公开(公告)号：CN119208433B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411710069.3

申请日：2024-11-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 高绪敏 ,  余雪慧 ,  施政

IPC: H10F55/255 ,  H10F71/00 ,  H10F77/40

Abstract: 本发明公开了集成导模谐振光栅的GaN基光电折射率传感器及其制备方法，涉及半导体光电传感器技术领域。本发明包括衬底层，所述衬底层的上方形成有二氧化硅键合层，所述二氧化硅层上部分别形成LED结构和光探测器结构，两者之间设有电隔离区域。本发明采用电感耦合等离子刻蚀技术去除了氮化镓缓冲层和未掺杂氮化镓层，并进一步刻蚀减薄n型氮化镓层，最后刻蚀形成光栅结构，减薄工艺和光栅的集成优化了光传播路径，提高了光提取效率，增强了光与待检测介质之间的耦合作用，从而提升了传感器的灵敏度，并且本发明实现了光发射和光探测功能单片集成，结合驱动电路与信号处理电路可实现系统级的传感器芯片，提高了系统的集成度。

公开(公告)号：CN119208433A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411710069.3

申请日：2024-11-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 高绪敏 ,  余雪慧 ,  施政

IPC: H01L31/173 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0232

Abstract: 本发明公开了集成导模谐振光栅的GaN基光电折射率传感器及其制备方法，涉及半导体光电传感器技术领域。本发明包括衬底层，所述衬底层的上方形成有二氧化硅键合层，所述二氧化硅层上部分别形成LED结构和光探测器结构，两者之间设有电隔离区域。本发明采用电感耦合等离子刻蚀技术去除了氮化镓缓冲层和未掺杂氮化镓层，并进一步刻蚀减薄n型氮化镓层，最后刻蚀形成光栅结构，减薄工艺和光栅的集成优化了光传播路径，提高了光提取效率，增强了光与待检测介质之间的耦合作用，从而提升了传感器的灵敏度，并且本发明实现了光发射和光探测功能单片集成，结合驱动电路与信号处理电路可实现系统级的传感器芯片，提高了系统的集成度。