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公开(公告)号：CN102214611B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110139305.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/762 , B82B3/00
Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin硬掩膜；形成Si Fin条；淀积多晶硅；注入多晶硅；淀积SiN；定义沟道和大源漏区；形成Si Fin和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN形成SiN侧墙；氧化形成纳米线；形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；注入多晶硅；光刻定义栅线条；通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；采用常规CMOS后端工艺完成后续流程，完成器件制备。本发明提供的方法与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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公开(公告)号：CN102214595B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110139058.0
申请日：2011-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , B82B3/00
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/76289 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO2；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin条；形成Fin和大源漏的硬掩膜；形成Si Fin条和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN，形成SiN侧墙；氧化，形成纳米线；去除氧化层，形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；定义栅线条；将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；多晶硅和源漏注入；湿法腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；完成器件制备。本发明的方法，与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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公开(公告)号：CN102214611A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110139305.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/762 , B82B3/00
Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin硬掩膜；形成Si Fin条；淀积多晶硅；注入多晶硅；淀积SiN；定义沟道和大源漏区；形成Si Fin和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN形成SiN侧墙；氧化形成纳米线；形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；注入多晶硅；光刻定义栅线条；通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；采用常规CMOS后端工艺完成后续流程，完成器件制备。本发明提供的方法与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208351A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110139383.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积SiO2；定义纳米线区域和大源漏区域；将光刻胶上的图形转移到SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；定义Fin硬掩膜；将光刻胶上的图形转移到材料A硬掩膜上；源漏注入；形成Si Fin和大源漏；形成纳米线；定义沟道区；将光刻胶上露出来区域的材料A去除；将光刻胶露出来区域的SiO2去除；形成栅氧化层；淀积多晶硅；多晶硅注入；淀积SiN；定义栅线条；形成栅线条；淀积SiN；形成SiN侧墙；淀积和化学机械抛光SiO2；湿法腐蚀SiN；淀积SiO2；退火；完成器件制备。本发明空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。
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公开(公告)号：CN101777499B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010100144.6
申请日：2010-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/3063 , H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/66356
Abstract: 本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一种介质膜定义的，通过湿法腐蚀选择性去除源漏区上方的介质膜就可以消除定义沟道区、源区和漏区三次光刻之间的对准偏差的影响。所以，基于此工艺可自对准制备平面TFET，由此缓解了平面TFET制备过程中对光刻对准偏差的苛刻要求，有利于制备出特性稳定可靠的平面TFET器件。
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公开(公告)号：CN102097296A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010506128.7
申请日：2010-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , G03F7/00 , G03F7/20 , B82Y40/00
CPC classification number: B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构，克服了对先进光刻技术的依赖，从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。
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公开(公告)号：CN101847576A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010153583.3
申请日：2010-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/316 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移到衬底材料上，从而实现在衬底材料上制备超窄槽。本发明制备出的多晶硅超窄槽的截面形状接近理想矩形，从而在衬底材料上制备出的超窄槽的形状也接近矩形，且此方法制备超窄槽的宽度可以精确控制到10纳米。此外，采用此工艺制备出的超窄槽左右两侧材料分布情况一致，因此可以制备出左右两侧深度相同的衬底材料的超窄槽。
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公开(公告)号：CN101777499A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010100144.6
申请日：2010-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/3063 , H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: H01L29/7391 , H01L29/66356
Abstract: 本发明公开了一种基于平面工艺自对准制备隧穿场效应晶体管(TFET)的方法，降低了制备平面TFET对光刻工艺的要求。该方法中，TFET的源漏区不是由光刻直接定义的，而是通过有源区上方、栅两侧的不同于定义沟道区的介质膜的另一种介质膜定义的，通过湿法腐蚀选择性去除源漏区上方的介质膜就可以消除定义沟道区、源区和漏区三次光刻之间的对准偏差的影响。所以，基于此工艺可自对准制备平面TFET，由此缓解了平面TFET制备过程中对光刻对准偏差的苛刻要求，有利于制备出特性稳定可靠的平面TFET器件。
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