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公开(公告)号:CN102560378A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201010614274.1
申请日:2010-12-21
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种提高连续制备YBCO带材临界电流的方法,包括:(1)在连续制备YBCO超导层的设备的真空腔体中,将金属基带固定在引带上;(2)以YBCO为靶材,靶基距为40~60mm;(3)在抽真空前调整激光光路;(4)真空腔体内的真空度优于3×10-4Pa,将金属基带加热750~770℃;并控制纯氧气氛为20-30Pa;(5)先以激光频率为10~20Hz,走带速率为0.1~0.4mm/s,沉积第一层YBCO薄膜,再沉积多层YBCO薄膜,每沉积下一层YBCO薄膜都分别将沉积上一层YBCO薄膜时的金属基带的温度提高10-20℃,再以激光频率为10~40Hz,走带速率为0.1~0.2mm/s沉积下一层YBCO薄膜;(6)进行原位退火,即制成YBCO超导层。本发明采用分层沉积,并在每层间适当提高温度,解决YBCO层随厚度的增加立方织构变差的问题,有效地提高了超导电性能。
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公开(公告)号:CN100557073C
公开(公告)日:2009-11-04
申请号:CN200610089047.5
申请日:2006-07-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种生长立方织构钇稳定二氧化锆膜层的方法,包括:(1)将具有立方织构的金属衬底,或带有立方织构氧化物隔离层的金属衬底,或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理;(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中,抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa。将衬底加热至600-850℃,再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa。以Zr-Y金属为溅射靶材,采用直流磁控溅射沉积方法,开始预溅射;(3)预溅射20分钟后,通入水气,使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-3.5×10-2Pa,并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa,开始正式溅射沉积,沉积完后,即得钇稳定二氧化锆膜。所制得的钇稳定二氧化锆隔离层具有单一立方织构,以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号:CN100497727C
公开(公告)日:2009-06-10
申请号:CN200510093034.0
申请日:2005-08-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种多功能真空连续镀膜装置,由真空镀膜室、泵抽及真空测量系统、气路及控制系统和控制各单元装置电源开关的电控系统组成,所述的气路及控制系统的各气路接入真空镀膜室,所述真空镀膜室内布控有电子枪、热蒸发电极和磁控溅射靶,还配有基带卷绕系统,该基带卷绕系统由分置在真空镀膜室两侧的放带室、收带室构成。它还配有机架台,真空镀膜室及基带卷绕系统固定在其上,泵抽系统安置在其内;机架台两侧有用于活性固定放带、收带室的小支架台。真空室内装有样品、电子枪、热蒸发舟和磁控溅射靶挡板。在电子枪与热蒸发舟之间、热蒸发舟与热蒸发舟之间均设有挡板。
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公开(公告)号:CN101295560A
公开(公告)日:2008-10-29
申请号:CN200710098620.3
申请日:2007-04-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体,是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜、超导层YBCO。一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体的制备方法,包括:(1)将金属基带清洁处理;(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上;(3)以Y金属为溅射靶材,预溅射;(4)使金属基带经过沉积区,溅射沉积氧化钇;(5)以Zr-Y金属为溅射靶材,预溅射;(6)使金属基带经过沉积区,溅射沉积钇稳定二氧化锆;(7)以金属Ce为溅射靶材,预溅射;(8)使金属基带经过沉积区,溅射沉积二氧化铈;(9)磁控溅射沉积YBCO涂层;(10)得到金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构,并在其上外延生长YBCO涂层。本发明的每层膜的生长均采用磁控溅射方法,降低成本。
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公开(公告)号:CN101135043A
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN200610112661.9
申请日:2006-08-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种批量化制备双面高温超导薄膜装置,其特点是:将多个基片均匀排布在圆盘形的样品台上,由主转动轴带动旋转,在加热真空腔体内旋转加热,对靶一次性溅射制备大面积双面高温超导薄膜。在加热真空腔体上下两面对称开有溅射口,上下溅射靶对称排布。真空室上下两面还对称放置金属电极靶材。加热腔体与辅转动轴连接,可以旋转溅射口的位置至金属靶材溅射位置,从而实现原位镀覆电极薄膜。主转动轴由无极变速电极带动,可控制旋转速率;加热腔体外壁及溅射靶体周围留有进气口,保证溅射区域及退火时腔体内气压均匀。利用本装置一次性可批量制备16片φ2英寸、12片φ3英寸的高性能双面高温超导薄膜,并可根据实际需要增大样品尺寸和增加样品数目。
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公开(公告)号:CN100365839C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200310121357.7
申请日:2003-12-15
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L39/24
Abstract: 一种多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法。隔离层结构包括种子层,阻挡层和帽子层。它主要为在立方织构金属镍表面,通过氧化外延生长立方织构氧化镍种子层,再在其上生长钇稳定二氧化锆(YSZ)阻挡层和二氧化铈CeO2帽子层。这种双轴取向隔离层结构用于高温超导涂层导体,可使YBCO涂层沿双轴取向生长,具有良好的超导电性,获得超导临界电流密度Jc>4×105A/cm2。该方法包括:将具有高度立方织构的金属镍片进行清洁处理;在高温炉中恒温、氧化;采用真空沉积方法进行二氧化锆生长、CeO2生长、YBCO生长;进行YBCO退火而制成。该方法成本低,适宜大规模长带生产,制备手段易连续化。
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公开(公告)号:CN1309661C
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200310101681.2
申请日:2003-10-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法。它主要为采用一种简单的操作手段,在立方织构金属镍表面,通过氧化外延生长立方织构氧化镍隔离层。其方法是将具有高度立方织构金属镍片经清洁处理,将其置于1100-1250℃高温炉中,空气环境氧化3-30分钟。在立方织构金属镍表面获得具有高度立方织构的氧化镍层。它主要用于高温超导涂层导体隔离层。
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公开(公告)号:CN1766177A
公开(公告)日:2006-05-03
申请号:CN200410083618.5
申请日:2004-10-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C25F3/22
Abstract: 一种涂层超导体镍基带的电化学抛光工艺方法。该方法可以减小涂层超导体镍基带表面的粗糙度。该方法包括:(1)以磷酸与丙三醇的体积比为95-105∶0.1-0.5,配制电化学抛光液,其中,磷酸的浓度为85%;(2)以步骤(1)配制的电化学抛光液作为电解液,以涂层超导体镍基带作为阳极材料,不锈钢作为阴极材料,浸没在电化学抛光液中,接通电源,在5~10V电压,0.3~1A电流中进行抛光,时间控制在10~60分钟;(3)抛光后,将涂层超导体镍基片清洗、吹干。该工艺处理后的镍基带表面粗糙度大约为十几纳米,能够满足涂层超导体制备的要求。
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公开(公告)号:CN204925170U
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201520642341.9
申请日:2015-08-24
Applicant: 北京有色金属研究总院
Inventor: 杨坚
Abstract: 本实用新型提供一种用于涂层导体超导临界电流测量的样品承载装置,其特征在于,它包括有:两个绝缘板,该两个绝缘板上下相邻设置,该两个绝缘板可相对移动,下该绝缘板表面平整;引线接头,该引线接头分设有两根电流引线与两根电压引线,该两根电流引线与两根电压引线分别穿过上该绝缘板;调节装置,该调节装置和上绝缘板和下绝缘板连接,通过该调节装置,使该两个该绝缘板可相对移动,使该两根电流引线和该两根电压引线移可分离地与放置在下该绝缘板上的该被测基底接触。
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公开(公告)号:CN201569494U
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN200920277968.3
申请日:2009-12-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本实用新型公开了一种多维精控红外测温装置,包括红外测温装置、用于与所测设备连接的底座结合装置,该底座结合装置至少带有一腔体底座连接板;支撑棒底板,该支撑棒底板上具有直立的支撑棒;夹持器,具有能套设在支撑棒上且可控夹紧度的单元结构;所述的红外测温装置通过一具有仰角的连接架固定在一主工作台上,该主工作台由下至上依次安装纵向精密平移台、横向精密平移台和精密角度位移台;主工作台坐落在一支撑连接装置的底板尾端,该连接装置与夹持器固定连接。其方便与被测设备的连接固定,且能从正面工作位90°旋转到侧面空位隐蔽位,同时能进行横向、纵向、前后角度的精确调控;结构牢固稳定、操作快捷方便。
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