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公开(公告)号：CN116317503A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111572365.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M1/32 , H02M1/088 , H03K17/082
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的电流保护装置电路及功率驱动器件，所述电路包括：功率器件芯片，包括功率器件；驱动芯片，包括误差放大器；功率器件芯片，设置有控制引脚以及第一电流检测引脚，控制引脚与功率器件的控制端连接，第一电流检测引脚通过目标走线与功率器件的源端连接，其中，目标走线产生目标寄生电阻；驱动芯片，设置有输出引脚以及第二电流检测引脚，误差放大器的正相输入端接入参考电压，误差放大器的反相输入端与第二电流检测引脚连接，误差放大器的输出端与输出引脚连接；其中，第一电流检测引脚与第二电流检测引脚连接，控制引脚与输出引脚连接。本方案能够有效提高功率器件的电流检测精度。
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公开(公告)号：CN117129745A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210558762.8
申请日：2022-05-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R19/165 , G01R31/327
Abstract: 本申请涉及基本电子电路技术领域，公开了一种智能高边功率开关的电流检测电路，基于SenseFET电流检测电路，包括：增益放大电路(100)，用于提高放大器增益，包括在电流镜电路上嵌套运算放大器；DC补偿电路(200)，用于消除直流误差，包括从输入电压到输出电压Vout之间增加级联电流镜；负压过充保护电路(300)，用于实现检测管与功率管同步关断，包括在负载与运放之间设置开关管，本申请实现对高边功率开关的电流实现精准和安全的检测。
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公开(公告)号：CN115268554A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210689518.5
申请日：2022-06-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种低压差线性稳压器，包括带隙基准电路、调整器电路和瞬态增强电路；所述带隙基准电路用于为所述调整器电路提供基准电压；所述调整器电路用于将所述基准电压转换成稳定电压输出，所述瞬态增强电路用于在所述调整器电路的负载输出端输出的电压值变化时，提供充电通路或放电通路，使所述负载输出端的电压稳定，从而稳定输出端的瞬态响应。本发明提供的线性稳压器具有快速瞬态响应、低负载调整率、低温度系数、低功耗以及高稳定性。
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公开(公告)号：CN111341770A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010103234.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一P阱区、第一N阱区和第二P阱区；依次排布的第一P+区、第一N+区、第二P+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区和第五N+区；第一P+区和第一N+区位于第一P阱区中，第二P+区和第二N+区位于第一N阱区中，第三N+区位于第一N阱区和第二P阱区连接处，第四N+区和第五N+区位于第二P阱区中；第一P+区和第一N+区与阴极导通连接；第二P+区和第二N+区与阳极导通连接。本发明提供的结构，电路和设备，用以解决现有技术中集成电路的ESD防护存在的防护响应过慢的技术问题。提供了一种响应迅速的ESD保护结构。
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公开(公告)号：CN111370401B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010089396.7
申请日：2020-02-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护结构、集成电路和电子设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一N阱区和第一P阱区；位于第一N阱区中的第一N+区、第一P+区、第二N+区和第二P+区；位于第一N阱区和第一P阱区连接处的第三N+区；位于第一P阱区中的第四N+区、第三P+区、第五N+区和第四P+区；第一电阻、第一电容、第一反相器和第二反相器。本发明提供的结构，电路和设备，用以解决现有技术中集成电路的ESD防护存在的保护线路不周全和防护响应过慢的技术问题。提供了一种全面保护，响应迅速的ESD保护结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115513928A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110630493.7
申请日：2021-06-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种高边功率开关及电子设备，包括逻辑控制模块、保护模块和输出功率管，其中，保护模块与逻辑控制模块、输出功率管分别连接，逻辑控制模块还与输出功率管连接；保护模块包括输出功率管保护模块，该输出功率管保护模块设置于输出功率管的衬底和源极之间，用于当第一电源反接时抑制反向电流，以保护输出功率管。本发明提供的高边功率开关解决了现有技术中高边功率开关电源反接保护电路的保护力度不够，高边功率开关的可靠性不高的技术问题，实现了提高高边功率开关的可靠性的技术效果。
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公开(公告)号：CN115189332A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110355694.0
申请日：2021-04-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02H5/04
Abstract: 本发明公开了一种过温保护电路、控制方法、元器件及设备，温保护电路包括：使能控制模块、温度检测模块及信号整形模块；使能控制模块与温度检测模块连接，温度检测模块与信号整形模块连接；其中，使能控制模块输入使能信号至温度检测模块，以控制温度检测模块的开启和关闭；所述温度检测模块开始工作后，当环境温度超过设定的温度阈值时，所述温度检测模块输出翻转电压信号至所述信号整形模块；所述信号整形模块可以基于所述电压信号控制与所述过温保护电路连接的芯片电路。该发明的过温保护电路与现有的过温保护技术相比在降低电路功耗的同时，提高了温度检测精度，进一步拓展了其应用范围。
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公开(公告)号：CN111129006B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010068010.4
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种用于SOI智能功率集成电路的双向低触发电压的ESD保护结构，包括：可控硅结构和双向辅助触发电路；可控硅结构包括：SOI衬底上设置的第二三极管以及第一三极管和第三三极管，双向辅助触发电路包括：第一、第二RC串联电路、第一、第二二极管，以及在SOI衬底一端设置第一NMOS管，另一端设置第二NMOS管；第一RC串联电路一端连接第一端口、另一端串联第一NMOS管、第一二极管，第一二极管连接第二三极管的基极，第一端口连接第三三极管的发射极和基极；第二RC串联电路一端连接第二端口、另一端串联第二NMOS管、第二二极管，第二二极管连接第二三极管的基极，第二端口连接第一三极管的发射极和基极，降低SCR结构的触发电压，保护内部电路。
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公开(公告)号：CN116204035A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310267481.1
申请日：2023-03-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/573
Abstract: 本发明提供一种过流阈值可外部调控的过流保护电路，其中，电流基准模块的输出端与电流比较模块的基准输入端相连；电流比较模块的N个比较输入端与电流检测模块的N个检测端一一对应相连；电流比较模块的N个输出端与控制模块的N个输入端一一对应相连；控制模块的输出端与电流检测模块的控制端相连；电流检测模块的使能端作为过流保护电路的使能端；电流检测模块的输出端作为过流保护电路的输出端；结合电流基准模块、电流比较模块、电流检测模块和控制模块，使过流保护电路产生N个过流阈值，还能够通过输入使能信号对不同的过流阈值进行调控，能够大大降低电路的静态功耗，提升电路的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111341770B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010103234.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一P阱区、第一N阱区和第二P阱区；依次排布的第一P+区、第一N+区、第二P+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区和第五N+区；第一P+区和第一N+区位于第一P阱区中，第二P+区和第二N+区位于第一N阱区中，第三N+区位于第一N阱区和第二P阱区连接处，第四N+区和第五N+区位于第二P阱区中；第一P+区和第一N+区与阴极导通连接；第二P+区和第二N+区与阳极导通连接。本发明提供的结构，电路和设备，用以解决现有技术中集成电路的ESD防护存在的防护响应过慢的技术问题。提供了一种响应迅速的ESD保护结构。
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