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公开(公告)号：CN119674488A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411845713.8
申请日：2024-12-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种微带线的设计方法、装置、设备及介质，涉及微波和射频工程领域，所述微带线的设计方法，包括：根据微带线的基板材料，确定微带线的介电常数；确定微带线的目标源阻抗和目标负载阻抗；其中，所述目标源阻抗对应微带线窄线段末端的阻抗；所述目标负载阻抗对应微带线宽线段末端的阻抗；对所述目标源阻抗和所述目标负载阻抗进行三段式阻抗变换，确定微带线不同位置的特征阻抗；其中，所述三段式阻抗变换，包括：针对所述宽线段进行线性函数变换，针对所述窄线段进行指数函数变换，针对所述宽线段和所述窄线段之外的中间段进行克洛彭斯坦函数变换；根据微带线不同位置的特征阻抗和所述介电常数，确定微带线不同位置的宽度。
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公开(公告)号：CN119561540A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411605270.5
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K19/0185 , H03H7/06
Abstract: 本发明公开一种超低延时的自锁定噪声抑制电平移位电路，涉及智能功率驱动技术领域，以解决现有通过RC滤波电路滤除噪声时会增加延迟的问题。包括电连接的高压电平移位电路、共模噪声消除电路、差模噪声消除电路以及RS锁存器，共模噪声消除电路用于当存在共模噪声时，输送1/2VDD电压给RS锁存器的输入端，设计RS锁存器相对较低的阈值电压，使得1/2VDD电压对于RS锁存器来说为高电平，RS锁存器的状态保持不变，差模噪声消除电路用于当存在差模噪声时，通过电阻分压开启差模噪声消除电路，RS锁存器的输入端保持高电平。本发明提供的自锁定噪声抑制电平移位电路用于消除dV/dt噪声的共模噪声和差模噪声且具有更低的延迟。
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公开(公告)号：CN117439592A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311397324.9
申请日：2023-10-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K19/003 , H03K19/018 , H03K17/16 , H03K17/041 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种高压栅驱动电路，本发明涉及集成电路技术领域，用于解决现有技术中无法实现对dV/dt噪声免疫，导致在高频高压高dV/dt噪声环境下无法正常工作的问题。包括：逻辑控制模块、窄脉冲发生器模块、高压侧通道和低压侧通道；高压侧通至少包括交叉耦合高压电平位移电路、高边欠压保护模块、RS触发器模块、滤波模块和高边驱动模块；交叉耦合高压电平位移电路至少包括两个横向双扩散的LDMOS管、齐纳二极管、NMOS管以及多个负载电阻；NMOS管与部分负载电阻构成交叉耦合结构；两个横向双扩散的LDMOS管由窄脉冲发生器模块驱动。本发明能够实现dV/dt噪声的完全免疫，使高压栅驱动电路在高频高压高dV/dt噪声环境下仍能正常工作。
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公开(公告)号：CN116204035A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310267481.1
申请日：2023-03-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/573
Abstract: 本发明提供一种过流阈值可外部调控的过流保护电路，其中，电流基准模块的输出端与电流比较模块的基准输入端相连；电流比较模块的N个比较输入端与电流检测模块的N个检测端一一对应相连；电流比较模块的N个输出端与控制模块的N个输入端一一对应相连；控制模块的输出端与电流检测模块的控制端相连；电流检测模块的使能端作为过流保护电路的使能端；电流检测模块的输出端作为过流保护电路的输出端；结合电流基准模块、电流比较模块、电流检测模块和控制模块，使过流保护电路产生N个过流阈值，还能够通过输入使能信号对不同的过流阈值进行调控，能够大大降低电路的静态功耗，提升电路的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN116111993A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111333670.1
申请日：2021-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03K17/687 , H03K19/0185
Abstract: 本申请公开一种模拟开关电路，涉及电路技术领域，能够在传输信号超过模拟开关电路的电源电压时，正常实现关断功能，避免模拟开关电路的失效问题。模拟开关电路，包括：传输模块，所述传输模块包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极用于接入待传输信号；第一电平移位模块，所述第一电平移位模块的第一输入端用于接入控制信号，所述第一电平移位模块的第二输入端用于接入所述待传输信号，所述第一电平移位模块的输出端与所述第一PMOS管的栅极电连接；所述第一电平移位模块用于在所述控制信号为控制所述第一PMOS管关闭的高电平信号，且所述待传输信号大于所述控制信号时，保持所述第一PMOS管的源极与栅极的电位相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111341770B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010103234.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一P阱区、第一N阱区和第二P阱区；依次排布的第一P+区、第一N+区、第二P+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区和第五N+区；第一P+区和第一N+区位于第一P阱区中，第二P+区和第二N+区位于第一N阱区中，第三N+区位于第一N阱区和第二P阱区连接处，第四N+区和第五N+区位于第二P阱区中；第一P+区和第一N+区与阴极导通连接；第二P+区和第二N+区与阳极导通连接。本发明提供的结构，电路和设备，用以解决现有技术中集成电路的ESD防护存在的防护响应过慢的技术问题。提供了一种响应迅速的ESD保护结构。
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公开(公告)号：CN113281551B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110376838.0
申请日：2021-04-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供一种电流检测电路及方法，包括：功率管提供当前负载电流；检测管输出检测电流；第一电阻将检测电流转换成初始检测电压；电压放大器输出当前放大检测电压；电压比较器在映射表中查找当前放大检测电压所属的目标放大电压检测范围；信号处理器基于目标放大电压检测范围在映射表中查找对应的参考电流比，基于参考电流比生成对应的控制信号；体偏产生电路基于控制信号向检测管输出目标输出电压；目标输出电压用于将当前电流比调整为参考电流比；如此，当负载电流产生变化时，信号处理器可根据参考电流比实时调整体偏产生电路的目标输出电压，检测管根据目标输出电压将调整当前电流比，提高电流检测的精度和范围，降低检测电流的功耗。
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公开(公告)号：CN115411697A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110575716.4
申请日：2021-05-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种欠压保护装置，包括：电压检测电路以及信号控制电路；电压检测电路的输入端与电源端连接，电压检测电路的输出端与信号控制电路输入端连接，信号控制电路输出端用于与待保护电路连接。电压检测电路包括电压检测晶体管，用于根据电源电压作用下电压检测晶体管的导通状态输出欠压保护信号。在电源电压的升压过程中，当电源电压低于第一阈值时，电压检测晶体管处于断开状态，欠压闭锁信号控制待保护电路处于关断状态。在电源电压的降压过程中，当电源电压降低至低于第二阈值时，电压检测晶体管处于断开状态，第二阈值小于第一阈值。本设计通过根据电源电压作用下电压检测晶体管的导通状态输出欠压闭锁信号，从而实现欠压保护。
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公开(公告)号：CN113644055A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110740270.6
申请日：2021-06-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/62 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体功率器件及其制备方法，其中所述半导体功率器件包括：衬底、形成于所述衬底之上的至少一个接触区、形成于所述接触区上表面的引出、形成于所述引出之上的通孔结构；其中，所述通孔结构包括第一金属层和第二金属层，在所述第一金属层和所述第二金属层之间填充隔离介质层，并使用预设结构材料连接所述第一金属层和所述第二金属层，以在流经所述半导体功率器件的电流过载时利用所述预设结构材料的电流材料影响特性对所述半导体功率器件进行短路保护。采用本申请，能起到高效地栅源或漏源短路保护作用，满足半导体功率器件的高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN113281551A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110376838.0
申请日：2021-04-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供一种电流检测电路及方法，包括：功率管提供当前负载电流；检测管输出检测电流；第一电阻将检测电流转换成初始检测电压；电压放大器输出当前放大检测电压；电压比较器在映射表中查找当前放大检测电压所属的目标放大电压检测范围；信号处理器基于目标放大电压检测范围在映射表中查找对应的参考电流比，基于参考电流比生成对应的控制信号；体偏产生电路基于控制信号向检测管输出目标输出电压；目标输出电压用于将当前电流比调整为参考电流比；如此，当负载电流产生变化时，信号处理器可根据参考电流比实时调整体偏产生电路的目标输出电压，检测管根据目标输出电压将调整当前电流比，提高电流检测的精度和范围，降低检测电流的功耗。
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