公开(公告)号：CN102097521B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010523325.X

申请日：2010-10-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡璐 ,  于民 ,  羊晋 ,  王金延 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  G01T1/24 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极，所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。本发明还公开了一种硅漂移探测器的制造方法，在该方法中，所需的曲面通过用腐蚀剂腐蚀基底表面而得到。本发明可用于X射线光谱分析，可用于空间探测等技术领域。

公开(公告)号：CN100594622C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200810105938.4

申请日：2008-05-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 李科佳 ,  王金延 ,  田大宇 ,  张录 ,  张太平 ,  金玉丰

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶；N区优选通过TMAH腐蚀法形成，其外形呈倒圆台状，侧面和底面的夹角为54.74°；P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测，核物理，医学检测和环境监测等领域。