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公开(公告)号：CN102394223A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110406897.4
申请日：2011-12-08
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种在塑料衬底上制备薄膜晶体管的制造方法，该方法首先在塑料衬底上引入一层隔离层可以避免外界湿气等环境影响，然后在隔离层上引入一层绝缘层可以屏蔽外界环境对薄膜晶体管电学特性的干扰。本发明在塑料衬底上制备薄膜晶体管的方法有效的抑制了外界环境的影响，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN102110614A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201110020726.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种高K金属栅MOS晶体管制作方法，通过在MOS晶体管沟道区正上方注入相应的杂质，使该MOS晶体管沟道区的底部以及沟道区与源漏区的交界处重掺杂有与衬底上所掺杂的杂质类型相同的杂质，MOS晶体管源漏区掺杂有与衬底上所掺杂的杂质类型相反的杂质，且上述沟道区掺杂不会对源漏区产生杂质补偿，从而生产出的晶体管具有表面浓度低而体内浓度高的倒掺杂的沟道，能同时满足高驱动电流的要求和抑制短沟道效应的要求。
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公开(公告)号：CN119685752A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411776844.5
申请日：2024-12-05
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高热稳定性的氧化物薄膜的制备方法及其应用，属于集成电路微纳电子器件领域。本发明采用磁控溅射工艺，溅射靶材为氧化铟所占质量比为50‑90％，氧化铝所占质量比为0.1‑10％，氧化锌所占质量比为10‑50％的铟铝锌氧靶材，制备得到的薄膜具有高温热稳定性。即在高温条件下，经过长时间热退火处理，薄膜处于非晶状态，薄膜中的缺陷浓度保持稳定。进一步利用本发明制备得到的氧化物晶体管的性能热稳定性高，且制备工艺步骤简单、成本低。
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公开(公告)号：CN119653802A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411756199.0
申请日：2024-12-03
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化物晶体管的表面处理方法，属于集成电路微纳电子器件领域。具体步骤包括提供一衬底，在其上形成底栅电极；在底栅电极上依次形成一电介质层、氧化物有源层；在所述氧化物有源层两侧分别形成源漏电极；采用电子束蒸镀在所述源漏电极之间的氧化物有源层上蒸镀一层可氧化金属，然后通过自然氧化，空气退火氧化，氧气退火氧化等方式使金属转变为金属氧化物。通过形成氧化物层，可以有效减小晶体管的界面态密度，提高晶体管的场效应迁移率，改善晶体管的开关速度和功耗性能，此外，还可以改善晶体管的稳定性和可靠性，从而提高集成电路的整体性能。
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公开(公告)号：CN112858418A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110205251.3
申请日：2021-02-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种用于肿瘤细胞检测的传感器的制备方法，该方法将3D打印技术与微电子技术结合，制备出的传感器结构包括衬底、绝缘层、传感层，两个测试电极和溶液装载区，绝缘层位于衬底之上，传感层位于绝缘层之上，测试电极和溶液装载区位于传感层之上，溶液装载区位于两个测试电极之间。本发明基于细胞外基质pH的准确测量，实现肿瘤细胞检测工作。本发明可用于临床肿瘤细胞的实时、准确测定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107916398B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201711102694.X
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE‑AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％‑98％，铝元素1％‑10％，稀土元素1％‑14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。
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公开(公告)号：CN107916398A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711102694.X
申请日：2017-11-10
Applicant: 北京大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种C轴对称结晶氧化物半导体薄膜的制备方法和应用。该方法采用溅射技术生长具有良好CAAC结构的无铟元素的氧化物半导体薄膜。采用本发明制备方法制备的CAAC结构的稀土元素掺杂的氧化锌铝(RE-AZO)薄膜材料中锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。采用本发明制备的薄膜材料作为有源层的TFT可用于柔性显示等需要低温制备工艺的应用。
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公开(公告)号：CN103915464B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410093949.0
申请日：2014-03-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透明RRAM栅控薄膜晶体管的1T1R阵列及其制备方法，所述1T1R阵列包括逻辑电路、信号输入电路、信号输出电路、电源Vdd；其中所述逻辑电路包括1T1R单元、第一晶体管；所述1T1R单元包括阻变电阻和第二晶体管。所述逻辑电路连接信号输入电路以及信号输出电路。本发明通过晶体管与阻变电阻的连接关系设计，实现了1T1R阵列复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN103441135B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310367267.X
申请日：2013-08-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法，通过在原有的衬底晶体管的漏极和源极同时分别制作具有MIM结构的阻变存储器结构，最后分别在衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金属、第二层层间介质、第二层栓塞、MIM结构层、第三层层间介质、第三层栓塞、第二层金属和钝化层，实现所述衬底晶体管与阻变存储器的串联。本发明将1T1R结构中的阻变存储器和1R结构中的阻变存储器同时制作，工艺条件完全相同，可以减少光刻次数，减少制作成本，同时将1T1R结构和1R结构集成在一起，还能方便这两种结构中阻变存储器特性的比较，有助于研究电流过冲对器件转变特性的影响。
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公开(公告)号：CN103500796B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310478675.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种基于氧化物的透明阻变随机存储器RRAM，包括三层结构：上电极，阻变层薄膜和下电极，所述上电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种；所述阻变薄膜材料为ZrO2；所述下电极的材料为透明导电材料，选自ITO、FTO、ZTO中的一种。本发明还提供制备RRAM的方法。本发明采用溶胶凝胶法，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资少；制得的RRAM器件一致性好，可以实现大面积RRAM器件的制备。
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