-
公开(公告)号：CN103904118B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410085379.0
申请日：2014-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/77 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法，由上选择管和下选择管及中间的存储单元组成三维结构，且所有的晶体管均为竖直结构，与水平晶体管相比竖直晶体管的布局面积更小，从而可以提高RRAM的集成密度，进一步降低成本。该方法包括：在衬底上依次沉积SiO2、下选择管的重掺杂多晶硅控制栅层、SiO2，通过反应离子刻蚀SiO2、多晶硅、SiO2层形成下选择管的沟道区域；顺序沉积多晶硅层和SiO2层，反应离子刻蚀沉积的SiO2和多晶硅层，形成存储单元的沟道通孔；沉积上选择管的重掺杂多晶硅控制栅层和SiO2，通过反应离子刻蚀多晶硅层和SiO2层，形成上选择管的沟道区域。
-
公开(公告)号：CN103441135B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201310367267.X
申请日：2013-08-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法，通过在原有的衬底晶体管的漏极和源极同时分别制作具有MIM结构的阻变存储器结构，最后分别在衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金属、第二层层间介质、第二层栓塞、MIM结构层、第三层层间介质、第三层栓塞、第二层金属和钝化层，实现所述衬底晶体管与阻变存储器的串联。本发明将1T1R结构中的阻变存储器和1R结构中的阻变存储器同时制作，工艺条件完全相同，可以减少光刻次数，减少制作成本，同时将1T1R结构和1R结构集成在一起，还能方便这两种结构中阻变存储器特性的比较，有助于研究电流过冲对器件转变特性的影响。
-
公开(公告)号：CN103904118A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410085379.0
申请日：2014-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/77 , H01L25/065
CPC classification number: H01L27/1104
Abstract: 本发明公开了一种具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法，由上选择管和下选择管及中间的存储单元组成三维结构，且所有的晶体管均为竖直结构，与水平晶体管相比竖直晶体管的布局面积更小，从而可以提高RRAM的集成密度，进一步降低成本。该方法包括：在衬底上依次沉积SiO2、下选择管的重掺杂多晶硅控制栅层、SiO2，通过反应离子刻蚀SiO2、多晶硅、SiO2层形成下选择管的沟道区域；顺序沉积多晶硅层和SiO2层，反应离子刻蚀沉积的SiO2和多晶硅层，形成存储单元的沟道通孔；沉积上选择管的重掺杂多晶硅控制栅层和SiO2，通过反应离子刻蚀多晶硅层和SiO2层，形成上选择管的沟道区域。
-
公开(公告)号：CN103441135A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310367267.X
申请日：2013-08-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法，通过在原有的衬底晶体管的漏极和源极同时分别制作具有MIM结构的阻变存储器结构，最后分别在衬底晶体管的漏极和源极的上方依次形成第一层金属前介质、第一层栓塞、第一层金属、第二层层间介质、第二层栓塞、MIM结构层、第三层层间介质、第三层栓塞、第二层金属和钝化层，实现所述衬底晶体管与阻变存储器的串联。本发明将1T1R结构中的阻变存储器和1R结构中的阻变存储器同时制作，工艺条件完全相同，可以减少光刻次数，减少制作成本，同时将1T1R结构和1R结构集成在一起，还能方便这两种结构中阻变存储器特性的比较，有助于研究电流过冲对器件转变特性的影响。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.013 seconds)
