具备氧化物单晶薄膜的复合晶片及其制造方法

    公开(公告)号:CN107636801B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN201680031978.1

    申请日:2016-06-01

    Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法,复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面无破裂或剥落,且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括:从表面注入氢原子离子或氢分子离子,从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序;对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序;将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序;在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序;以及对经热处理的接合体的离子注入层赋予机械冲击的工序,且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

    具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN107615448B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201680032041.6

    申请日:2016-06-01

    Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法,复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落,且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括:从表面注入氢原子离子或氢分子离子,从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序;对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序;将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序;在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序;以及对经热处理的接合体赋予超声波振动,沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

    复合基板
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104040685B

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201280063158.2

    申请日:2012-12-20

    CPC classification number: H01L29/02 H01L21/02002 H01L21/2007

    Abstract: 一种复合基板,具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜,或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明,可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体,提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。

    半导体衬底的制造方法
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104701239A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201510117172.1

    申请日:2007-11-12

    CPC classification number: H01L21/76254 H01L27/1266 H01L29/78603

    Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为:以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量,将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面),形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入,形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是,不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度,加热贴合状态的衬底,利用赋予外部冲击,将热处理后的贴合衬底,沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12),剥离Si结晶膜。然后,对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等,除去损伤,而得到半导体衬底。

    复合基板
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104040685A

    公开(公告)日:2014-09-10

    申请号:CN201280063158.2

    申请日:2012-12-20

    CPC classification number: H01L29/02 H01L21/02002 H01L21/2007

    Abstract: 一种复合基板,具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×108Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜,或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明,可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体,提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。

    转印有硅薄膜的绝缘性晶片的制造方法

    公开(公告)号:CN102017070B

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN200980116731.X

    申请日:2009-10-29

    CPC classification number: H01L21/76254 H01L21/76256

    Abstract: 本发明提供了一种SOI晶片的制造方法,上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生,同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序:对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序;将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序;将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序;为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度,对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序;将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序;通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击,将氢离子注入层进行剥离的工序。

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