光刻胶涂布系统以及更换光刻胶的方法

    公开(公告)号:CN111897187A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010575946.6

    申请日:2020-06-22

    Abstract: 本申请属于光刻胶涂布技术领域,具体涉及一种光刻胶涂布系统以及更换光刻胶的方法,光刻胶涂布系统包括:供胶机构,供胶机构包括依次连接的供胶瓶、过滤器和喷嘴;清理机构,清理机构包括真空装置和真空管路,真空装置通过真空管路与过滤器连接,真空装置通过在真空管路内形成负压的方式将过滤器内的气泡和杂质颗粒吸出。根据本申请的光刻胶涂布系统,当需要用新品种的光刻胶替换光刻胶涂布系统内原有的光刻胶时,需要对光刻胶涂布系统进行清洗才能设置新品种的光刻胶,而对过滤器的清洗尤为重要,本申请通过真空装置吹扫清洗过滤器内附着的气泡和杂质颗粒,以此降低光刻胶涂布系统的清洗时间。

    一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法

    公开(公告)号:CN113823550B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202010567098.4

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 本公开能够提供一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法,该可旋涂硬掩模去除方法包括如下步骤。首先通过第一喷头对晶圆进行边缘斜面冲洗,并通过第二喷头对晶圆进行背面冲洗,以去除晶圆边缘第一预设宽度范围内的可旋涂硬掩模。其次对晶圆边缘上剩余的可旋涂硬掩模进行干燥处理。本公开最后利用第三喷头再对晶圆进行边缘斜面冲洗,从而去除晶圆边缘第二预设宽度范围内的可旋涂硬掩模。本公开一些实施例能在可旋涂硬掩模涂布工艺过程中有效地去除晶圆边缘的可旋涂硬掩模,特别适用于去除晶圆边缘的可旋涂硬掩模凸起。本公开避免了晶圆边缘可旋涂硬掩模对半导体器件的污染,所以本公开能够显著提高半导体器件的良率,具有较高的市场价值。

    光刻胶输送系统
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114345644B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202011091893.7

    申请日:2020-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种光刻胶输送系统,该光刻胶输送系统包括光刻胶供给瓶、缓冲罐和排液胶泵,其中,缓冲罐的顶部设置有进液口和排液口,进液口与光刻胶供给瓶通过进液管路连通,以使光刻胶流入;缓冲罐的底部设置有光刻胶出口,光刻胶出口用于与光刻胶喷嘴连通,以使光刻胶流入光刻胶喷嘴中;排液胶泵与排液口通过排液管路连通,以抽取缓冲罐中的空气。本发明中排液胶泵通过抽取的方式促使光刻胶进入缓冲罐,降低或避免了光刻胶中产生气泡的可能性;而且排液口设置在缓冲罐的顶部,能够将缓冲罐中的空气以及含有气泡的光刻胶抽取出去,不仅避免了浪费大量光刻胶,而且避免了后续光刻胶涂布时由于气泡造成的晶圆缺陷。

    晶圆晶边清洗装置及方法、涂布设备

    公开(公告)号:CN114675493A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202011547731.X

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 本公开提供一种晶圆晶边清洗装置及方法、光刻胶涂布设备。该晶圆晶边清洗装置包括:旋转卡盘,用于承载晶圆;边缘位置传感器,用于检测所述晶圆的边缘相对于所述旋转卡盘中心的边缘位置坐标;控制单元,用于接收所述边缘位置坐标,并基于所述边缘位置坐标计算所述晶圆的实际尺寸,根据所述晶圆的实际尺寸调整晶边清洗宽度,以根据调整后的晶边清洗宽度进行所述晶圆的晶边光刻胶清洗。本公开中,在清洗晶圆边缘的光刻胶时,通过边缘位置传感器来精确检测晶圆边缘位置坐标,从而能够补正由晶圆尺寸差异引起的晶边清洗宽度差异,避免了生产资源的浪费以及制造成本的增加。

    晶圆清洗设备及晶圆清洗方法
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114361060A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202011089747.0

    申请日:2020-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗设备,该晶圆清洗设备包括清洗装置和控制器,清洗装置包括多个可移动的清洗液喷嘴,清洗液喷嘴用于向待清洗的晶圆的晶边喷涂清洗液,各个清洗液喷嘴中的清洗液的成分不同;控制器与清洗装置通信连接,控制器用于根据晶圆上的光刻胶的成分,选择一个或多个清洗液喷嘴向晶圆喷涂清洗液。本实施例提出的晶圆清洗设备通过设置多个清洗液喷嘴喷涂不同成分的清洗液,从而适应多种不同类型的光刻胶,并利用控制器根据光刻胶的成分选择清洗液,并控制对应的清洗液喷嘴移动,进而喷涂清洗液,提高了清洗效果,避免了因清洗液对光刻胶的溶解度低而导致的清洗不完全。

    出胶喷嘴的清洗设备及清洗方法

    公开(公告)号:CN114247677A

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202011017830.7

    申请日:2020-09-24

    Abstract: 本申请涉及一种出胶喷嘴的清洗设备及清洗方法。所述出胶喷嘴的清洗设备,包括:清洗槽,在所述清洗槽内形成有多个用于安置出胶喷嘴的容纳腔;喷液部,所述喷液部设置在所述容纳腔的内壁上,用于向安置在所述容纳腔内的出胶喷嘴喷射清洗液;气体发生装置,所述气体发生装置设置在所述容纳腔的底部,所述气体发生装置用于在所述容纳腔的底部生成气体。本申请提出的清洗设备,可以利用喷液部对出胶喷嘴喷射清洗液,出胶喷嘴的端部浸泡在清洗液中,气体发生装置工作时在容纳腔的底部生成大量气泡,一部分气泡进入到出胶喷嘴的内部,并带动出胶喷嘴内部的清洗液翻动,从而对附着在出胶喷嘴内壁上的污染物形成冲击作用,进而清洗掉污染物。

    一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法

    公开(公告)号:CN113823550A

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202010567098.4

    申请日:2020-06-19

    Abstract: 本公开能够提供一种晶圆边缘上的可旋涂硬掩模去除方法,该可旋涂硬掩模去除方法包括如下步骤。首先通过第一喷头对晶圆进行边缘斜面冲洗,并通过第二喷头对晶圆进行背面冲洗,以去除晶圆边缘第一预设宽度范围内的可旋涂硬掩模。其次对晶圆边缘上剩余的可旋涂硬掩模进行干燥处理。本公开最后利用第三喷头再对晶圆进行边缘斜面冲洗,从而去除晶圆边缘第二预设宽度范围内的可旋涂硬掩模。本公开一些实施例能在可旋涂硬掩模涂布工艺过程中有效地去除晶圆边缘的可旋涂硬掩模,特别适用于去除晶圆边缘的可旋涂硬掩模凸起。本公开避免了晶圆边缘可旋涂硬掩模对半导体器件的污染,所以本公开能够显著提高半导体器件的良率,具有较高的市场价值。

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