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公开(公告)号：CN101552312A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910051058.8
申请日：2009-05-12
Applicant: 上海蓝光科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片制作方法，该方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长N型氮化物层、P型氮化物层以及介于N型氮化物层和P型氮化物层之间的多量子阱层获得发光二极管晶片；(2)利用激光辐照技术对发光二极管晶片进行正面划片直至划入衬底；(3)通过刻蚀工艺对步骤(2)中的发光二极管晶片进行刻蚀并制作N电极，P电极；(4)对步骤(3)中发光二极管晶片进行背面研磨减薄、裂片，得到发光二极管芯片。正面划片在制作N、P电极之前进行，利用制作N、P电极中的刻蚀工艺将激光辐照切割过程中形成的融化层，以及沉积在发光二极管晶片侧面和表面电极上的残渣沉积移除，优化了芯片的光电参数和发光二极管芯片的成品率。
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公开(公告)号：CN100435360C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410101833.3
申请日：2004-12-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸，在n型区表面获得较高载流子浓度，从而形成良好的欧姆接触，对垂直结构的LED的特性的改善具有重要的意义。位于衬底与GaN外延层界面处二维散射出光面，还可以在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。
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公开(公告)号：CN100352116C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510011195.0
申请日：2005-01-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/323
Abstract: 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目的，同时可以省略掉磨片、划片、裂片等大量工艺过程，简化工艺、降低成本。本发明是通过在GaN外延片的n面上电镀具有GaN基LD激光器管芯结构的厚铜，镀铜层具有于激光器管芯相同的间隔和周期，接着以铜作为解理激光器芯片时的支撑，并且作为LD芯片最终的热沉。本发明的特点在于同时解决了目前氮化镓基激光器导热、导电性能差和难以制备自然解理面的困难。
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公开(公告)号：CN1787242A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410098902.X
申请日：2004-12-10
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L2224/16
Abstract: 本发明的目的是提供一种倒装LED芯片的封装方法，提高LED外量子效率。利用高热导率的Al、Cu，直接与芯片键合，降低封装热阻，同时降低flip－chip封装的成本。本发明利用厚Cu及Au凸点把倒装焊芯片与Al印刷电路板直接键合，然后粘上反射杯，在芯片上涂抹胶体，最后扣上透镜罩得到倒装芯片的Al印刷电路板封装。把LED flip－chip直接键合到改进的Al基板上，省略了Si基板的制作工艺，同时芯片直接与热沉倒装焊，有效增加了散热效率。厚Cu的优点在于Cu的热导率较高，具有较高的导热速度，同时作为导线，厚Cu线电阻较低，可以降低发热，而Al基板具有较高的散热效率，近一步降低封装热阻。由于Au凸点被垫高，减少热膨胀造成的剪切力，有利于flip－chip与Al基板的键合。
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公开(公告)号：CN113488573B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110625944.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用非晶光子结构提高LED封装器件出光效率的制备方法。本发明利用傅里叶变换理论设计，非晶光子结构能够精准的与相关波长的光子作用，有效提高大于全反射角的光的透射，相比光子晶体结构，非晶光子结构对出光效率的提升更高，对白光LED的出光效率增加显著；采用AAO模板制备非晶光子结构，工艺简单，成本低廉；通过改变电解液类型、电解电压、温度和扩孔时间等，能够获得具有无周期性的有不同平均孔间距和孔直径的满足非晶光子结构特征的孔阵列，以便和LED芯片的发光波长匹配；同时利用压印，刻蚀工艺制备得到正版和反版的AAO硬模板；本发明工艺简单可行，转移成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113488573A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110625944.8
申请日：2021-06-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用非晶光子结构提高LED封装器件出光效率的制备方法。本发明利用傅里叶变换理论设计，非晶光子结构能够精准的与相关波长的光子作用，有效提高大于全反射角的光的透射，相比光子晶体结构，非晶光子结构对出光效率的提升更高，对白光LED的出光效率增加显著；采用AAO模板制备非晶光子结构，工艺简单，成本低廉；通过改变电解液类型、电解电压、温度和扩孔时间等，能够获得具有无周期性的有不同平均孔间距和孔直径的满足非晶光子结构特征的孔阵列，以便和LED芯片的发光波长匹配；同时利用压印，刻蚀工艺制备得到正版和反版的AAO硬模板；本发明工艺简单可行，转移成本低。
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公开(公告)号：CN111443073B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010366912.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种micro LED芯片的显微拉曼结合光致发光检测装置及其方法。本发明将多面棱镜与CCD面阵探测器结合，从而将一维排列的光斑阵列采用二维面阵的CCD面阵探测器接收，得到每一个光斑的光谱分布，不需要复杂的激光频率调制和信号解调技术，即能够得到光学性质和电学性质，极大地提高扫描速度；采用布儒斯特角入射、双柱面透镜光束整形以及棱镜分光计减少光栅引起的次峰杂散谱，使得杂散谱的抑制水平显著提升；将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题。
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公开(公告)号：CN111326641B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010127541.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/48 , H01L25/075 , H01L25/13 , H05B33/02
Abstract: 本发明公开了一种降低白光发光二极管蓝光危害的方法。本发明采用紫光与天蓝光混合得到蓝光的视觉效果，同时消除蓝光成分，有效地降低白光发光二极管的蓝光危害，减少其对人眼视网膜的损伤，提高光生物安全性；在CIE1931色品图上三顶点附近获得绿光、红光的可能区域，同时增加黄光的成分，以得到混合光源较高的显色性；利用本发明，在降低蓝光危害的同时，白光光源具有良好的显色性，能够提供更好的视觉舒适度；能够得到色温可调的动态白光，从而不同的色温对应不同的适应范围；本发明具有低蓝光危害、高显色性、色温可调等优点。
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公开(公告)号：CN111443073A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010366912.6
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种micro LED芯片的显微拉曼结合光致发光检测装置及其方法。本发明将多面棱镜与CCD面阵探测器结合，从而将一维排列的光斑阵列采用二维面阵的CCD面阵探测器接收，得到每一个光斑的光谱分布，不需要复杂的激光频率调制和信号解调技术，即能够得到光学性质和电学性质，极大地提高扫描速度；采用布儒斯特角入射、双柱面透镜光束整形以及棱镜分光计减少光栅引起的次峰杂散谱，使得杂散谱的抑制水平显著提升；将光致发光检测和拉曼检测结合，光致发光检测提供发光波长和亮度信息，拉曼检测给出电学性质，弥补了光致发光检测准确度不足的问题。
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公开(公告)号：CN109920887A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910179543.7
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学 , 合肥彩虹蓝光科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上；移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱。本发明提出的发光二级管芯片优化了纳米柱的结构，改善了出光效率，具有较大的推广应用价值。
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