公开(公告)号：CN1581399A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN03149784.5

申请日：2003-08-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 俞大鹏 ,  张晔 ,  贾宏博

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

Abstract: 本发明公开了一种场发射针尖及其制备方法与应用。本发明所提供的场发射针尖，是固定在硅衬底上的尖端为10－1－100nm量级的氧化铟或氧化铟锡纳米晶体。本发明还提供了该场发射针尖的制备方法。本发明的场发射针尖可用于制备平板显示器或Spindt型冷阴极。

公开(公告)号：CN100383923C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200410029905.8

申请日：2004-03-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 俞大鹏 ,  张晔 ,  贾宏博

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/24 ,  C23C14/08 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底纳米氧化锌及其制备方法和应用，本发明提供的硅衬底纳米氧化锌，由硅衬底及均匀定向生长在硅衬底上的纳米氧化锌组成，所述纳米氧化锌具有六方相的晶相，所述纳米线的直径为80-120纳米，长度为1-100微米。本发明提供的制备硅衬底纳米氧化锌的方法，包括如下步骤：1)利用电子束蒸发或磁控溅射的方法在硅衬底上蒸镀金催化剂，采用纯金属锌为蒸发源；2)经抽真空洗气后，在惰性气体保护下，将反应腔的温度升至450-550℃，然后引入惰性气体与O2的混合气体，反应10-30分钟。本发明的硅衬底纳米氧化锌在制备Spindt型冷阴极或纳米紫外和蓝光光源结构材料中将得到广泛应用。

公开(公告)号：CN1674230A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410029905.8

申请日：2004-03-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 俞大鹏 ,  张晔 ,  贾宏博

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/24 ,  C23C14/08 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种硅衬底纳米氧化锌及其制备方法和应用，本发明提供的硅衬底纳米氧化锌，由硅衬底及均匀定向生长在硅衬底上的纳米氧化锌组成，所述纳米氧化锌具有六方相的晶相，所述纳米线的直径为80－120纳米，长度为1－100微米。本发明提供的制备硅衬底纳米氧化锌的方法，包括如下步骤：1)利用电子束蒸发或磁控溅射的方法在硅衬底上蒸镀金催化剂，采用纯金属锌为蒸发源；2)经抽真空洗气后，在惰性气体保护下，将反应腔的温度升至450－550℃，然后引入惰性气体与O2的混合气体，反应10－30分钟。本发明的硅衬底纳米氧化锌在制备Spindt型冷阴极或纳米紫外和蓝光光源结构材料中将得到广泛应用。

公开(公告)号：CN1300818C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03149784.5

申请日：2003-08-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 俞大鹏 ,  张晔 ,  贾宏博

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J31/12

Abstract: 本发明公开了一种场发射针尖及其制备方法与应用。本发明所提供的场发射针尖，是固定在硅衬底上的尖端为10-1-100nm量级的氧化铟或氧化铟锡纳米晶体。本发明还提供了该场发射针尖的制备方法。本发明的场发射针尖可用于制备平板显示器或Spindt型冷阴极。