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公开(公告)号：CN103740327A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310671979.0
申请日：2013-12-10
Applicant: 南京理工大学
IPC: C09K3/00
Abstract: 本发明公开了一种分子铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法。所述的薄膜为晶体薄膜，具备铁电性，其组成物质为有机-无机化合物分子铁电体。将分子铁电体溶液与清洁的基片相接触，并均匀地在基片上铺展且蒸发以获得均匀的薄膜，并将制得的均匀薄膜与质量浓度不小于其饱和时90%的该分子铁电体溶液相接触一定时间。本发明的意义在于，采用溶液浸泡生长法制备的分子铁电薄膜具备良好的铁电性，可以利用外加电场反转薄膜任意特定区域的极化方向，实现基于铁电效应的数据存储。本发明在铁电存储器领域具备潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN103325410A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245548.8
申请日：2013-06-19
Applicant: 南京理工大学
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明公开了一种光读取铁电存储器存储状态的方法。包括以下步骤：根据铁电存储单元材料的禁带宽度来选取相应的光源波长；采用上述光源在5-500µW/cm2光功率密度下读取电流，确定电流方向；极化方向与所读取的电流方向相反，从而确定其极化状态。该方法通过识别波长为200-950nm的光照射铁电存储单元所产生的电流的方向，来读出铁电极化方向，是非电压式非破坏性读出，可用于制造读写速度更快、体积更小、能耗更低、可靠性更强的新型非挥发铁电存储器，尤其适用于制造要求进行非常频繁的读出操作的存储器。
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公开(公告)号：CN102051589B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010559109.0
申请日：2010-11-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法，其工艺如下：根据应用需要选择合适的衬底和靶材，在衬底上生长碳化硅薄膜；将衬底及靶材的表面清洗干净送入真空生长腔，使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空；对衬底使用加热器加热；在衬底加热的同时辅助添加外部光源，并使外部光源直接照射衬底；使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜，沉积过程通过控制沉积频率控制生长的碳化硅晶型；对衬底进行退火，退火时可用气氛保护。本发明极大地降低碳化硅薄膜的生长温度，制备出包括非晶碳化硅薄膜或者3C-SiC、2H-SiC、4H-SiC和15R-SiC结构的择优取向的晶体薄膜，在半导体器件制造时可以应用在光电子、微电子领域。
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公开(公告)号：CN102634758A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210127760.X
申请日：2012-04-26
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及高透射率的钒基多层超晶格薄膜及其制备方法，属于薄膜材料领域。所述的超晶格薄膜是在基片上交替沉积VO2薄膜上和金属氧化物薄膜。本发明与现有技术相比，其显著优点为：（1）操作简单，工艺时间短，便于控制，适宜于工业化生产；（2）生长的薄膜厚度能精确控制；（3）生长的薄膜表面平整，分布均匀；（4）生长的薄膜透射率高，能更好的应用于智能窗、光储存、光电开光等领域。
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公开(公告)号：CN113540354B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010285495.2
申请日：2020-04-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种张应变可逆动态调控的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜及其制备方法，通过对厚度为2nm~220nm的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜，0.6≤x≤1，对其表面施加0.5%~17%的拉伸应变量，诱导MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜由高对称结构非铁电相向低对称结构铁电相转变，进而制备出具有强铁电性的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜。本发明方法可通过简单的步骤获得具有强铁电性能的MAxFA1‑xPbI3单晶薄膜，对于进一步提高钙钛矿太阳能电池等光伏器件的光电转换效率具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116133508A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202111339292.8
申请日：2021-11-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性弹性氧化物铁电薄膜传感器。该传感器具有褶皱结构，包括依次连接的金箔、绝缘薄膜、平行下电极、氧化物铁电薄膜、平行上电极。本发明的传感器，氧化物铁电薄膜是传感器的功能层，“下电极/铁电薄膜/上电极”是传感器基本单元，平行下电极与平行上电极相互垂直，形成由若干单元构成的传感器，传感器的厚度为0.5μm至10μm，含有规则排列的褶皱结构，因此传感器柔韧性好，具有弹性和延展性，可以转移到人体和动物皮肤、植物表皮、人造有机物或无机物表面，并感知上述物体应变和温度变化。
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公开(公告)号：CN113584588B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010366740.2
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光‑力协同催化的单晶纳米片材料及其制备方法，该材料组分为(1‑x)BiScO3‑xPbTiO3‑yBiFeO3‑zBiMnO3，其中0.61≤x≤0.65，0≤y≤0.03，0≤z≤0.03，通过特殊的水热法获得，所获得的单晶纳米片表面为(001)c伪立方晶面，且自发的宏观铁电极化方向垂直于(001)c晶面。通过该方法制备的单晶纳米片具有优异的光‑力协同催化性能，厚度可达12.2纳米，长度与厚度之比为92.6，该单晶纳米片在光‑力协同催化作用(光照和超声振动同时进行)60分钟后，降解罗丹明B的Kobs值可达86.55×10‑3 min‑1，是单独光照的2.5倍，超声振动的2.3倍。水分解产氢速率可达4954μmol·h‑1·g‑1，是单独光照的2.0倍，超声振动的1.7倍。
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公开(公告)号：CN106565235B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201610904233.3
申请日：2016-10-18
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/475 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种复合高温压电陶瓷材料，复合高温压电陶瓷材料包括两相陶瓷，一相为CaBi4Ti4O15陶瓷，另一相为BiFeO3陶瓷，其通式为CaBi4Ti4O15‑xBiFeO3，其中，x为0.2~0.4。本发明还公开了复合高温压电陶瓷材料制备方法。本发明的复合压电陶瓷材料其压电常数、电阻率都大于单相CaBi4Ti4O15压电陶瓷材料，这就使得复合压电陶瓷材料比单相CaBi4Ti4O15压电陶瓷材料更适合用于制备高温条件下工作的压电传感器件以及压电驱动器。且其制备方法具有工艺稳定，操作简单，无需特殊设备和苛刻条件，易于规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN113638051A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010341325.1
申请日：2020-04-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种通过拉伸应变诱导得到CsPbBr3铁电单晶薄膜的方法，通过对厚度为2 nm~100 nm的任意晶面的CsPbBr3单晶薄膜表面的一个晶向施加1.1%~9.8%的拉伸应变或者对(100)c、(010)c或(001)c三种伪立方晶面的CsPbBr3单晶薄膜表面的两个相互垂直的晶向同时施加等量的0.68%~6.24%的拉伸应变，诱导CsPbBr3单晶薄膜由高对称结构顺电相向低对称结构铁电相转变，进而得到具有铁电性能的CsPbBr3单晶薄膜。本发明避免了使用元素掺杂等复杂手段，通过简单机械拉伸方法即可直接在室温下获得具有铁电性能的CsPbBr3单晶薄膜，进而有效调控CsPbBr3的光电转换效率，能够进一步提高CsPbBr3基器件的发光等性能。
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公开(公告)号：CN113594357A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010368441.2
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种ABO3型柔性可拉伸单晶薄膜及其制备方法，通过对柔性衬底进行相互垂直的两个方向的预拉伸，将无机衬底上生长的ABO3型单晶薄膜转移到柔性衬底上并形成人字形的褶皱结构，获得具有柔性并且可以双向拉伸的ABO3型单晶薄膜。本发明可以通过简单的步骤获得性能优良的柔性可拉伸ABO3型单晶薄膜，可以应用于日益发展的可穿戴设备。
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