上端、n型金属电极层设置于n型氧化镓层上端；探测器正反面均为沟槽，使得p型氮化镓层正反面均裸漏；对比常规光电探测器，本发明采用硅基氧化镓异质结探测器展现了其在无驱动下的深紫外、近紫外波段卓越工作潜力，本发明磁控溅射法具有制备工艺稳定、易于集成等特点，此外设计后的顶层异质结构及背后衬底去除有效降低了界面暗电流大小，提高了器件的探测面积、响应速度、光电性能。
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