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公开(公告)号：CN107611268B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710807661.9
申请日：2017-09-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种柔性太阳能电池及其制备方法，包括正电极和负电极，所述正电极和负电极设在钙钛矿结构的吸光层内，正电极的外表面涂覆有空穴传输层，负电极的外表面涂覆有电子传输层，正电极的空穴传输层和/或负电极的电子传输层外表面设有多孔骨架层，钙钛矿结构的吸光层外包覆有透明的柔性绝缘层，正电极和负电极的端部分别裸露在透明的柔性绝缘层外，正电极和负电极采用垂直交叉形式编织，或者平行交替方式排布。本发明通过将正电极和负电极都包覆在钙钛矿结构的吸光层内，实现双面吸光发电，还可使用纺织机械或打印机械大批量大面积生产，使其又具有编织物的柔性，可以很好地扩展太阳能电池的应用领域。
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公开(公告)号：CN111074343A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010053405.7
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法，本发明的样品托包括外托和内托，外托设有用于容置内托的凹槽，凹槽设有内螺纹，内托设有与内螺纹相匹配的外螺纹，内托置于凹槽时，可经外螺纹和内螺纹调节内托相对外托的位置，本发明通过拧动外螺纹拧入内螺纹的位置，实现内托相对外托的位置调整，以维持内托上面的温度，从而更好地满足金刚石单晶的生长温度，有效抑制多晶生成；本发明的生长方法，通过采用高度可调节的样品托，有利于防止在MPCVD法生长一定厚度金刚石单晶时，多晶的生成，可通过多次、长时间生长，得到大厚度、高质量及均匀性好的单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN108493320B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810443848.X
申请日：2018-05-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 中实创科技(广东)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米复合缓冲镀层MCOB封装氮化铝基板，包括氮化铝基板及其制备方法，氮化铝基板上设有线路电极，其特征在于，所述氮化铝基板表面涂覆有金属纳米复合缓冲镀层，在金属纳米复合缓冲镀层上贴合带光学碗杯的光学碗杯复合板，在光学碗杯复合板上设有与金属纳米复合缓冲镀层贴合接触的纳米Ag反光层，该纳米Ag反光层封装LED芯片，形成带有光学碗杯的分立式集成LED光源。本发明封装效率高，提高了LED光源的出光效率、导热性能和热稳定性。
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公开(公告)号：CN108511349B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810259217.2
申请日：2018-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/492 , C04B41/51
Abstract: 一种陶瓷基板的金属化方法，包括步骤：将清洗后的陶瓷基板进行微蚀处理形成微蚀层；将微蚀处理后的陶瓷基板贴上高温分解掩膜并进行贴膜图案化处理，在微蚀层上形成高温分解掩膜层，在该高温分解掩膜层上激光标刻线路，得到导电线路图案；对经过贴膜图案化处理的陶瓷基板喷涂金属粉末，形成导电金属层；将陶瓷基板放入烧结炉进行高温烧结，使金属粉末与陶瓷基板粘结稳固，同时，高温分解掩膜层被高温分解得到图案化的导电金属层；将图案化的导电金属层加厚，得到厚度为5‑200μm的加厚导电金属层；最后再对陶瓷基板进行表面处理，得到平整的陶瓷基底导电线路板。本发明既可以减少金属的使用，也可以减少蚀刻带来的环境污染，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN108054106B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810026754.2
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备高散热的陶瓷封装基板的方法，包括以下步骤：在清洗后的陶瓷基板上激光标刻形成金属化线路图案，获得厚度为0.5~30μm的混合物层，该混合物层由氧化物与单质金属构成；在金属化线路图案区域进行化学镀铜，形成厚度为0.1～50μm的粘结层；在粘结层上镀厚度为5～500μm的导电层；然后将陶瓷基板放入烧结炉进行烧结；最后对陶瓷基板进行表面处理，得到附着有光亮的金属导线的陶瓷封装基板。本发明在陶瓷基板上直接制备导电线路，有效简化工艺流程，提高产品良率与可靠性，是一种低成本制备半导体器件封装基板的途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110760926A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911155967.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种制备高质量GaN单晶衬底的方法，本发明通过将金属镓与金属催化剂分离，使氮气优先在金属催化剂作用下解离，不但能提高熔体中氮的含量，提高源材料的利用率与GaN单晶的生长速率，同时，也有效抑制了熔体界面GaN多晶的产生，并通过微流通道阻止杂质的间入，从而得到高质量的GaN单晶材料，是一种实现高质量GaN单晶衬底量产的有效方法。
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公开(公告)号：CN110641221A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910933780.8
申请日：2019-09-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: B44F1/10
Abstract: 本发明涉及装饰配件技术领域，具体是涉及一种多彩变幻的外壳装饰片及其制备方法，本发明的外壳装饰片包括壳体本体，所述壳体本体为由若干片高硬度双折射的晶体材料片制成的壳体结构，所述壳体本体设有微结构图案，本发明采用高硬度双折射的晶体材料制成装饰片，双折射晶体材料经多光束的干涉形成炫目的多彩效果，并能随着入射光的变化而产生变化，富有色彩变幻，使用效果好；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，满足工业化生产需求。
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公开(公告)号：CN110616462A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910965282.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga-Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底，本发明通过在Ga/Na熔体中插入C/GaN复合衬底，在提供GaN籽晶的同时又能提供碳元素，即有利于GaN薄膜的成核与生长，又能有效抑制GaN多晶的产生，从而提高GaN单晶的生长速率与晶体质量。
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公开(公告)号：CN110594702A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910880317.1
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: F21V9/08 , F21V9/32 , F21V9/40 , F21V13/14 , F21Y115/30
Abstract: 本发明涉及LD技术领域，具体涉及一种基于LD的双色温照明装置及其制备方法，包括外壳、LD光源和电源，LD光源与电源电性连接，还包括热沉、活动反光单元和双色荧光单元，热沉装设于壳体内侧底部，双色荧光单元装设于壳体内侧顶部，LD光源贴合热沉设置，活动反光单元设于LD光源与双色荧光单元之间，热沉、LD光源、活动反光单元和双色荧光单元的中心位于同一中心轴线，本发明使用LD光源，其具有体积小，光线平行度高，可以很好的减少光线损失，旋转反光单元可以改变激光方向，从而实现色温调整，使用效果好；本发明提供的制备方法，其工艺简单，容易制造，且制得的照明装置使用效果好。
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公开(公告)号：CN110416424A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910310324.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种量子点电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料。针对现有的量子点材料电致发光器件存在的能级不匹配问题，采用了透明的氮化镓材料作为电致发光器件的阴极及电子注入层，结合氮化镓材料的高的电子迁移率及其与量子点材料的LUMO能级匹配的表面功函数，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
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