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公开(公告)号：CN114743577B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202210324321.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CrOCl材料实现多态存储的方法。利用二维反铁磁绝缘体CrOCl中的磁电耦合效应，通过对隧穿结施加电压脉冲来调控CrOCl磁相变过程中的亚稳态，从而实现使隧穿结的阻态可控地在一定范围内任意切换。本发明通过改变电压扫描的速度和幅值来决定隧穿结的阻态，并可以通过扫描磁场来擦除隧穿结中存储的信息，在单个器件中可实现一位十进制数据的存储，具有超小体积、超高性能的优点，有大规模应用的潜力。
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公开(公告)号：CN118299330A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410262049.8
申请日：2024-03-07
IPC: H01L21/82 , H01L27/092 , H10B10/00 , H10B41/41 , H10B41/20 , H10B43/20 , H10B43/40 , H10B41/35 , H10B43/35
Abstract: 本发明属于微纳米器件技术领域，具体涉及一种用于实现3D垂直多层互连的二维半导体互补电路的方法。为了能够在物理上实现3D互补逻辑电路的垂直堆叠，本方法利用二维层状半导体材料特殊的晶体结构，通过范德华力将二维n‑型半导体、二维p‑型半导体、介电层、栅极以及源漏电极垂直组装为3D多层互连互补逻辑电路，其中二维p‑型半导体为：利用高功函数二维层状绝缘体材料与二维层状半导体材料范德华界面处的界面耦合，将二维层状半导体材料掺杂为二维p‑型半导体。
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公开(公告)号：CN115602526A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110768724.0
申请日：2021-07-07
Applicant: 北京大学(CN)
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/308 , H01L21/40
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体碲化钼薄膜的可控掺杂方法。利用磁控溅射共蒸的方法在基底上沉积一层掺有杂质元素的Mo薄膜，将该掺杂Mo薄膜放入化学气相沉积设备中，通过控制温度和时间生长掺有杂质元素的大面积连续二维半导体碲化钼薄膜。该方法在薄膜沉积过程中可控、稳定地加入杂质元素，从而生长的掺杂半导体碲化钼薄膜可以稳定地调节掺杂浓度，得到具有不同电学特性二维半导体材料薄膜，解决了二维半导体材料应用于单片集成电路的关键问题。该方法还可以通过光刻和刻蚀图形化预沉积不同掺杂类型的Mo薄膜，之后“一步法”生长出提前设计好的图形化掺杂碲化钼薄膜，节省材料和时间成本，并兼容成熟的半导体工艺技术，有大规模应用的潜力。
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公开(公告)号：CN114373828A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110370754.6
申请日：2021-04-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法。本发明突破了传统外延工艺异质集成不同种类单晶材料的必要条件——晶格匹配，利用化学气相沉积法制备的2H‑MoTe2具有横向外延相变的特殊生长机制，通过控制温度和时间使得单晶二维半导体碲化钼薄膜可以与任意单晶衬底直接生长集成，而不受到晶格匹配的限制。由此获得的异质集成结构可以同时利用碲化钼的半导体特性和基底的物理特性，提高器件的性能和增强器件功能化。并且，该方法适用于大面积制备，可以实现集成化的光电器件阵列的制备，为实现晶圆级、工业化的芯片制造提供基础，为二维半导体材料在集成电路和光电芯片方面的应用提供了基础。
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公开(公告)号：CN114743577A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210324321.1
申请日：2022-03-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于CrOCl材料实现多态存储的方法。利用二维反铁磁绝缘体CrOCl中的磁电耦合效应，通过对隧穿结施加电压脉冲来调控CrOCl磁相变过程中的亚稳态，从而实现使隧穿结的阻态可控地在一定范围内任意切换。本发明通过改变电压扫描的速度和幅值来决定隧穿结的阻态，并可以通过扫描磁场来擦除隧穿结中存储的信息，在单个器件中可实现一位十进制数据的存储，具有超小体积、超高性能的优点，有大规模应用的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108933193B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710385970.1
申请日：2017-05-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种铁磁半导体薄膜的转移方法及应用，该方法实现了(Ga,Mn)As薄膜在任意衬底上的转移。转移之后的(Ga,Mn)As薄膜可以与其他不同物理特性的二维层状材料(如半金属石墨烯，半导体MoS2、超导体NbSe2等)通过范德瓦尔斯力构建磁性异质结构，可用于制备新奇的自旋器件。采用本发明可以提高(Ga,Mn)As薄膜与传统硅工艺集成技术的兼容性，对拓展自旋电子学的应用有重要的意义。
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公开(公告)号：CN118116793A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410262048.3
申请日：2024-03-07
IPC: H01L21/02 , H01L21/82 , H01L27/092
Abstract: 本发明属于微纳米器件、二维电子器件以及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种基于范德华界面耦合实现二维半导体p型掺杂的方法。目前以元素置换掺杂或物理化学吸附等方式实现的掺杂往往存在工艺复杂、可靠性及稳定性差以及与目前的半导体工艺不兼容等问题，为了解决这些问题，本发明引入高功函数二维层状绝缘体材料，利用范德华力将其与二维层状半导体进行组装，通过二者界面处的电荷转移实现对二维半导体材料的简便、高效且稳定的掺杂改性。
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公开(公告)号：CN109727846B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201811558523.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种大面积制备金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结的方法及应用。该方法是先在衬底上生长二维钼薄膜，通过化学气相沉积法使之转变为半导体相碲化钼薄膜，再通过光刻和刻蚀图形化半导体相碲化钼薄膜，然后生长钼薄膜，剥离得到金属钼和半导体相碲化钼相间的薄膜，进一步通过化学气相沉积法使金属钼薄膜转变为金属相碲化钼薄膜，从而得到金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结。通过该方法制备的金属相与半导体相接触的二维碲化钼面内异质结场效应晶体管阵列具有低的接触电阻，提高了载流子的注入效率，提高了器件的电学性能。同时该方法为二维半导体材料在集成电路以及柔性器件方面的应用提供了基础。
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公开(公告)号：CN108588831A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810017489.1
申请日：2018-01-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米单晶的定向转移方法及其转移装置。本发明采用在柔性生长衬底上生长钙钛矿纳米材料，并将柔性生长衬底粘贴在载玻片上，将载玻片固定在三维移动台上，将目标衬底放置在显微镜的载物台上，通过分别调节三维移动平台和载物台，使得目标衬底接触钙钛矿纳米材料，从而钙钛矿纳米材料定向转移至目标衬底的指定位置上；本发明采用PDMS作为CVD钙钛矿纳米材料的柔性生长衬底，使得钙钛矿纳米材料的定向转移成为可能；解决了之后采用钙钛矿纳米材料制备激光器、太阳能电池、柔性器件等相关器件中关键的技术难点。
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公开(公告)号：CN119437415A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411557557.5
申请日：2024-11-04
Applicant: 北京大学
IPC: G01J1/42 , H10N50/85 , H10N50/10 , G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种基于CrSBr隧穿结构实现多参数光电探测的方法。该方法利用二维反铁磁半导体CrSBr中的自旋‑电子耦合效应，通过对隧穿结构施加不同光子能量和偏振度的光照可以得到稳定且具有极高线二向色性的光电流响应，并被磁场有效调控，实现多参数光电探测。本发明为研究新一代自旋‑电子‑光电子器件和灵敏的多场传感器提供了重要的材料平台和研究基础。
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