-
公开(公告)号：CN102031491A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910093915.0
申请日：2009-09-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种连续的脉冲激光镀膜装置，由真空镀膜室、泵抽及真空测量系统、气路及电控系统组成，所述气路系统的各气路接入真空镀膜室，真空镀膜室内布控有若干脉冲激光镀膜用靶材装置，靶材装置上有可实现公转及自转的靶材，配置一基带卷绕系统，该基带卷绕系统包括有分置在真空镀膜室两侧的放带室及收带室，放带室及收带室与真空镀膜室通过管道相通，放带室及收带室间的走带穿越该管道及真空镀膜室，在真空镀膜室的一侧管道中布有磁控溅射靶。它可在不破坏真空的条件下，在腔体内辅助配有磁控溅射镀膜功能，从而可实现对样品单一或多种、间断或连续的镀膜，尤其对同一个样品可连续完成脉冲激光沉积和磁控溅射镀膜过程中的一个或多个镀膜过程。
-
公开(公告)号：CN101295560B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200710098620.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜、超导层YBCO。一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr-Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈；(9)磁控溅射沉积YBCO涂层；(10)得到金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，并在其上外延生长YBCO涂层。本发明的每层膜的生长均采用磁控溅射方法，降低成本。
-
公开(公告)号：CN108147793A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611101265.6
申请日：2016-12-02
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: C04B35/10 , C04B35/46 , C04B35/48 , C04B35/62218 , C04B38/00 , C04B41/009 , C04B41/5027 , C04B41/5042 , C04B41/87 , C04B2235/3246 , C23C24/082 , C04B35/14
Abstract: 本发明公开了一种梯度多孔陶瓷膜的制备方法，包括以下步骤：(1)配制粒径连续变化的陶瓷粉体的悬浮液浆料；(2)将待处理多孔基体置于浆料底部，利用不同粒径粉体沉降速率不同在基体表面获得梯度膜层；(3)对梯度膜层进行热处理和烧结，最后获得梯度多孔陶瓷膜。本方法制备的多孔陶瓷梯度膜具有连续的孔径分布梯度，最大程度地减少烧结过程中不同部位收缩率不同引起的薄膜开裂等缺陷，同时过渡减孔层及微滤活性分离层一次成膜，工艺简单。
-
公开(公告)号：CN102560378A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010614274.1
申请日：2010-12-21
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种提高连续制备YBCO带材临界电流的方法，包括：(1)在连续制备YBCO超导层的设备的真空腔体中，将金属基带固定在引带上；(2)以YBCO为靶材，靶基距为40～60mm；(3)在抽真空前调整激光光路；(4)真空腔体内的真空度优于3×10-4Pa，将金属基带加热750～770℃；并控制纯氧气氛为20-30Pa；(5)先以激光频率为10～20Hz，走带速率为0.1～0.4mm/s，沉积第一层YBCO薄膜，再沉积多层YBCO薄膜，每沉积下一层YBCO薄膜都分别将沉积上一层YBCO薄膜时的金属基带的温度提高10-20℃，再以激光频率为10～40Hz，走带速率为0.1～0.2mm/s沉积下一层YBCO薄膜；(6)进行原位退火，即制成YBCO超导层。本发明采用分层沉积，并在每层间适当提高温度，解决YBCO层随厚度的增加立方织构变差的问题，有效地提高了超导电性能。
-
公开(公告)号：CN101295560A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200710098620.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜、超导层YBCO。一种金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr－Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈；(9)磁控溅射沉积YBCO涂层；(10)得到金属基带上生长的多层隔离层和YBCO涂层导体。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，并在其上外延生长YBCO涂层。本发明的每层膜的生长均采用磁控溅射方法，降低成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202390239U
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201120526787.7
申请日：2011-12-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本实用新型公开了一种曝气可调式三维电极反应器，包括有：一带有进气口的反应池，用于盛置目标溶液；反应池中置有与直流电源相接的一对阳极和阴极；在一对阳极和阴极的下方依序置有固定的细孔布气板和粗孔布气板；在所述的细孔布气板和粗孔布气板之间夹置一带有孔的布气隔布。其是通过添加布气装置、引入钛基氧化物形稳阳极（DSA）和涂层活性炭作为混合粒子电极对现有的三维电极反应器进行的改进，电解效率高；运行稳定，不会出现结块短路现象。
-
公开(公告)号：CN2813638Y
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200520114360.0
申请日：2005-07-26
Applicant: 北京有色金属研究总院 , 北京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多元素溅射靶材结构，是在金属锆的板材上，均匀地拼接多条条形的金属钇，其中，金属锆的板材可以为圆形，条形金属钇可以为扇条形，且多条扇条形的金属钇的大端位于金属锆的板材的边缘，小端朝向金属锆的板材的中心，多条扇条形的金属钇的中心线通过金属锆的板材的中心，并且围绕着该中心多条扇条形的金属钇均匀分布着。本实用新型的优点是，钇的加入量在靶面上于均匀分布；钇的加入量及分布不随溅射环的大小而改变；靶材使用范围大，不受磁控靶形状和位置的影响。
-
公开(公告)号：CN206256160U
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201621408431.2
申请日：2016-12-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本实用新型涉及一种可调控空心管靶沉积速率的挡板，其为，固定挡板固定在设备腔下壁上，连杆的下端穿过设备腔上壁与活动挡板连接，且连杆与设备腔上壁之间为转动连接；固定挡板和活动挡板均为半管形结构，通过两者相扣合，能够将空心管靶完全包覆在内部；连杆的上端与转动手柄连接，通过转动手柄控制活动挡板的转动。通过活动挡板的灵活转动和精确定位，可在0～180°内任意选择空心管靶的有效溅射范围，实现薄膜的可控沉积。特别是在多靶溅射系统中，逐层制备多层膜时，挡板能有效降低靶材之间的污染，严格控制各层膜的厚度；保证镀膜质量。在共溅射制备两种组分以上复合膜时，能够方便调节复合膜的各组分比例。
-
公开(公告)号：CN201545909U
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200920246115.3
申请日：2009-09-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种连续的脉冲激光镀膜装置，由真空镀膜室、泵抽及真空测量系统、气路及电控系统组成，所述气路系统的各气路接入真空镀膜室，真空镀膜室内布控有若干脉冲激光镀膜用靶材装置，靶材装置上有可实现公转及自转的靶材，配置一基带卷绕系统，该基带卷绕系统包括有分置在真空镀膜室两侧的放带室及收带室，放带室及收带室与真空镀膜室通过管道相通，放带室及收带室间的走带穿越该管道及真空镀膜室，在真空镀膜室的一侧管道中布有磁控溅射靶。它可在不破坏真空的条件下，在腔体内辅助配有磁控溅射镀膜功能，从而可实现对样品单一或多种、间断或连续的镀膜，尤其对同一个样品可连续完成脉冲激光沉积和磁控溅射镀膜过程中的一个或多个镀膜过程。
-
公开(公告)号：CN2936401Y
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200620119117.2
申请日：2006-08-15
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: B01D47/02
Abstract: 本实用新型公开了一种对真空设备尾气处理的装置，它包括：在泵抽系统的排气口管路上接一三通阀，三通阀的一路直接通向大气的排气口；另一路接尾气处理槽的进气口，尾气处理槽的出气口再接通向大气的排气口；两路之间靠三通阀转换；所述的有害气体尾气处理槽内置有气体处理液，上设有气体处理液加液口，下设排液口。所述的尾气处理槽还设有观液窗。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.038 seconds)
