公开(公告)号：CN117936590A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410030098.9

申请日：2024-01-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘飞 ,  王治江 ,  张力公 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明提供一种基于冷源结构的二极管，涉及集成电路技术领域，包括设置在一侧的冷源结构和设置在另一侧的轻掺杂半导体结构；冷源结构和轻掺杂半导体结构相接触；冷源结构包括N+型重掺杂半导体材料、具有金属性质的材料和P+型重掺杂半导体材料，其中具有金属性质的材料设置在N+型重掺杂半导体材料和P+型重掺杂半导体材料之间；轻掺杂半导体结构包括轻掺杂材料；轻掺杂材料中的材料为p型掺杂半导体材料，本征掺杂半导体材料和n型掺杂半导体材料中的一种。通过上述方式，本发明的二极管够实现理想因子低于1的电流电压特性，实现极低的二极管开启电压，实现极高的整流比，降低二极管的功耗。

公开(公告)号：CN115579400A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211080236.1

申请日：2022-09-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘飞 ,  王治江 ,  张力公 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种基于冷金属的冷源二极管结构。所述冷源二极管结构的一侧为冷金属区域，另一侧为半导体区域，所述冷金属区域和所述半导体区域相接触；所述冷金属区域采用具有冷金属性质的材料。本发明提供的基于冷金属的冷源二极管结构能够实现理想因子低于1的电流电压特性，实现极低的二极管开启电压，降低二极管的功耗。还可以实现很好的负微分电阻效应，可以用来实现多值逻辑，降低电路的复杂度。

公开(公告)号：CN117855274A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311627591.0

申请日：2023-11-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘飞 ,  谢晓鑫 ,  王治江 ,  刘晓彦

IPC: H01L29/78 ,  H03K3/3568 ,  H03K19/20 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供多值晶体管及多值逻辑电路，涉及多值晶体管领域，所述多值晶体管包括：通道层以及设置于通道层的栅极、源极和漏极；电子过滤结构，电子过滤结构具有至少一个过滤能带隙，电子过滤结构与源极连接以过滤在过滤能带隙的范围内流向源极的电子，或者电子过滤结构与漏极连接以过滤在过滤能带隙的范围内流向漏极的电子；至少存在一个过滤能带隙位于通道层的势垒变化范围内，以在通道层的势垒导带底部能级落入过滤能带隙的范围时，使通道层的电流不变形成电流平台。通过设置有电子过滤结构，利用过滤能带隙过滤流向通道层的电子，使得在栅极电压增加过程中，通道层电流变化曲线出现电流平台形成中间态，实现三值或更多值功能。