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公开(公告)号：CN101872120A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010215355.4
申请日：2010-07-01
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种图形化石墨烯的制备方法，该方法通过紫外光刻或电子束光刻等微电子工艺在器件衬底上图形化光刻胶，在需要石墨烯的地方开出窗口。通过石墨烯转移方法，将大面积石墨烯转移到图形化的光刻胶上，通过丙酮浸泡的方法将光刻胶连同其上的石墨烯剥离掉，得到器件所需的图形化的石墨烯。该方法相比现有技术，具有精确定位的优点，且无需刻蚀，不需要制作压印模版，从而成本较低。本发明不仅实现了精确定位地图形化石墨烯，而且很容易实现大面积器件集成。此外，利用曝光、剥离的方法，避免了氧等离子体刻蚀的步骤，从而避免了辐照损伤带来的器件性能的降低。
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公开(公告)号：CN100463243C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410048076.8
申请日：2004-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种顶出光电极及其制备方法，涉及顶出光电致发光器件领域。本发明所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层，所述有机发光层上设有LiF层，所述LiF层上设有厚度为0.6-15nm的Al层，在所述Al层上设有厚度为3-20nm的Au层。该薄层可以用普通的真空蒸镀方法(10-5托)来完成，电极透光率比薄Al/Ag层高约40-50%，而且外层的Au膜不像Ag膜那样易于被氧化，从而较好保证了器件的电稳定性和发光稳定性，同时又有较好的防止水汽透入有机层的作用。本发明的顶出光电极在无机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面有广泛用途。
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公开(公告)号：CN1699637A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200410038099.0
申请日：2004-05-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶半导体纳米线的生长装置及其应用，涉及低维纳米材料的制备领域。本发明所提供的生长装置，包括真空室及位于真空室内的三个加热电极A、B、C，带气嘴的通气导管及两个钼舟或/和钽舟，加热电极C接地，分别与加热电极A及加热电极B组成两套蒸发电极；两个钼舟或/和钽舟并排水平放置，使气体沿水平方向吹过两个钼舟或/和钽舟表面的通气导管气嘴高度与两个钼舟或/和钽舟表面高度相当。利用单晶半导体纳米线的生长装置生产单晶GaN纳米线的方法，包括如下步骤：1)将金属Ga源和Si样品衬底分别置于两个钼舟或/和钽舟的表面；2)抽真空；3)向真空室中通入NH3气。本发明可广泛用于新型纳米光电器件、实现与Si微电子集成等方面。
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公开(公告)号：CN1642376A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410001060.1
申请日：2004-01-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明所提供的有机电致发光器件，至少包括发光层，以及分别位于所述发光层上下的阴极层和阳极层，且所述阳极层的阳极为硅。该有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：1)在硅片背面制作欧姆接触金属；2)在步骤1)所述已制备好欧姆接触金属的硅片正面生长空穴注入/控制层；3)在步骤2)所述空穴注入/控制层上依次真空淀积空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入/控制层；4)用模板淀积法或用淀积加光刻的方法在步骤3)所述电子注入/控制层上依次制备透光阴极和厚阴极；5)在步骤4)所述透光阴极和厚阴极上制备器件钝化保护膜。本发明的有机电致发光器件可广泛应用于视频数字显示、仪器监控、广告等领域。也可实现微显示、(Microdisplay)，随身“看”等特殊要求，从而用在军事，电子游戏等特殊领域。
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公开(公告)号：CN1603471A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN03134724.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 北京大学
IPC: C25B1/00
Abstract: 本发明提供了一种阳极氧化法制备纳米硅颗粒的方法及设备，属于硅纳米材料制备领域。该方法将硅片固定在腐蚀槽底部，硅片的背面与金属底座接触，底座接阳极；配制腐蚀液，将腐蚀液注入到腐蚀槽内，连接阴极的铂金电极或石墨棒电极插入腐蚀液中；接通电源，电流密度控制在10－300mA/cm2范围，时间为5－30分钟；关闭电源，取出硅片并用纯水轻轻冲洗，便可收集到硅片表面上的纳米硅颗粒。采用本发明可显著增加硅片和腐蚀液的接触面积，使硅片的腐蚀率比现有技术提高近百倍，设备简单、成本低，能够快速、批量生产纳米硅颗粒，该纳米硅是性能很好的半导体光电子材料。
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公开(公告)号：CN108461373B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710093637.3
申请日：2017-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公布了一种等离子体激活掺杂装置，在0‑300℃的非高温下实现对半导体材料或器件进行掺杂。所述等离子体激活掺杂装置包括真空腔室和等离子体发生单元，等离子体耦合窗口设置在底面，其上为杂质源台，被掺半导体台设置在腔室顶部，被掺半导体台和杂质源台的台面均为与被掺半导体片同种材料的掩盖用半导体片；靠近真空腔室内壁设置金属内衬，该金属内衬与腔壁绝缘，并施加≤200V的正偏压；被掺半导体台的温度控制在0～300℃范围内。该装置能在非高温下对半导体材料或器件进行掺杂，不涉及高温处理、高能粒子轰击，损伤少，工艺简单，时间短，效率高，而且可消除或大幅度减少沾污，实现多种杂质一次掺杂完成。
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公开(公告)号：CN106098543B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610412679.4
申请日：2016-06-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种在室温环境下向硅材料中引入固态杂质的方法，是在室温环境下利用惰性气体产生的等离子体处理固态杂质源，使固态杂质源中的原子或离子进入等离子体，这些原子或离子通过与等离子体中正离子和电子碰撞获得动能，进而进入硅材料中。本方法由于不需高温，不仅可以用于硅晶片的掺杂，还可以用于硅器件的掺杂，相比传统的杂质引入手段，既便捷又经济。
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公开(公告)号：CN108155297A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611100965.3
申请日：2016-12-05
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L51/56
Abstract: 本发明公布了一种利用层压法来制备石墨烯顶电极的方法，首先利用湿法或干法转移方法，将石墨烯转移到PDMS上；然后将石墨烯连同PDMS层压到半导体器件的有机功能层上，PDMS上的石墨烯通过范德瓦尔斯力紧紧粘附在有机功能层上，作为器件的顶电极。本发明通过直接层压石墨烯顶电极来制备全透明的有机发光二级管或其他以石墨烯为顶电极的半导体器件，简单便捷、成本低廉。
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公开(公告)号：CN106898548A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510961977.4
申请日：2015-12-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/268 , H01L21/22
Abstract: 本发明公开了一种室温环境下激励硅中金属原子扩散的方法。在室温环境中对硅材料或硅器件进行质子辐照，激励金属原子在硅中扩散。该方法简便快捷、成本低廉，受二次污染的程度远较高温处理方法为小，在硅中金属的吸杂和掺杂领域都有潜在的应用前景。并且，由于不需高温，该方法不仅能应用于硅材料，还适用于大规模集成电路、太阳能电池、光电探测器等硅器件中金属的原子扩散。
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