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公开(公告)号:CN105819429A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201610136419.9
申请日:2016-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01P2002/80 , C01P2004/03 , C01P2004/04
Abstract: 本发明公开了一种无褶皱石墨烯的制备方法,该方法利用控制铜金属催化剂的晶体学取向,获得整体或局部为低指数面(如:(001)取向)的铜箔,经化学气相沉积(CVD)生长石墨烯后,可获得表面没有台阶的石墨烯/铜箔样品,去除铜衬底并转移到其它绝缘衬底后获得无褶皱的石墨烯样品。此方法可以得到无褶皱单层石墨烯样品,其面积大小取决于铜箔上低指数晶面的尺寸,此技术为研制石墨烯器件提供高质量的石墨烯薄膜材料。
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公开(公告)号:CN105699702A
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201410709646.7
申请日:2014-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光谱仪和导电原子力显微镜的石墨烯与金属表面间距测量方法,该方法利用石墨烯-金属结在特定电压下可以在大气环境中发光的现象,以光谱仪配合导电原子力显微镜,实现控制探针移动,测量相应电压,提取到ΔEF的平均值,根据ΔEF和d的对应关系,得到发光点处石墨烯与金属表面间距d,最后得到样品的间距分布图。
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