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公开(公告)号：CN103715607A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310705313.2
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件，包括：衬底；衬底上表面依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、盖层以及高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器单元，每个DFB激光器单元具有脊型波导结构，脊上面的高掺层上具有二级取样布拉格光栅结构，不同布拉格光栅具有不同取样周期；二氧化硅层，覆盖整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，生长在二氧化硅层上面及布拉格光栅上面；电隔离沟，位于阵列器件中两个相邻的DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，生长在衬底的下表面；出光窗口，位于衬底的下表面，阵列器件中的每个DFB激光器单元的脊型波导均对应一个出光窗口。
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公开(公告)号：CN103633559A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310652143.6
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接触层，该上接触层生长在该有源层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；一上金属层，该上金属层由电子束蒸发于上接触层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；其中，下金属层和下接触层构成下等离子体波导，上金属层和上接触层构成上等离子体波导，上下等离子体波导构成双面金属波导结构；所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构，环形的有源层形成了环形谐振腔。
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公开(公告)号：CN103633200A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310652125.8
申请日：2013-12-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/0079
Abstract: 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组分加热分解和完全析出，变成高温薄氮化镓单晶模板层；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，在多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；制备一反射／欧姆金属层；键合一键合衬底；利用机械力，剥离；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；切割、分选和封装后，制备得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN103368071A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310308727.1
申请日：2013-07-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种光栅分布反馈量子级联激光器。该光栅分布式量子级联激光器包括：衬底；以及在该衬底上依次生长的下波导层，下光限制层，有源区，上光限制层，等效相移光栅，上波导层；其中，在所述上光限制层的上表面具有等效相移光栅，该等效相移光栅包括均匀光栅、采样光栅和π相移结构。与传统均匀光栅的制作工艺相比，本发明等效相移光栅制作工艺要简单的多，从而极大降低了光栅分布反馈量子级联激光器的制备难度。
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公开(公告)号：CN102055135B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200910237094.3
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种近衍射极限光束输出的锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法。该激光器包括：衬底，及其在衬底上依次生长的下波导层、有源区、上波导层、上覆盖层、上接触层、欧姆接触层、电绝缘层、正面电极和衬底背面电极。该激光器采用脊型台面双沟波导结构，脊型台面结构由均匀脊宽的主控振荡区和锥形结构的增益放大区两部分组成；光子晶体结构用以提供分布反馈波导，制作于上接触层和欧姆接触层之中。利用本发明，能够获得单模近衍射极限光束输出；采用脊型台面结合锥形增益放大区的波导结构，大大降低了远场发散角，在提高输出功率的同时又避免了同类宽脊型大功率器件难以避免的散热问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102191540B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110119981.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
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公开(公告)号：CN102252754B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110133353.5
申请日：2011-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J3/02
Abstract: 一种条纹相机反射式离轴光学耦合装置，包括：一镜筒，在该镜筒的中心开有一圆柱形孔；一准直镜座，该准直镜座为一圆柱体，在其中心一侧开有一出光口，在出光口的另一侧面积较大的部位开有一圆形凹槽，该圆形凹槽与中心轴线成一预定角度，该准直镜座用螺丝固定在镜筒的一端，通过调节螺丝可调整准直镜座与镜筒的相对位置；一准直镜，该准直镜位于准直镜座上的圆形凹槽内；一聚焦镜座，该聚焦镜座为一圆柱体，在其中心一侧开有一进光口，在进光口的另一侧面积较大的部位开有一圆形凹槽，该圆形凹槽与中心轴线成一预定角度，该聚焦镜座用螺丝固定在镜筒的另一端，通过调节螺丝可调整聚焦镜座与镜筒的相对位置；一聚焦镜，该聚焦镜位于聚焦镜座上的圆形凹槽内。
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公开(公告)号：CN102109467B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010591599.2
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用拉曼光谱仪定量检测痕量罗丹明6G的方法，包括以下步骤：采用交流电化学沉积法制备多个银纳米线阵列：以硝酸银/硼酸混合水溶液为电解液向AAO模板的孔洞中限域沉积银纳米线，形成银纳米线阵列；制备银纳米颗粒，并分别与不同浓度的罗丹明6G溶液混合，分别滴在制备好的银纳米线阵列上，形成SERS增强“三明治”体系；待“三明治”体系自然干燥后，在拉曼光谱仪上对其进行拉曼光谱测试，得到不同浓度罗丹明6G溶液的SERS谱；计算不同浓度罗丹明6G溶液SERS谱的特征峰强度，得到罗丹明6G的SERS强度-浓度的关系曲线，此曲线是作为罗丹明6G定量检测的依据；将未知浓度的罗丹明6G溶液SERS强度与罗丹明6G的SERS强度-浓度关系曲线进行对照，以得出罗丹明6G溶液的浓度。
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公开(公告)号：CN101867155B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910081987.3
申请日：2009-04-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构，包括：一N型砷化镓衬底；一N型砷化镓缓冲层，生长在N型砷化镓衬底上，用于隔离衬底上的缺陷；一N型铝镓砷光学下限制层，生长在N型砷化镓缓冲层上，用于光学模式和载流子的限制；一多层不同周期的自组织量子点有源层，生长在N型铝镓砷光学下限制层上；一P型铝镓砷光学上限制层，生长在该量子点有源层上，用于光学模式和载流子的限制；以及一P型砷化镓帽层，生长在该P型铝镓砷光学上限制层上，用于电极接触。该结构利用多层不同尺寸设计的量子点的非均匀展宽特性，获得宽的增益谱。
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公开(公告)号：CN102064472B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201010591575.7
申请日：2010-12-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层制作在衬底上；一下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子-空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下波导层上，作为激光器的有源区，是激光器的核心部位；一上波导层制作在1-20周期的匹配或张应变结构层上，作为载流子限制层，将载流子限制在有源区，进而提高电子-空穴复合效率，提高激光器工作温度；一上包覆层制作在上波导层上；一欧姆接触层制作在上包覆层上，其晶格常数与衬底匹配；一上电极制作在欧姆接触层上，为有源区提供空穴；一下电极制作在减薄后的衬底上，为有源区提供电子。
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