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公开(公告)号：CN115440882A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210908734.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供铁电‑磁隧道结器件和新型存储器件的数据读取方法，其中铁电‑磁隧道结器件包括依次层叠的第一铁磁层、铁电层、第二铁磁层、绝缘层和第三铁磁层；其中，第一铁磁层和第二铁磁层采用相同的铁磁性金属材料，第一铁磁层和铁电层的界面与第二铁磁层和铁电层的界面具有对称结构；铁电‑磁隧道结器件通过外部电场控制铁电层的电极化状态翻转实现自旋电流极性变化，从而实现铁电‑磁隧道结器件的高低阻值状态变化。通过上述方式，本发明的器件通过电场控制铁电层的电极化状态翻转实现自旋电流极性变化从而实现器件的高低阻值状态变化，可以实现快速低功耗电写入和无损磁读取操作，是一种具有快速、低功耗等优点的新型存储器件。
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公开(公告)号：CN107976248B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610933350.2
申请日：2016-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明公开了一种能够实现相位解调的分布式光纤传感系统及其测量方法。本发明的分布式光纤传感系统包括：窄线宽激光器、第一耦合器、第一声光调制器、第二声光调制器、延时光纤、第二耦合器、第一掺铒光纤放大器、环形器、第二掺铒光纤放大器、滤波器、光电探测器、数据采集卡和工控机；本发明在传统的Φ‑OTDR系统中引入了外差脉冲对，将光纤某一位置的振动信号调制到外差频率上，通过外差解调算法得到待测光纤沿线任意位置的外界振动信号的幅度和频率；本发明能够实时得到待测光纤沿线任意位置的外界振动信号的幅度和频率，并且可以获得很大的动态范围；以外差频率为50kHz为例，系统可以探测幅度从0.1rad到100rad的信号，同时可以探测频率从10Hz到25kHz的信号。
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公开(公告)号：CN108770139A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810315063.4
申请日：2018-04-10
Applicant: 北京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种用于光纤传感系统的声光调制器驱动器及其产生方法。本发明采用单个脉冲输入至脉冲延时电路，输出两个具有延时的脉冲，并通过单片机控制时间间隔；单片机分别控制第一和第二直接数字频率合成芯片的连续射频信号的频率输出至第一和第二开关电路，第一和第二脉冲分别作用于第一和第二开关电路，将连续射频信号截取为脉冲射频信号；经过功率合成电路和功率放大电路后，驱动单个声光调制器AOM工作；本发明使用一个AOM即可产生所需的差分延时脉冲对，并且不需要再使用额外的光纤引入延时，降低了系统成本；同时，脉冲对之间的时间间隔能够根据需要进行调整，因此增加了系统的灵活度和适用范围。
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公开(公告)号：CN102832256A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210330687.6
申请日：2012-09-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种隧穿场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述源区与沟道区的接触区域为非本征材料，且不同于源区的掺杂类型。本发明通过在源区和沟道区接触处进行不同于源区的掺杂，使器件在开态时具有较窄的源端到沟道的隧穿层厚度，从而提高开态电流。由于该方法并未改变关态时源端到漏端的隧穿层厚度，所以可以保持较低的关态电流，因此，利用该方法可以得到更高的开关比和较低的亚阈值斜率，从而可以得到较好的器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102694030A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210180199.1
申请日：2012-06-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及隧穿场效应晶体管技术领域，公开了一种具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述沟道区的材料为石墨烯纳米带，所述源区的材料为p型掺杂的石墨烯纳米带，所述漏区的材料为n型掺杂的石墨烯纳米带，且所述源区的石墨烯纳米带的宽度大于所述沟道区、漏区的石墨烯纳米带的宽度。本发明利用石墨烯纳米带形成的异质结构在保持隧穿场效应晶体管较小漏电流的同时增大开态电流，并进一步减小亚阈值斜率。
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公开(公告)号：CN1227815C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN02158590.3
申请日：2002-12-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种双边鉴频鉴相器及采用该鉴频鉴相器的锁相环。双边鉴频鉴相器，包括上升边鉴频鉴相逻辑模块，还包括下降边鉴频鉴相逻辑模块，下降边鉴频鉴相逻辑模块与上升边鉴频鉴相逻辑模块并联，构成双边鉴频鉴相器上下半电路的鉴频鉴相逻辑模块—双边鉴频鉴相逻辑模块，双边鉴频鉴相逻辑模块输出端与输出逻辑模块相连，输出逻辑模块将上半电路双边鉴频鉴相逻辑模块和下半电路双边鉴频鉴相逻辑模块的输出脉冲信号进行逻辑操作，使得在输入信号的上升边和下降边都产生正比于两输入信号相差的输出信号(up/dn)。本发明的双边鉴频鉴相器鉴频鉴相速度快、增益高、减少相位误差累积、功耗小、电路结构简单，锁相环收敛速度快、稳态相差小、功耗小。
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公开(公告)号：CN117855274A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311627591.0
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H03K3/3568 , H03K19/20 , H01L27/092 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供多值晶体管及多值逻辑电路，涉及多值晶体管领域，所述多值晶体管包括：通道层以及设置于通道层的栅极、源极和漏极；电子过滤结构，电子过滤结构具有至少一个过滤能带隙，电子过滤结构与源极连接以过滤在过滤能带隙的范围内流向源极的电子，或者电子过滤结构与漏极连接以过滤在过滤能带隙的范围内流向漏极的电子；至少存在一个过滤能带隙位于通道层的势垒变化范围内，以在通道层的势垒导带底部能级落入过滤能带隙的范围时，使通道层的电流不变形成电流平台。通过设置有电子过滤结构，利用过滤能带隙过滤流向通道层的电子，使得在栅极电压增加过程中，通道层电流变化曲线出现电流平台形成中间态，实现三值或更多值功能。
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公开(公告)号：CN115101599A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210547399.X
申请日：2022-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种肖特基晶体管、二极管、冷源半导体结构及其制备方法。冷源半导体结构包括：重掺杂P型区、金属区和轻掺杂N型区，所述金属区连接于所述重掺杂P型区与所述轻掺杂N型区之间；且所述金属区为硅化铂，所述轻掺杂N型区邻近所述金属区的一端掺杂有硫离子。本发明能够降低半导体结构接触的肖特基势垒，提升开态电流。
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公开(公告)号：CN115084268A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210565204.4
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08
Abstract: 本申请公开了一种冷源结构和冷源结构金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：常规金属、冷金属、第一绝缘掩蔽层和源端；常规金属通过冷金属与源端相连，用于连接外加电压，引入电流；冷金属为附着在第一绝缘掩蔽层和源端上的一薄层，用于过滤常规金属引入的电流中的高能量载流子；第一绝缘掩蔽层在常规金属和源端之间，用于隔开常规金属与源端，防止电流中的电子隧穿至源端。通过将常规金属与源端通过第一绝缘掩蔽层分隔，使用冷金属连接被分隔的常规金属和源端，能够过滤亚阈值区域的高能载流子，同时防止电子从常规金属隧穿至源端，使冷源结构失效，冷源结构可使亚阈值电流在亚阈值区的斜率变陡，实现超陡亚阈值摆幅，提升开关性能，降低功耗，不影响晶体管开态。
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