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公开(公告)号：CN103616385A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310609114.1
申请日：2013-11-26
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法，该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成，本发明利用单色仪输出均匀的单色光，并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮，再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管，平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上，根据所采集的图像信息得出光电成像器件的光谱响应，再将光电成像器件受高能粒子辐照后，再进行测试一次，即可得到器件的光谱响应辐射损伤，本发明所述的方法结构紧凑，操作简单方便。
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公开(公告)号：CN120044332A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510187422.2
申请日：2025-02-20
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01R31/00 , G01R31/327 , G01R29/02 , G01J1/00
Abstract: 本发明涉及一种光导开关辐射损伤的测试方法，该方法涉及的测试装置是由皮秒脉冲激光器、扩束镜、偏转镜、聚焦镜、光能量计、光导开关测试板、高压直流电源、衰减器、示波器、第一同轴电缆、夹具台、高压电缆、第三同轴电缆、光学狭缝、第二同轴电缆组成，光导开关测试板采用同轴型结构，同时精简电路结构，使得电学回路电磁干扰小、信号传输损伤低。调整聚焦镜或光学狭缝能够改变脉冲激光的光能量强度和光斑大小，并用光能量计监控脉冲激光的光能量强度，实现对光路的精确控制。示波器采集衰减器上的脉冲信号，通过计算可得到导通电阻、上升时间、下降时间、半峰宽和负载峰值功率等光导开关的关键性能参数。满足光导开关辐照损伤效应试验的要求。克服了光导开关测试重复性差、精度低等现有测试问题。
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公开(公告)号：CN119535165A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411670226.2
申请日：2024-11-21
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种ZYNQ芯片电离总剂量辐照实验系统及试验方法，该系统包括ZYNQ电离总剂量辐照试验板、稳压电源、示波器和控制计算机；控制计算机与ZYNQ电离总剂量辐照试验板相连，用以控制ZYNQ电离总剂量辐照试验板在试验中的相关测试程序，并接收实时的试验信息数据；供电电源与ZYNQ电离总剂量辐照试验板连接并监测电压与功耗电流；示波器与ZYNQ电离总剂量辐照试验板连接并监测输出波形。能够在上装至具体的设备前对ZYNQ芯片进行辐照能力测试，避免对其应用产生影响。在辐照源外进行在线测量，能得到准确的ZYNQ的测试参数。
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公开(公告)号：CN119291435A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411454842.4
申请日：2024-10-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种电子器件剂量率与电磁脉冲协和效应试验装置，可应用于电子器件辐射效应技术领域。该装置包括：脉冲功率辐照装置、辐照腔、测试屏蔽单元、屏蔽柜、第一测试设备、第二测试设备、电源、第一电缆以及信号输入设备，其中，脉冲功率辐照装置用于产生脉冲X射线并进入辐照腔内，以使辐照腔内产生脉冲X射线以及电磁脉冲辐照的环境；测试屏蔽单元位于辐照腔的内部，用于放置待测试的电子器件，使其处于单一的脉冲X射线辐照环境或者脉冲X射线辐照和电磁脉冲辐照环境。通过测试屏蔽单元对测试线路板进行两种不同的方式的屏蔽，实现两种环境的试验测试。本发明还提供了一种电子器件剂量率与电磁脉冲协和效应试验测试方法。
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公开(公告)号：CN114912278B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210534852.3
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种CMOS图像传感器像素单元多次脉冲读取电荷传输效率的仿真方法，该方法通过在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，使光电二极管处于积累状态，然后在仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，实现光产生过程的模拟，提取此时钳位光电二极管中的光生载流子数目N1，将浮置扩散节点设置为高电位并保持，同时在传输栅上设置脉冲电压，提取每一次传输栅开启后的钳位光电二极管中剩余光生载流子数目N2，直到钳位光电二极管中剩余光生载流子数目N2不再随时间变化时，利用该N2值计算CMOS图像传感器像素单元的电荷传输效率。本发明可以获得电荷传输效率，还可以直观看到电荷传输过程中的微观电势分布，从而分析得到电荷传输的限制机制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118714285A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410696435.8
申请日：2024-05-31
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N17/00 , G06V10/762 , G06V10/764 , G06V10/56 , G06F17/10 , H04N25/63 , H04N25/78 , G01R29/26
Abstract: 本发明涉及一种天文成像探测器辐照后暗流噪声和读出噪声的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、天文成像探测器样品、直流电源和计算机组成。通过开展天文成像探测器质子辐照损伤试验，对采集到的本底图像和暗场图像的单个像元的灰度值、对应像元位置的均方根值进行提取。对采集到的不同曝光时间下的暗场图像进行逐像素分析，获得可以表征暗流和读出噪声的数据，并在测试暗流时剔除本底，再以曝光时间为横轴，以剔除图像本底的灰度均值为纵轴，对暗流数据进行最小二乘法拟合，并取拟合曲线的线性区域斜率作为暗流噪声值，对读出噪声数据进行高斯拟合，并取拟合出的均值作为读出噪声值，以此提高辐照之后的天文成像探测器暗流噪声和读出噪声的测试准确度。该方法适用于多种天文成像探测器，具有测试方便、误差小、实用性强等优势。
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公开(公告)号：CN114900687B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210538335.3
申请日：2022-05-17
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不同光强对CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法，该方法通过在CMOS图像传感器像素单元曝光阶段开始之前，对钳位光电二极管进行复位，设置传输栅栅压为0V，使光电二极管处于积累状态，然后在仿真环境中采用准直光源入射，调用光注入模型，实现光产生过程的模拟，再设置固定光强，采用瞬态模拟，提取钳位光电二极管中的光生载流子数目随积分时间的变化曲线，获得满阱容量，最后改变光强，重复提取光生载流子数目随积分时间的变化曲线，直到满阱容量与前一次光强条件下的满阱容量相同时停止提取，即实现了不同光
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公开(公告)号：CN117425094A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311428523.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: H04N25/76 , H04N25/708 , H04N25/707
Abstract: 本发明涉及一种图像边缘检测和电流监测相结合的CMOS图像传感器单粒子闩锁在轨维护方法，该方法采用中值滤波算法对CMOS图像传感器在轨实时采集的图像进行平滑预处理，计算CMOS图像传感器每个像素点的梯度强度和方向，比较每个像素点梯度强度与沿着梯度方向上相邻两个像素点的梯度强度，得到真实边缘响应的图像，应用双阈值检测来确定真实边缘响应图像中像素点的真实边缘、潜在边缘和非边缘。针对潜在边缘像素点，以其为中心，检测其周围是否有一个或多个标记为真实边缘的像素点，最后对真实边缘进行形态学膨胀，同时CMOS图像传感器模拟信号电路模块电流超过正常电流值的1.2倍，则判断此时CMOS图像传感器发生现单粒子闩锁，远程控制电源断电重启。本发明在轨判断卫星用CMOS探测器是否发生单粒子闩锁事件，准确率高，安全性高。
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公开(公告)号：CN113758683B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202111031926.3
申请日：2021-09-03
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于平均色彩饱和度的相机系统辐照后光谱退化评估方法，该方法涉及装置是由相机、光学镜头、夹具、中性灰背板、第一反射面光源、第一反射面光源、光谱光度计和色彩测试卡组成。采用调整夹具拍摄色彩测试卡，调节光学镜头，使测试卡成像清晰，进行色块选取和采图，再关闭光源，进行相机在暗场下的采图，通过数据处理软件分析获取选取色块坐标系下的坐标值等参数的相关信息，再计算出色彩还原误差、色度误差和平均色彩饱和度。将经过辐照后的相机重复测试，将辐照后的色彩还原误差、色度误差的均值分别与选定阈值作差值，通过平均色彩饱和度评估相机在不同累积辐射剂量下辐射损伤引起的图像传感器光谱退化程度。本发明可以快速评估相机在不同累积辐射剂量下的辐射损伤，方法简单，实用性强。
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公开(公告)号：CN112945270B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110108151.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明涉及一种基于星对角距平均测量误差的星敏感器辐射损伤外场评估方法，该方法涉及装置由样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、成像镜头、直流电源、计算机和转台组成，调整转台拍摄非天顶方向星区，采取星图进行星点提取、星图匹配，再调整转台的回转角和俯仰角，使外壳结构件上的固定成像镜头能够对准天顶方向天区，得到转台在方位俯仰都是相对0度时对应的星点坐标位置，再计算出非天顶方向星图中匹配成功的任意两颗恒星对应的星敏感器测量坐标系下的方向向量，并计算其夹角，得到测量星对焦距；再计算每幅星图匹配成功的任意两颗恒星在地心赤道惯性坐标系下的夹角，得到理论星对焦距。最后计算星对角距理论值和测量值均值的差值，即为星对焦距平均测量误差。本发明可以在外场条件下快速评估星敏感器在不同累积辐射剂量下辐射损伤，方法
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