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公开(公告)号：CN108258909A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711407832.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 张彦忠 , 马征 , 黄伯宁 , 格罗弗·维克多·托瑞克·巴斯科佩 , 傅电波
IPC: H02M3/335
Abstract: 本申请公开了一种谐振变换电路及其控制方法，该谐振变换电路在谐振单元前设置多电平逆变电路，该多电平逆变电路能够将输入至谐振单元的电压降低。谐振单元的输入电压降低，必然导致整个谐振变换电路的输出电压降低。此过程是通过调整谐振单元的输入电压来调整最终的输出电压，无需大幅度调整谐振变换电路的开关频率。因此，当输出电压较小时，该谐振变换电路仍能工作在谐振频率附近，从而降低了低压输出时的半导体开关损耗，提高了谐振变换电路在低压输出时的转换频率和带载能力。
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公开(公告)号：CN103633858B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310589808.3
申请日：2013-11-20
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发电机组、发电系统和发电过程中的整流方法，涉及电力电子技术领域，降低了标准整流器因输入电流不够平稳而造成损坏的几率。该发电机组，包括：三相发电机，用于产生并输出三相交流电；移相变压器，其输入端连接于所述三相发电机的输出端，所述移相变压器用于将三相交流电转换为n相交流电，其中n为大于3的整数；2n管桥式整流器，其输入端连接于所述移相变压器的输出端，所述2n管桥式整流器用于将所述n相交流电转换为叠加2n脉波交流成分的直流电；标准整流器，其输入端连接于所述2n管桥式整流器的输出端，所述标准整流器用于将所述叠加2n脉波交流成分的直流电转换为标准直流电。
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公开(公告)号：CN102545582A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210028511.5
申请日：2012-02-09
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H02M1/42
CPC classification number: H02M1/4208 , H02M1/14 , H02M1/4225 , H02M7/04 , H02M2003/1586 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 本发明实施例提供了一种无桥功率因数校正PFC电路，包括交流电源模块、功率模块和控制模块，其中交流电源模块与功率模块连接以便为功率模块提供电能，功率模块包括一路或多路交错PFC电路，其中每路交错PFC电路包括一个电感、一对第一开关元件和至少一个电容，其中电感的第一端与交流电源模块连接，电感的第二端分别通过一对第一开关元件连接到每个电容的两端，控制模块采样功率模块中的每个第一开关元件的电流，并关断其中流经负电流的第一开关元件。本发明实施例采用三角形电流模式TCM控制方法，从而让所有第一开关元件工作在软开关状态，最大程度的减小了损耗，提高了整机的效率。
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公开(公告)号：CN113644123B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110721082.9
申请日：2021-06-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及相关芯片、制备方法，包括：N型漂移层以及与N型漂移层相邻的N型场截止层。其中，N型场截止层自由电子的浓度高于N型漂移层自由电子的浓度。N型场截止层包括第一杂质粒子和与第一杂质粒子相互掺杂的第二杂质粒子，第二杂质粒子的半径大于第一杂质粒子的半径。在N型场截止层中，邻近N型漂移层的区域的第一杂质粒子的注入浓度高于其他任意区域的第一杂质粒子的注入浓度。上述结构，可以有效改善在大电感负载电路中，半导体器件在关断过程中产生过高尖峰电压的情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113366748B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201980091012.0
申请日：2019-04-25
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H02M3/155
Abstract: 本申请实施例公开了一种供电电路和供电控制方法，涉及电路技术领域，解决了现有技术电源占板面积较大的问题。具体方案为：供电电路包括一个或多个第一级电压转换电路和一个或多个第二级电压转换电路；第一级电压转换电路的输入端被耦合至电源；第一级电压转换电路用于将输入端接收到的第一电压转换为第二电压，第二电压小于第一电压，第二电压大于或等于0.6V，且小于或等于1.3V；第二级电压转换电路的输入端被耦合至第一级电压转换电路的输出端，第二级电压转换电路用于将第二电压转换为第三电压，并将第三电压提供给负载，第三电压小于第二电压；第二级电压转换电路的开关频率大于或等于30Mhz。
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公开(公告)号：CN116097451A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202080103920.X
申请日：2020-08-19
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种驱动式金属氧化物半导体场效应晶体管DrMOS(60)、集成电路(101)、电子设备及制备方法，该DrMOS(60)，主要包括第一裸片(61)和第二裸片(62)。其中，第一裸片(61)包括驱动电路(3)和第一开关管(1)，且驱动电路(3)与第一开关管(1)的栅极(G1)连接。第二裸片(62)包括第二开关管(2)，驱动电路(3)通过第一导体与第二开关管(2)的栅极(G2)连接。驱动电路(3)和第一开关管(1)制备在同一个裸片(61)中，有利于降低DrMOS(60)的面积、损耗和成本。第一开关管(1)和第二开关管(2)分别制备于不同的裸片(61,62)中，有利于降低第一开关管(1)和第二开关管(2)的选型限制。
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公开(公告)号：CN114586171A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080022689.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 本申请实施例提供一种功率器件的终端结构，包括衬底和设于衬底第一表面的多个场限环，衬底包括漂移层和掺杂层，掺杂层从衬底的第一表面向内扩散形成，掺杂层和漂移层为第一导电类型，且掺杂层的杂质浓度大于漂移层的杂质浓度，场限环为第二导电类型。采用本申请所提供的终端结构，通过掺杂层的设计，实现对场限环中杂质的横向扩散限制，一方面减小终端结构的设计尺寸，降低芯片成本；另一方面降低外部电荷对终端结构的影响，提升功率器件的可靠性。同时本申请还提供一种功率器件的终端结构的制作方法和一种功率器件。
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公开(公告)号：CN113644123A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110721082.9
申请日：2021-06-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及相关芯片、制备方法，包括：N型漂移层以及与N型漂移层相邻的N型场截止层。其中，N型场截止层自由电子的浓度高于N型漂移层自由电子的浓度。N型场截止层包括第一杂质粒子和与第一杂质粒子相互掺杂的第二杂质粒子，第二杂质粒子的半径大于第一杂质粒子的半径。在N型场截止层中，邻近N型漂移层的区域的第一杂质粒子的注入浓度高于其他任意区域的第一杂质粒子的注入浓度。上述结构，可以有效改善在大电感负载电路中，半导体器件在关断过程中产生过高尖峰电压的情况。
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公开(公告)号：CN108649099B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810397532.1
申请日：2018-04-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明实施例公开了基于光伏组件的退化现象处理方法以及相关设备，其中所述方法包括：在所述光伏组件出现退化现象的情况下，向所述光伏组件施加高频信号，以保护所述光伏组件，抑制或清除所述退化现象；其中，所述退化现象为在电势的影响下所述光伏组件的发电效率出现退化的现象。采用本发明实施例，能够解决现有技术中当光伏组件出现表面极化现象和/或PID现象时，会导致光伏组件的电能转换能力降低、发电效率降低等问题。
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