-
-
公开(公告)号：CN1157805C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN01118325.X
申请日：2001-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 半导体发光二极管及其制备方法，在普通半导体发光二极管基片上用圆盘式台面基本发光腔、微结构和电极接触相结合的设计，在圆台面p型金属电极顶部蚀刻二维周期性微结构，周期为亚微米或微米级，深度达到n型区。可用半导体光刻和干法刻蚀微加工技术或FIB两种方法制成。与在同一基片上所制同面积发光二极管比，在同样电流下发光强度增至1.6-8倍。可用于InGaN基量子阱蓝绿光发光二极管制备及各种材料系半导体和有机发光二极管的研制。
-
公开(公告)号：CN116206981A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310487898.9
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种规模化制备全二维短沟道场效应晶体管的方法。本发明通过采用单层石墨烯作为与半导体材料接触的源漏电极，有效抑制肖特基势垒，降低了场效应晶体管的功耗；采用单层二维半导体层作为沟道材料，降低短沟道效应带来的影响；采用氦离子显微镜对单层石墨烯进行聚焦氦离子束直写刻蚀，能够稳定得到纳米尺度的沟道；本发明所定义的沟道的宽度为场效应晶体管内实际参与工作的单层二维半导体层的宽度，提升场效应晶体管性能的稳定性；利用干法转移得到范德华异质结，局域电介电层同时作为保护层将沟道材料进行封装，有效提升场效应晶体管的质量与耐久度；局域电介电层和全域电介电层形成上下调制的双栅极结构，提升场效应晶体管的性能。
-
公开(公告)号：CN111188086B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010123961.7
申请日：2020-02-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法，将多层单晶铜箔叠合在一起形成层叠体，采用在加压的同时高温退火的方式将所述层叠体加压退火成一体，或者是采用直接热轧的方式将所述层叠体压合成一体，制备出超高导电多层单晶压合铜材料。该方法用多层单晶铜箔作为原料，利用热轧或压合退火的方法制备出超高导电多层单晶压合铜材料，其电导率大于等于105％IACS。本发明提出的方法，解决了单晶铜材料制备成本高昂，技术复杂，价格昂贵，无法大规模生产等一系列问题，通过非常简单的方法，实现了超高导电多层单晶压合铜材料的制备。
-
公开(公告)号：CN111690983A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910179992.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，所述方法为商业多晶铜箔作为原料，利用预先氧化保护然后退火的工艺制备出Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面等一系列米级大单晶高指数面铜箔。本发明提出的方法，解决了Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面单晶铜箔价格和制备成本高昂且市场上没有产品供应的问题，通过非常简单的方法，实现了高质量米级大单晶Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面铜箔的宏量制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111690982A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910179967.3
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明首次提出一种利用任意指数面的单晶铜箔生长单晶石墨烯的方法，所述方法包括如下步骤：S1，制备任意指数面的单晶铜箔；S2，选用所述单晶铜箔作为衬底，并在其上生长出高质量超大尺寸的单晶石墨烯。本发明首次在非Cu(111)、Cu(100)等常见晶面上生长大尺寸单晶石墨烯，在成功制备Cu(211)、Cu(323)、Cu(110)、Cu(236)、Cu(331)、Cu(256)、Cu(553)、Cu(659)、Cu(736)、Cu(748)、Cu(671)等晶面的单晶铜箔上均成功生长了连续的大尺寸的单晶石墨烯；在这些晶面上均长出了单层均匀且高质量的石墨烯。
-
公开(公告)号：CN111663175A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910171869.5
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种通过嫁接制备单晶金属的方法，以已有的金属单晶A为子晶，将其放置在需要单晶化的金属B上，通过退火工艺处理，嫁接得到与子晶晶面指数相同的大尺寸单晶金属B。本发明提出的方法，解决了单晶金属难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用小尺寸(0.05～1cm2)的单晶金属制得了大面积(1～700cm2)的单晶金属。
-
公开(公告)号：CN109837587B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810493951.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种元素辅助快速制备大尺寸单晶二维材料的方法，涉及单晶石墨烯及其它二维材料的制备方法。其主要特征为用金属箔片作为催化剂及生长基底，用含特定元素的衬底与金属箔片紧密接触，然后利用常压化学气相沉积法，快速获得大尺寸高质量单晶石墨烯及其它二维材料。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备大尺寸单晶二维材料生长周期长的技术问题，通过非常简单的方法，实现了极其快速地制备出高质量大尺寸的单晶石墨烯及其它二维单晶样品。
-
公开(公告)号：CN109883347B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910194330.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供了一种基于光学三倍频的测量二维材料应变张量的装置及方法。所述装置包括脉冲激光光源、反射镜、第一偏振片、分束镜、1/2波片、镜头、被测二维样品、滤光片、第二偏振片和光谱仪。本发明实现了对二维材料应变张量的测量，具有测量速度快、简单有效、不破坏被测样品的特点。本发明首次实现了不受二维材料体系(能带结构、晶体对称性等)限制的应变张量测量，对与应变工程精准调控二维材料性能，以满足其在光学、电学、光电子学器件等领域的应用具有极大帮助。
-
公开(公告)号：CN108728813B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710278012.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置，涉及超大单晶薄膜的制备方法。所述方法为将原材料(如金属箔片)或所需耐高温衬底放在耐高温隔离支架中，置于局部高温加热体上，然后利用常压化学或物理气相沉积法，采用局部高温加热，并在非熔融状态下利用高温驱动单个小晶畴或成核位点长大的原理，通过两端的转动装置，直接或在各类耐高温衬底表面快速连续获得高质量超大单晶薄膜。本发明提出的方法，解决了传统方法制备的单晶薄膜能耗高、工艺复杂、设备昂贵，以及所制备单晶薄膜尺寸受限、质量不高导致性能大大降低等技术问题，通过非常简单的方法，实现了快速连续制备高质量超大单晶薄膜样品。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.022 seconds)
