公开(公告)号：CN101179054A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710170066.5

申请日：2007-11-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603 ,  Y10S438/967 ,  Y10T428/31612

Abstract: 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。

公开(公告)号：CN101174658A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710185123.7

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/1896 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明导电性粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜，并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN107636801B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201680031978.1

申请日：2016-06-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面无破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体的离子注入层赋予机械冲击的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

公开(公告)号：CN107615448B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201680032041.6

申请日：2016-06-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体赋予超声波振动，沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

公开(公告)号：CN104736477B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201380053732.0

申请日：2013-08-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  C30B29/02 ,  C30B29/36 ,  C30B31/22 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02043 ,  H01L21/324

Abstract: 涉及可便宜地制造无缺陷的纳米碳膜的、使用混合基板的纳米碳膜的制造方法，其特征在于，自单晶的碳化硅基板的表面注入离子而形成离子注入区域，将上述碳化硅基板的经离子注入的表面与基底基板的表面贴合，随后在上述离子注入区域使碳化硅基板剥离而制造在基底基板上转印有包含单晶的碳化硅的薄膜的混合基板，接着加热该混合基板使硅原子从上述包含单晶的碳化硅的薄膜升华，得到纳米碳膜。

公开(公告)号：CN104040685B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201280063158.2

申请日：2012-12-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/02 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007

Abstract: 一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。

公开(公告)号：CN106062922A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580009375.7

申请日：2015-02-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  小西繁

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1203 ,  B32B9/04 ,  B32B37/025 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/206 ,  B32B2313/00 ,  B32B2315/02 ,  B32B2315/08 ,  B32B2457/14 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7812 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明涉及复合基板，是在热导率为5W/m·K以上并且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板11的至少表面具有单晶半导体薄膜13的复合基板，其中，在上述无机绝缘性烧结体基板11和单晶半导体薄膜13之间具有由多晶硅或非晶硅构成的硅被覆层12。根据本发明，即使是在对于可见光为不透明、导热性良好、而且高频区域中的损失小、并且价格低的陶瓷烧结体上设置了单晶硅薄膜的复合基板，也可以抑制来自烧结体的金属杂质污染，使特性提高。

公开(公告)号：CN104701239A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510117172.1

申请日：2007-11-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。

公开(公告)号：CN104040685A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280063158.2

申请日：2012-12-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/02 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007

Abstract: 一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。

公开(公告)号：CN102017070B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200980116731.X

申请日：2009-10-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  野岛义弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256

Abstract: 本发明提供了一种SOI晶片的制造方法，上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生，同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序；将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序；为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序；通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的工序。