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公开(公告)号：CN119060727A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311835482.8
申请日：2023-12-28
Abstract: 本申请公开了一种光催化合成硫化铅量子点的方法及应用，属于硫化铅量子点制备技术领域。该方法将光照引入硫化铅量子点合成的关键步骤中，减少了硫化铅量子点形成团簇结果所需要的能量，避免了反应体系温度过高或过低产生的不利影响，加快了硫化铅量子点的生长，大幅度减少了硫化铅量子点成核时间，获得了粒径均匀、表面钝化良好的单分散硫化铅量子点材料，所制备的硫化铅量子点材料的光子吸收光谱峰谷比高，体现出优异的光学性能。通过该方法制备的硫化铅量子点材料可用于制备光电探测器、太阳能吸收器、光学开关等光学器件，具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114291841B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202111304639.5
申请日：2021-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G21/21 , C03C17/22 , C04B41/85 , H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种金属元素掺杂硫化铅材料及其制备方法和在金属元素掺杂硫化铅薄膜中的应用。所述金属元素掺杂硫化铅材料的化学通式为MxPb1‑xS，其中M选自ⅤA族金属元素中的至少一种；0.0001≤x≤0.01。本申请包括利用化学水浴沉积法制备硫化铅材料的薄膜，利用后处理方法将ⅤA族金属元素掺杂入制备好的硫化铅材料的薄膜中，其掺杂浓度可控、制备流程可控、制备方法简单。制备好的薄膜具有优良的均匀性及光敏特性，可用于制备近红外光电探测器。
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公开(公告)号：CN112290924A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011160795.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/30
Abstract: 本发明公开了一种红外探测器的像素电路及驱动方法，属于红外探测器电路设计领域。该像素电路包括：积分控制电路，信号传输电路，复位电路，选通读出电路和积分电容。本发明所提供的红外探测器的像素电路及驱动方法，能够在同一帧的较短时间间隔内分时读出复位电压和信号电压，同一帧内较短时间间隔内的两次采样所包含的热噪声信号也基本相同，所以通过后续电路对两次采样电压作差，理论上能够完全消除像素电路的热噪声。
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公开(公告)号：CN108649128A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810388893.X
申请日：2018-04-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种单组分电致白光器件及其制备方法，该器件是以单组分的钙钛矿材料作为发光活性层，通过传输层电注入载流子，在活性层产生受限激子态的发光，其电致发光光谱可覆盖整个可见光区域。本发明通过引入一种新的机理进入电致白光领域，与现有技术相比制备工艺简单，仅需一个发光层即可实现宽光谱白光，并能够有效解决现有电致白光光谱不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN107287656A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710442213.3
申请日：2017-06-13
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C30B29/12 , C09K11/72 , C09K11/7492 , C30B19/00
Abstract: 本发明公开了一种III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，包括以下步骤：(1)将III-V族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将PbX2与MAX均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长晶体，从而在III-V族量子点上外延诱导生长得到MAPbX3钙钛矿晶体。本发明通过对关键III-V族量子点异质外延生长界面配体的种类和结构等进行改进，能够有效解决III-V族量子点无法与Pb、X卤族元素相键合的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119894332A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510028748.0
申请日：2025-01-08
Applicant: 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点探测器及其制备方法，包括以下步骤：在底电极层上使用溶胶‑凝胶法制备NiO薄膜；并在NiO表面涂覆EDT溶液，形成EDT薄膜；将(S)‑(‑)‑1‑(2‑萘基)乙基溴化铅铵(S(1‑2)NPB)溶解于第一溶液中，然后加入至PbS溶液中，形成第一混合溶液；将第一混合溶液旋涂在EDT薄膜上，形成初始薄膜；使用IBr溶液对初始薄膜进行配体交换，形成PbS薄膜；在PbS量子点薄膜上真空蒸C60作为电子传输层；使用旋涂法在电子传输层上沉积SnO2纳米颗粒，形成强n型层；使用热蒸发法在强n型层沉积Au电极，形成顶电极层。本发明实施例所述的PbS量子点探测器能显著降低暗电流，提高器件的光电响应性能和信噪比。
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公开(公告)号：CN119060013A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411173251.X
申请日：2024-08-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: C07D333/20 , C09K11/06
Abstract: 本发明属于新材料技术领域，更具体地，涉及一种烷氧基三苯胺共轭修饰的二噻吩基乙烯衍生物及其应用。该二噻吩基乙烯衍生物具有如式(一)所示的结构单元：#imgabs0#其中R1O、R2O各自独立地为C1‑C4的烷氧基，Ar为C6‑C14的芳基。本发明设计的烷氧基三苯胺修饰的二噻吩基乙烯分子开关，其吸收波长红移至可见光区域，以致可由可见光驱动闭环反应，同时开环反应本身就由长波可见光驱动，实现了二噻吩基乙烯分子开关的全可见光调控，且具有强烈、高效的可见光响应性和不凡的光异构化转化率。
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公开(公告)号：CN114774859A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210302597.X
申请日：2022-03-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C14/24 , C23C14/14 , C23C14/58 , H01L31/032 , H01L31/102
Abstract: 本申请公开了一种基底诱导改善硫化铅薄膜取向结晶性方法和硫化铅薄膜及其应用，所述方法包括：(1)通过热蒸发法将铅单质沉积在基片上，获得负载金属铅薄膜的基底；(2)将步骤(1)获得的负载金属铅薄膜的基底置于含有铅源的溶液A中，加入含有硫源的溶液B，混合、反应，获得所述硫化铅薄膜。所述制备方法是一种基底诱导改善薄膜取向结晶性的方法。所述基底诱导是指在已有基底上利用热蒸发法蒸镀一层金属铅。本申请包括利用热蒸发法在基底上蒸镀金属铅，利用得到的铅基底改善硫化铅薄膜取向结晶性，此方法成本低廉、流程可控、制备方法简单、工艺流程可重复性高。利用此方法得到的硫化铅薄膜具有平整、孔洞少、取向单一、结晶性好等优点。
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公开(公告)号：CN114291841A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111304639.5
申请日：2021-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G21/21 , C03C17/22 , C04B41/85 , H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种金属元素掺杂硫化铅材料及其制备方法和在金属元素掺杂硫化铅薄膜中的应用。所述金属元素掺杂硫化铅材料的化学通式为MxPb1‑xS，其中M选自ⅤA族金属元素中的至少一种；0.0001≤x≤0.01。本申请包括利用化学水浴沉积法制备硫化铅材料的薄膜，利用后处理方法将ⅤA族金属元素掺杂入制备好的硫化铅材料的薄膜中，其掺杂浓度可控、制备流程可控、制备方法简单。制备好的薄膜具有优良的均匀性及光敏特性，可用于制备近红外光电探测器。
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公开(公告)号：CN113890110A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111066474.2
申请日：2021-09-13
Applicant: 华中科技大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于能源路由器的交直流混合能源系统及其运行优化方法，属于电力系统优化运行领域，包括：N个能源路由器，能源路由器之间通过电气联络线互联；多个能源子网，其中配电网馈线通过电气联络线连接至能源路由器的端口；配电网包括交流配电网和直流配电网；以及调度中心，用于确定调度计划，并发送至各能量管理系统，以对能源路由器和能源子网中的可控调节设备进行联合调度，使交直流混合能源系统的运行成本和节点电压偏差最小；调度计划包括可控调节设备中连续调节设备的功率和离散调节设备的动作指令，以及各能源路由器的端口功率。本发明使能源路由器和能源子网中的可控调节设备协调运行，以降低系统综合成本，并提升电能质量。
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