公开(公告)号：CN112858401B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202110045200.9

申请日：2021-01-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  胡朝旭 ,  何鑫 ,  白昆

IPC: G01N27/20

Abstract: 一种用于异构工件钎焊缺陷检测的热阻测试装置与方法属于电子工程学领域，该方法主要通过电学参数法实现对异构工件的钎焊缺陷进行无损检测，根据四通道钎焊热阻测试仪测试的热阻大小和所提出的钎焊评估算法以区分不同工件钎焊层的钎焊质量。通过对测温探头施加功率，热量流经测试工件内部直至散热平台，经过数据分析软件中的结构函数法将整个瞬态温升曲线转化为不同材料的热阻构成。通过移动测温探头的位置，对待测工件整体完成扫描式热阻测试，对同一工件的所有采样点进行耦合热阻计算，得到不同工件的有效面积比Q值以区分钎焊层钎焊质量的优劣。该方法通过计算机可实现完全程控计算，能够对异构工件的钎焊层质量实现有效表征。

公开(公告)号：CN115078947A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210673247.4

申请日：2022-06-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  白昆 ,  冯志红 ,  李轩 ,  潘世杰

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种用于pnp双极晶体管热阻测量的基极电流电路属于半导体器件热设计和测试领域。本发明电路包括运放芯片、N沟道MOS管、二极管D1和二极管D2。该电路可以通过简单的电路连接，集成于即成的具备负测试电流和正加热电源的热阻测试系统中，使该系统扩展出pnp双极晶体管的热阻测量功能。

公开(公告)号：CN110673009B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201910974943.7

申请日：2019-10-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  白昆 ,  石帮兵 ,  肖宇轩 ,  潘世杰

IPC: G01R31/26 ,  G01N25/20

Abstract: 一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明设计了被测SiC MOS器件栅‑漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源‑漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成。本发明旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。

公开(公告)号：CN112858401A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110045200.9

申请日：2021-01-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  胡朝旭 ,  何鑫 ,  白昆

IPC: G01N27/20

Abstract: 一种用于异构工件钎焊缺陷检测的热阻测试装置与方法属于电子工程学领域，该方法主要通过电学参数法实现对异构工件的钎焊缺陷进行无损检测，根据四通道钎焊热阻测试仪测试的热阻大小和所提出的钎焊评估算法以区分不同工件钎焊层的钎焊质量。通过对测温探头施加功率，热量流经测试工件内部直至散热平台，经过数据分析软件中的结构函数法将整个瞬态温升曲线转化为不同材料的热阻构成。通过移动测温探头的位置，对待测工件整体完成扫描式热阻测试，对同一工件的所有采样点进行耦合热阻计算，得到不同工件的有效面积比Q值以区分钎焊层钎焊质量的优劣。该方法通过计算机可实现完全程控计算，能够对异构工件的钎焊层质量实现有效表征。

公开(公告)号：CN112684255A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011531302.3

申请日：2020-12-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  李天旗 ,  白昆 ,  何鑫

IPC: G01R27/02

Abstract: 一种用于热阻矩阵测量的由FPGA控制的多路智能驱动装置与方法，属于集成电路电子器件热学和电学测量领域。公开了一种可应用于多种被测器件样品情景下的开启速度快，开启时间、大小、正负可控且具有多路选通功能的新型智能驱动开关装置。本发明在FPGA内写入硬件电路控制程序，通过上位机软件进行驱动电压开启时间、大小、方向及多路选通功能的控制。本发明能实现纳秒级高速驱动控制，且电路带有隔离功能，能实现测试电路部分与本发明电气隔离，多路选通的功能实现了多个被测器件的精确驱动。适用于多路选择、高速控制、大电流下、被测样品复杂的热阻测量。

公开(公告)号：CN111289562A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010250313.8

申请日：2020-04-01

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  李轩 ,  郑翔 ,  何鑫 ,  白昆 ,  潘世杰

IPC: G01N25/20 ,  G01N25/18

Abstract: 一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所述热测试探针结构包括：探头芯片及封装结构。其中：探头芯片包括由多个二极管串联及并联组成的温度探头，掺杂多晶硅图形构成的微加热器，引线电极及半导体衬底材料；封装结构包括用于固定探头芯片和引出电极的基板和用于移动探头芯片及施加压力的弹簧支撑结构。本发明设计了一种采用双面工艺的Si基测温探头芯片组成的薄层热阻测试探针结构，采用加热源与测量源分离的结构设计，能够实现加热状态和测量状态同时进行，不存在开关延迟，可以对半导体芯片及薄层材料实现非开关式的热阻测量。

公开(公告)号：CN110673009A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910974943.7

申请日：2019-10-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  白昆 ,  石帮兵 ,  肖宇轩 ,  潘世杰

IPC: G01R31/26 ,  G01N25/20

Abstract: 一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明设计了被测SiC MOS器件栅-漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源-漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成。本发明旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。