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公开(公告)号：CN103224231A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310143181.9
申请日：2013-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，属于材料加工领域。该方法针对化学气相沉积法(CVD)在镍等金属薄膜上制备的石墨烯，利用稀酸溶液与金属衬底发生反应生成的氢气气泡分离石墨烯层和金属衬底。该方法无需在石墨烯上层覆盖PMMA等聚合物转移载体，因此不会引入聚合物污染物，并可大幅减少石墨烯表面的破损，且剥离过程是由于通过酸性溶液与金属薄膜之间直接的化学反应，可实现金属薄膜上、下表面的石墨烯同时与金属薄膜分离，效率高，无需外接电源、无需利用电化学反应。操作工艺简便，不涉及有害化学物质。并可以多次重复使用金属衬底，大幅降低成本。本发明在大规模制备石墨烯的工业领域中具有较大应用价值。
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公开(公告)号：CN103208685A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310126329.8
申请日：2013-04-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种耐腐蚀石墨烯电极及其制备方法和应用，属于电子器件领域。该耐腐蚀石墨烯电极是利用化学气相沉积法在铜或镍等金属电极的表面覆盖石墨烯层，形成石墨烯-金属复合结构作为电极。由于石墨烯具有良好的结构特、电学和热学特性，该石墨烯-金属复合结构具有较强的抗氧化、抗腐蚀能力，导电性良好，机械强度高，耐磨损等特点。同时制备工艺简单，成本低廉，是替代贵金属插座、插头及电极的理想材料。
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公开(公告)号：CN102593098A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210048477.8
申请日：2012-02-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种集成电路金属互连结构及其制备方法。本发明利用石墨烯本身独特的分子结构和电学特性，在集成电路金属互连结构的上层金属连线上表面包覆石墨烯覆盖层。由于石墨烯的抗电迁移电流密度可以达到109A/cm2，在金属导线内一旦由于电迁移出现小空洞的时候，电流就有可能通过包覆在金属导线表面的石墨烯来传导，从而有效降低金属互连线中空洞的生长速率，提高金属互连线的抗电迁移能力及其寿命，同时包覆在金属互连线表面的石墨烯也可以有效阻止晶须的生长，从而降低因晶须生长而导致短路的风险；另外，此石墨烯覆盖层可有效隔绝金属导线与空气接触，减缓或消除金属互连线表面的氧化，从而提高集成电路互连线的可靠性。
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公开(公告)号：CN102593097A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210046720.2
申请日：2012-02-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种集成电路金属互连结构及其制备方法，本发明利用石墨烯的碳原子是按六边形晶格整齐排布而成的碳单质，将石墨烯用做集成电路铜互连中的扩散阻挡层。其中石墨烯的所有sp2杂化的碳原子均饱和成键，结构非常稳定，从而使得石墨烯扩散阻挡层具有优良的热稳定性和化学稳定性，可以有效阻止铜原子向硅和绝缘介质中扩散。
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公开(公告)号：CN101817499B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010158860.X
申请日：2010-04-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米尺度间隙电极对阵列及其制备方法，属于分子电子器件制备技术领域。本发明利用氧化还原反应，在碳纳米管表面上形成金属颗粒阵列；然后用氧等离子体轰击，将金属颗粒之间的碳纳米管全部或部分去除掉，即可获得纳米尺度间隙电极对阵列。本发明操作简单，工艺可靠、可控性好、成本低。通过后续的分子原子或纳米结构材料的组装技术，可较容易地实现纳米尺度(包括分子或原子尺度)的电子器件阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102034845B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010526919.6
申请日：2010-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/15
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯的纳米尺度点光源的阵列，属于纳米尺度的发光装置。该点光源的阵列包括一衬底，在衬底上覆盖有一绝缘介质层、金属互连线埋于该介质层中，介质层上方为金属电极阵列，金属互连线连接金属电极阵列中的每个电极，在金属电极阵列上铺设一层石墨烯薄膜，在金属电极和石墨烯薄膜上施加一偏置电压；或者在金属电极阵列中两相邻电极上铺设一层石墨烯薄膜，在此相邻电极对之间施加一偏置电压。本发明制造工艺可与硅基加工技术兼容、集成度高，能大幅提高光源辐照范围和光强，可以作为显示阵列或者存储单元阵列，应用于高分辨率显示装置或信息存储系统。
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公开(公告)号：CN102426269A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110255669.1
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01Q60/18
Abstract: 本发明公开了一种低温扫描近场光学显微镜，属于近场光学仪器制造领域。该显微镜设有真空腔室，该真空腔室分为上下两部分，上部为扫描室，下部为低温杜瓦室，扫描室内设有扫描头，扫描头的光路包括照明光纤、针尖光纤和扫描控制电子线路，照明光纤与真空腔室外部的激光器连接，针尖光纤与外部的光谱仪和光电倍增管连接，光谱仪和光电倍增管与扫描控制器连接，扫描控制电子线路与扫描控制器连接。本发明制备出高效的低温扫描近场光学显微镜。
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公开(公告)号：CN102360028A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110255657.9
申请日：2011-08-31
Applicant: 北京大学
IPC: G01Q60/18
Abstract: 本发明公开了一种低温扫描近场光学显微镜的真空腔，属于近场光学仪器制造领域。该真空腔室分为上下两部分，上部为扫描室，下部为低温杜瓦室。扫描室内设有扫描头，在扫描室的顶部设有顶部法兰，顶端法兰上设置了5个法兰口和升降杆。其中3个法兰口连接包括扫描台、粗逼近马达，音叉以及温度监控等部件的电子线路进出真空腔室的电极法兰；2个法兰口连接包括照明光纤和针尖光纤两路光纤转接法兰。本发明低温近场光学显微镜的扫描头部分可以从真空腔室中独立取出，使得针尖光纤可以在真空腔室外更换。
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公开(公告)号：CN101780943B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910312966.8
申请日：2009-12-31
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法，属于纳米加工技术领域。该方法包括：在氧化硅衬底上直接生长或沉积碳纳米管，在碳纳米管上再沉积一氧化硅薄膜，随后，用氢氟酸溶液刻蚀掉氧化硅薄膜，即可在氧化硅衬底上得到纳米尺度沟槽。本发明利用碳纳米管增强刻蚀特性，在室温下制备纳米尺度氧化硅沟槽。该沟槽形状取决于碳纳米管的形状，刻蚀时不受表面形貌变化的影响；沟槽的位置和方向可通过预先调整碳纳米管的位置和取向来控制，沟槽的宽度和深度可通过控制刻蚀时间和碳纳米管的直径来控制。本发明与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、大面积的纳米尺度氧化硅沟槽的制备。
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公开(公告)号：CN101817499A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010158860.X
申请日：2010-04-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米尺度间隙电极对阵列及其制备方法，属于分子电子器件制备技术领域。本发明利用氧化还原反应，在碳纳米管表面上形成金属颗粒阵列；然后用氧等离子体轰击，将金属颗粒之间的碳纳米管全部或部分去除掉，即可获得纳米尺度间隙电极对阵列。本发明操作简单，工艺可靠、可控性好、成本低。通过后续的分子原子或纳米结构材料的组装技术，可较容易地实现纳米尺度(包括分子或原子尺度)的电子器件阵列。
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