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公开(公告)号：CN111564472A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010282084.8
申请日：2020-04-11
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Inventor： 梁学磊
Abstract: 本发明公开了一种基于碳基功能电路的交互显示器，包括显示基板和位于所述显示基板上的多个像素单元，在所述多个像素单元之间的空档区域或像素单元下层设置有碳基功能电路。同时还提出该交互显示器的制作方法，首先在显示基板上形成包括多个像素单元的像素阵列，然后在像素阵列上形成碳纳米材料薄膜，并在像素阵列的空档区中制作以碳纳米材料薄膜作为沟道层的碳基功能电路。本发明提出的基于碳基功能电路的交互显示器可实现像素分辨率级别的非接触式触控，还可以实现显示器主动对外界进行探测，主动反馈，进而控制显示效果。
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公开(公告)号：CN111490064A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010282108.X
申请日：2020-04-11
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Inventor： 梁学磊
Abstract: 本发明公开了一种显示面板及其制作方法，该显示面板包括基板、像素阵列区、信号控制电路，信号控制电路芯片为碳基CMOS芯片，可位于像素阵列区周边或者下层，与像素阵列区之间无引线贴合，并与像素阵列区一体化集成在所述基板1上；该显示面板边框的宽度可达到像素间距的量级或者为零。同时还提出该显示面板的制作方法，首先在基板上制备碳纳米材料薄膜，然后在碳纳米材料薄膜上制备p-型晶体管和n-型晶体管，连接构成碳纳米材料CMOS信号控制电路，接着在其表面生长绝缘层，最后在绝缘层上制备显示驱动TFT阵列电路、像素阵列，完成显示面板的制作。本发明提出的显示面板避免了通常显示面板生产中的信号控制芯片的贴合，还能实现像素间距级别的屏幕拼接。
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公开(公告)号：CN110683508A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910992764.6
申请日：2019-10-18
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: B81B7/04 , B81C1/00 , C01B32/166
Abstract: 本申请公开了一种碳纳米管平行阵列的制备方法，该方法通过将第一衬底倒置在第二衬底上方，使得第一衬底的凸起结构朝向第二衬底的沉积平面设置，并在第一衬底与第二衬底之间引入碳纳米管溶液，以使碳纳米管溶液在凸起结构的顶部与第二衬底之间形成毛细桥，此时第一衬底的凸起结构对由碳纳米管溶液形成的毛细桥产生钉扎作用，使得碳纳米管溶液蒸发时在第一衬底和第二衬底上均沉积碳纳米管平行阵列，在碳纳米管溶液完全蒸发后，通过平行沉积平面移动第一衬底并重新引入碳纳米管溶液即可实现大面积制备碳纳米管平行阵列的目的，并且制备的碳纳米管平行阵列的覆盖面积可控，可以实现有效区域的完全覆盖。
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公开(公告)号：CN109427976A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710774682.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明属于显示技术领域，具体涉及薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成源极、漏极和有源层的步骤，其中，形成所述有源层的步骤包括：根据所述薄膜晶体管预设的阈值电压，设定有源层位于所述源极与所述漏极之间的沟槽长度；根据所述沟槽长度形成所述有源层。该薄膜晶体管的制备方法，通过改变有源层位于源极和漏极之间的沟槽长度实现了对薄膜晶体管的阈值电压的调控。该制备方法避免了在薄膜晶体管制备工艺中引入多余的步骤，不增加制备过程的工艺难度；而且对阈值电压的调控范围较大，具有有利于在实际电路应用中把薄膜晶体管的阈值电压调控在所需范围等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105336792A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510729479.7
申请日：2015-11-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0007 , H01L21/02 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L51/0023 , H01L51/0025 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , H01L51/105 , H01L51/56 , H01L29/66045 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L29/78684
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管半导体器件及其制备方法，属于碳纳米管技术领域。本发明提供的碳纳米管半导体器件的制备方法包括步骤：通过碳纳米管溶液形成碳纳米管层；以及对所述碳纳米管层采用酸性溶液进行处理。本发明的方法制备得到的碳纳米管半导体器件的性能均匀性好。
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公开(公告)号：CN101252145B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200710090362.4
申请日：2007-04-06
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定的高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101388412B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810223905.X
申请日：2008-10-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , Y10S977/938
Abstract: 本发明公开了一种自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法，以一维半导体纳米材料作为导电通道，其两端分别是源、漏电极；用原子层沉积方式生长栅介质层，覆盖在源、漏电极之间，以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上；在栅介质层上再通过蒸发或溅射方法生长栅电极层，栅介质层和栅电极层的厚度之和小于源、漏电极的厚度，源漏电极之间导电通道上的栅电极通过栅介质侧墙与源、漏电极实现电学隔离。本发明的自对准结构制作工艺简单、稳定，自由度高，源漏之间的导电通道基本被栅电极覆盖，大大提高了栅对导电通道的控制能力，而且，对于栅介质层和栅电极层的材料无限制，从而可以自由调节器件的阈值电压，满足规模集成电路设计的需要。
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公开(公告)号：CN101281933A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810105174.9
申请日：2008-04-29
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L27/15 , B82Y10/00 , H01L33/34 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明提出一种基于碳纳米管的光电器件，以碳纳米管作为导电通道，其一端具有高功函数金属电极，另一端具有低功函数金属电极，通过简单的结构即可实现多种功能器件，包括但不限于双极性场效应晶体管、无阻双极性二极管、发光二极管和光探测器。本发明还提出一种基于碳纳米管的大规模光电集成电路基本单元，以碳纳米管作为导电通道，其上顺序排列两个高功函数金属电极和两个低功函数金属电极，灵活设置各电极电压可获得多种功能器件，包括电子器件和光电器件。本发明进一步提供了一种可实现各种功能的大规模光电集成电路。本发明有望极大地增强现有集成电路芯片的功能，也为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。
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公开(公告)号：CN101252145A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710090362.4
申请日：2007-04-06
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定得高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。
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