公开(公告)号：CN104362251B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410601162.0

申请日：2014-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  王宗巍 ,  潘越 ,  郭彬彬 ,  方亦陈 ,  黎明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括一衬底，衬底上设置绝缘层和底电极，在底电极上设有隔离层和第一层阻变薄膜，所述隔离层形成凹槽状器件区域，所述第一层阻变薄膜淀积在隔离层的凹槽内为U型状，第一层阻变薄膜的外侧壁与凹槽内侧壁之间为真空隔离层，第二层阻变薄膜覆盖在第一层阻变薄膜和隔离层上封闭了上述真空隔离层，顶电极设置在第二层阻变薄膜上。本发明在常规RRAM制备工艺基础上结合侧墙制备和腐蚀工艺，较方便地制得真空隔离层，有效抑制阻变器件与周围隔离材料的氧交换，并自然形成双层结构，进而极大的提高阻变器件的保持特性、耐久性和一致性。

公开(公告)号：CN103258957B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310174160.3

申请日：2013-05-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 蔡一茂 ,  刘业帆 ,  白文亮 ,  王宗巍 ,  方亦陈 ,  黄如

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0591 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/102 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308

Abstract: 本发明公布了一种有机阻变存储器及其制备方法。所述器件以硅为衬底，器件单元为MIM电容结构，采用上下层状结构，该MIM结构的顶电极为Al，底电极为ITO，中间功能层为聚对二甲苯，其特征是，功能层的聚对二甲苯层分多次进行淀积，每两次聚对二甲苯的淀积之间进行一次Al2O3的ALD淀积，通过控制Al2O3淀积面积来形成有利于导电通道形成的薄弱区域，从而控制器件的电学特性。采用本发明，在不改变器件基本结构的条件下，有效地提高了器件的重复操作的一致性和不同器件之间的一致性。

公开(公告)号：CN104362251A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410601162.0

申请日：2014-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  王宗巍 ,  潘越 ,  郭彬彬 ,  方亦陈 ,  黎明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括一衬底，衬底上设置绝缘层和底电极，在底电极上设有隔离层和第一层阻变薄膜，所述隔离层形成凹槽状器件区域，所述第一层阻变薄膜淀积在隔离层的凹槽内为U型状，第一层阻变薄膜的外侧壁与凹槽内侧壁之间为真空隔离层，第二层阻变薄膜覆盖在第一层阻变薄膜和隔离层上封闭了上述真空隔离层，顶电极设置在第二层阻变薄膜上。本发明在常规RRAM制备工艺基础上结合侧墙制备和腐蚀工艺，较方便地制得真空隔离层，有效抑制阻变器件与周围隔离材料的氧交换，并自然形成双层结构，进而极大的提高阻变器件的保持特性、耐久性和一致性。

公开(公告)号：CN103515534A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310471167.1

申请日：2013-10-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  方亦陈 ,  潘越 ,  黎明

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种高一致性的阻变存储器及其制备方法，采用衬底硅的图形化区域做底电极并与选择性重掺杂相结合的方法，通过选择合适的离子注入方向，使电场能可控的集中到局域的尖峰范围内，从而使每次操作以及每个器件的阻变行为发生在同一位置，进而有效提高器件一致性。本发明采用较简单的工艺方法，即可制备高一致性阻变存储器，同时避免采用贵金属Pt做电极，更有利于工艺集成。

公开(公告)号：CN103227283A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310141859.X

申请日：2013-04-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  余牧溪 ,  蔡一茂 ,  黄英龙 ,  白文亮 ,  方亦陈 ,  黎明

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种基于TaOx的自整流阻变存储器及其制备方法，制备方法为：1）在衬底制备底电极，通过光刻形成底电极图形；2）对底电极图形区域进行n+/p+离子重掺杂形成底电极；3）在底电极上制备TaOx薄膜，根据底电极的掺杂类型和TaOx杂质能级范围，选择顶电极材料；4）在氧化薄膜上溅射并图形化顶电极，完成制备，得到图形化的衬底部分经过n+/p+重掺杂处理形成的底电极，在顶电极和底电极间的阻变薄膜上有一肖特基接触面和一欧姆接触面的阻变存储器。本发明采用重掺杂Si做基于TaOx的RRAM底电极，并合理选择顶电极和采用合适的操作方法，实现适用于高密度集成的与CMOS工艺完全兼容的自整流存储器。