公开(公告)号：CN100344004C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200410044554.8

申请日：1998-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04 ,  Y10S117/902 ,  Y10S438/942

Abstract: 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底(2)上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗(10)的屏蔽层(8)，和外延层生成工序，在屏蔽层(8)上，生长由GaN构成的外延层(12)。

公开(公告)号：CN1933204A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610159296.7

申请日：2002-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN1176502C

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN01122442.8

申请日：2001-07-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  笠井仁 ,  冈久拓司

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种贯通位错密度小，而且在基体表面中不存在位错束，不产生劈开面紊乱的GaN基体制造方法和GaN基体。对GaN单结晶锭，在与生长方向平行的面处进行切片加工制作基体，由于位错走向平行于表面，形成低位错密度。将其作为晶种生长GaN。

公开(公告)号：CN1129169C

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN98109431.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  松岛政人 ,  秋田胜史 ,  嶋津充 ,  竹本菊郎 ,  关寿 ,  缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供有在立方晶系半导体(111)衬底上形成的GaN层的外延晶片。包括：立方晶系半导体(111)衬底；在所述衬底上形成厚度为60nm以上的第一GaN层；和在第一GaN层上形成厚度0.1μm以上的第二GaN层。

公开(公告)号：CN1411035A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02145712.3

申请日：2002-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  弘田龙 ,  冈久拓司 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B23/002 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸面构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。

公开(公告)号：CN102308370B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201080007182.5

申请日：2010-02-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  藤原伸介 ,  中幡英章 ,  元木健作

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。

公开(公告)号：CN1992168B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101086963B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN100587132C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200610093660.4

申请日：2002-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  上野昌纪

IPC: C30B29/38 ,  C30B31/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

Abstract: 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持C面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧。或者，使用表面上具有C面的种晶，在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长，通过小平面，在氮化镓结晶中掺杂氧。

公开(公告)号：CN1992168A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。