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公开(公告)号：CN110709968A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880037318.3
申请日：2018-06-07
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，制造在基板上具有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管的制造方法包括通过使用等离子体来溅射靶材而在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤，所述形成氧化物半导体层的步骤包括：第一成膜步骤，仅供给氩气作为溅射气体来进行溅射；以及第二成膜步骤，供给氩气与氧气的混合气体作为溅射气体来进行溅射；并且对所述靶材施加的偏电压为-1kV以上的负电压。
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公开(公告)号：CN104427736A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410415737.X
申请日：2014-08-21
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，可以提升在天线的长度方向上的基板处理的均匀性。天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造。高频电极形成：使2片电极导体以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且高频电流相互逆向地流向两电极导体。且在电极导体的间隙侧的边形成开口部，将该开口部以多个分散并配置在高频电极的长度方向。将该天线以高频电极的主面与基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在真空容器内。
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公开(公告)号：CN104282768A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410324134.9
申请日：2014-07-09
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 安东靖典
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/428 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明为薄膜晶体管的制作方法，其课题在于当进行自对准工序中的准分子激光照射时，防止构成薄膜晶体管的膜的温度过大地上升。此制作方法中，从基板2侧对于如下的构造体14a照射准分子激光16，构造体14a是在使准分子激光16透过的基板2上形成有防扩散膜4、在防扩散膜4上形成有栅极电极6及栅极绝缘膜8、在栅极绝缘膜8上形成有氧化物半导体层10的构造体，使用栅极电极6作为掩模，对于氧化物半导体层10的与栅极电极6对应的区域的两外侧的区域照射准分子激光16而进行低电阻化处理，使两外侧的区域中的一者成为源极区域18，使另一者成为漏极区域19。防扩散膜4包含在氮化硅膜中含氟的氟化氮化硅膜(SiN:F)。
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公开(公告)号：CN103688371A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280034187.6
申请日：2012-02-03
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 日新电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/075 , H01L31/0368
CPC classification number: H01L31/1824 , H01L31/062 , H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/545 , Y02P70/521 , H01L31/0745
Abstract: 本发明的主要目的在于，能够进行在成膜时缺陷少且不含过量的氢的薄膜形成，进而，能够在成膜后对在成膜时产生的缺陷进行补偿，以减少界面及薄膜中的缺陷，由此，实现长载流子寿命。本发明是具有在结晶硅基板(50)上形成有硅薄膜(52)的结构的太阳能电池的制造方法。所述制造方法包括：薄膜形成工序，其通过由电感耦合生成等离子体的电感耦合型等离子体CVD法，在结晶硅基板(50)上，形成包含微小的硅结晶的微晶硅薄膜，以作为硅薄膜(52)；以及水蒸气热处理工序，其在5×105Pa以上压力的水蒸气环境中，对形成有该微晶硅薄膜的基板实施热处理。
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公开(公告)号：CN103098187A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201080069030.8
申请日：2010-12-08
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/0214 , C23C16/30 , C23C16/308 , H01L21/02274 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本发明的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计(N+O+F)相对于硅Si的元素比率(N+O+F)/Si处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～0.41、氮的元素比率处于0.10～0.22、氧的元素比率处于0.14～0.38及氟的元素比率处于0.17～0.24的范围内。该膜可使用例如四氟化硅气体、氮气及氧气来作为原料气体28，利用通过感应耦合而生成等离子40的感应耦合型等离子化学气相沉积法，而形成在基板20上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118235526A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074366.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 日新电机株式会社
Inventor： 安东靖典
IPC: H05H1/46 , C23C16/505 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 一种等离子体处理装置，使高频电流流经设置于真空容器的外部的天线而在所述真空容器内产生等离子体，所述等离子体处理装置包括：狭缝板，堵塞形成于所述真空容器的面向所述天线的位置的开口；介电板，自所述真空容器的外侧堵塞形成于所述狭缝板的狭缝；以及掩模板，自所述真空容器的内侧隔开间隙地覆盖所述狭缝。
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公开(公告)号：CN114127956B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202080051447.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，能够高效率地形成与其他层的界面处的氧缺失等缺陷少的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管的制造方法是制造在基板上层叠有栅极电极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极电极及漏极电极的薄膜晶体管的方法，其包括通过使用等离子体来溅射靶材而形成所述氧化物半导体层的半导体层形成步骤，且所述半导体层形成步骤包括：高速成膜步骤，对所述靶材施加规定值的偏压来进行溅射；以及低速成膜步骤，对所述靶材施加绝对值较所述规定值小的偏压来进行溅射。
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公开(公告)号：CN117501454A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202380010645.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/425 , H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 一种固定电荷控制方法，为对半导体元件中使用的绝缘膜内的固定电荷进行控制的方法，所述方法中，在所述绝缘膜的表面形成金属膜，经由所述金属膜对所述绝缘膜进行离子注入，由此在所述绝缘膜中显现出固定电荷。
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公开(公告)号：CN117044405A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280022235.3
申请日：2022-07-15
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明的课题在于使电介质板的处理变得容易并且降低电介质板因电介质板的热膨胀而破损的可能性。等离子体处理装置(1)包括真空容器(2)、天线(6)以及磁场导入窗(3)，磁场导入窗(3)具有形成有多个狭缝(41)且具有桥接部(42)的金属板(4)、以及覆盖多个狭缝(41)的多个长方形形状的电介质板(5)，以相邻的电介质板(5)各自的相互相向地邻接的边位于桥接部(42)上的方式配置多个电介质板(5)。
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