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公开(公告)号：CN103474037A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310223653.1
申请日：2013-06-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G09G3/36
CPC classification number: H03K17/005 , G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G11C19/28 , H01L27/1214
Abstract: 本发明涉及有源矩阵面板、检测装置和检测系统。一种有源矩阵面板包括与多个晶体管的控制电极连接的栅极线和向栅极线供给导通电压和非导通电压的驱动电路。驱动电路包括包含相互连接的多个移位寄存器单元电路的移位寄存器和包含移位寄存器单元电路的输出信号所输入的多个解复用器单元电路的解复用器。解复用器单元电路包含用于向栅极线供给导通电压的第一晶体管和用于向栅极线供给非导通电压的第二晶体管。当第二晶体管处于导通状态时，第一晶体管从非导通状态变为导通状态。
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公开(公告)号：CN103066083A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210404438.7
申请日：2012-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14665
Abstract: 本发明提供一种检测设备和检测系统，检测设备包括：晶体管，其配置在基板上；转换元件，其配置在晶体管上并连接至晶体管；电容器，其与转换元件并联连接至晶体管，该电容器在基板和转换元件之间包括：连接至转换元件的欧姆接触部、连接至欧姆接触部的半导体部、以及配置在隔着绝缘层与半导体部和欧姆接触部相对的位置处的导电部；以及电势供给单元，用于向导电部选择性地供给第一电势以在半导体部中积累载荷子，以及向导电部选择性地供给第二电势以耗尽半导体部。由上述方式配置的检测设备能够控制像素的电容，从而实现高的信噪比。
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公开(公告)号：CN102569318A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110424534.3
申请日：2011-12-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , A61B6/00
CPC classification number: H01L27/14663 , G09G3/3659
Abstract: 本申请涉及矩阵衬底、检测设备、检测系统和驱动检测设备的方法。提供一种矩阵衬底，所述矩阵衬底实现高操作速度和高可靠性，并能够在连接端子数量有限的同时获得高质量图像。所述矩阵衬底包括按矩阵布置的像素、在列方向上布置的N个驱动线、P个连接端子和解复用器，其中，P小于N，所述解复用器设置在连接端子与驱动线之间并包括第一多晶半导体TFT和第一连接端子。所述解复用器还包括在连接端子之一与驱动线中的两个或更多个之间的第二多晶半导体TFT和第二控制线，第二控制线用于使驱动线保持具有使像素处于非选择状态的非选择电压。
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公开(公告)号：CN112798626A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011255945.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G01N23/04 , G01N23/041
Abstract: 本发明提供一种放射线摄像装置和放射线摄像系统。该装置包括：多个像素，各像素包括转换元件和开关；被构造为经由驱动线控制开关的驱动电路；被构造为经由偏置线向转换元件供应偏置电位的偏置电源单元；从所述多个像素向其输出信号的列信号线；以及检测单元。所述多个像素包括在行方向上彼此相邻且连接到公共列信号线的第一像素和第二像素。第一像素的开关和第二像素的开关连接到彼此不同的驱动线。检测单元基于流向偏置线的电流来确定有/无放射线照射。
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公开(公告)号：CN105030262B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510214405.X
申请日：2015-04-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: G01T1/2018 , A61B6/4208 , H01L27/14609 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H04N5/32
Abstract: 本发明涉及放射线成像装置和放射线成像系统。放射线成像装置具有：多个像素，包括用于获得放射线图像的多个成像像素和用于检测放射线的检测像素；多条列信号线；以及检测信号线，对应于检测像素。每个成像像素包括：第一转换元件，被配置为将放射线转换成电信号；以及第一开关，被布置在第一转换元件与所述多条列信号线当中的相应的列信号线之间。检测像素包括：第二转换元件，被配置为将放射线转换成电信号；以及第二开关，被布置在第二转换元件和检测信号线之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104851897B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510068263.0
申请日：2015-02-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: A61B6/4233 , A61B6/50 , G01T1/2018 , G01T1/2928 , H01L27/14663
Abstract: 本发明涉及辐射检测装置和辐射检测系统。辐射检测装置包括：转换元件，包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极；切换元件，与第一电极电连接；以及第一绝缘层，分离相邻像素的转换元件。半导体层位于第一电极与第二电极之间。半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面。半导体层包括第一杂质半导体层、第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层。限定该装置的参数，以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2％。
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公开(公告)号：CN103219349B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310020407.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: G09G5/003 , G09G3/20 , G09G3/3266 , G09G3/3674 , G09G2300/0426 , G09G2310/0267 , G09G2310/0281 , G09G2310/0297 , G09G2330/021
Abstract: 本发明涉及一种矩阵基板、检测装置和检测系统，其中所述矩阵基板包括以行和列的矩阵形式进行设置的多个像素。在所述矩阵基板中，单元电路中所包括的晶体管的导通电压和非导通电压以驱动像素的频率的一半的频率被提供至控制线，其中，所述单元电路包括连接至多个连接端子的信号分离器，所述多个连接端子被设置为数量少于驱动线的数量，所述驱动线共同地连接至行方向上的多个像素并且在列方向上彼此并列设置，所述控制线连接至晶体管的控制电极。因而，提供了能够抑制连接端子的数量并减少耗电的矩阵基板。
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公开(公告)号：CN102593188B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210057047.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1233
Abstract: 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
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公开(公告)号：CN102885632B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201210250693.0
申请日：2012-07-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: H04N5/3765 , H01L27/14609 , H01L27/14663 , H01L27/14692 , H04N5/32
Abstract: 本发明涉及放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统。该检测装置包括：驱动电路单元，在所述驱动电路单元中，为多个对应的驱动线提供了多个单元电路，每个单元电路包括第一电路和第二电路，所述第一电路根据启动信号将像素的开关元件的基于时钟信号中所包括的电压的导通电压供给驱动线，所述第二电路根据终止信号将所述开关元件的非导通电压供给驱动线；和控制单元，所述控制单元将所述时钟信号供给所述驱动电路单元。所述控制单元将控制电压供给所述多个单元电路，所述多个单元电路中的每个还包括第三电路，所述第三电路根据所述控制电压继续将非导通电压供给对应的驱动线。
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公开(公告)号：CN103390626A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310164953.7
申请日：2013-05-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , G01T1/24 , H01L27/14632 , H01L27/14676 , H01L27/14683 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了检测装置、检测系统以及检测装置的制造方法。该检测装置包含多个转换元件，每个转换元件包含：第一电极，其设置在基板上；半导体层，其设置在所述第一电极上；杂质半导体层，其设置在所述半导体层上，并且至少包含第一区域和第二区域；以及第二电极，其设置在所述杂质半导体层的所述第一区域上并且与所述杂质半导体层接触。设置在所述杂质半导体层不与所述第二电极接触的位置处的所述第二区域中的薄层电阻小于所述第一区域中的薄层电阻。
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