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公开(公告)号：CN103849853A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410058985.3
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法包括：于硅(111)衬底表面沉积金属铝层；通入的摩尔比介于2000～5000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500下在金属铝层上沉积氮化铝成核层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于1000℃～1500℃在氮化铝成核层上沉积氮化铝过渡层；通入摩尔比介于1000～2000之间的氨气与三甲基铝，于550℃～850℃之间在氮化铝过渡层上沉积氮化铝缓冲层；以及，在氮化铝缓冲层上沉积氮化镓薄膜。本发明通过调节氮化铝层的V／III比和生长温度形成多层氮化铝，能够制备出低位错密度低应力的氮化镓薄膜。
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公开(公告)号：CN102839417A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210325765.3
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨气，对蓝宝石衬底进行氮化，在其上生成一层氮化层；在MOCVD设备中利用载气通入铟源、镓源和氨气，使得在氮化层上得到InGaN层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长一层低温GaN缓冲层；在MOCVD设备中利用载气通入镓源和氨气，生长氮化镓外延层。本发明以InGaN插入层和低温GaN缓冲层做弱键合层，可以得到高结晶质量的自剥离GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN100590236C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610169751.1
申请日：2006-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B25/02 , C30B29/16 , H01L21/365
Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。
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公开(公告)号：CN100511739C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710065182.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法，包括：步骤1：将清洗好的衬底放入反应室中，将反应室抽至真空，升高温度进行烘烤，以获得清洁衬底；步骤2：向反应室中充入氮气，将反应室压强升至生长压强，将衬底温度控制到生长温度；步骤3：向反应室中通入锌源，氧源和氮源，在衬底上外延ZnO:N薄膜；步骤4：停止通入氧源，并继续通入锌源和氮源，在ZnO:N薄膜上外延氮化锌薄层；步骤5：再开启氧源，并继续通入锌源和氮源，在氮化锌薄层上继续外延ZnO:N薄膜；步骤6：重复步骤4、步骤5，直至生长的薄膜达到需要的厚度为止；步骤7：在氨气氛或者氮气氛下进行退火，完成P型氧化锌薄膜的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101333658A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710118005.4
申请日：2007-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高温原位减薄硅基底的装置和使用该装置的方法，该装置包括：一石墨基座，该石墨基座为圆柱形或圆盘形；该石墨基座上面有一凹部，用于承载硅基底；该石墨基座与硅基底之间有一缝隙，该缝隙为腐蚀气体通道；在该石墨基座的中心纵向有一圆孔，该圆孔为腐蚀气体通道；沿该石墨基座的圆周纵向有多数的通孔，该通孔为腐蚀气体通道。
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公开(公告)号：CN101042195A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200610011531.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电磁阀，包括：一非磁性阀座位于电磁阀整体的最下面，其上面的中心形成有一气室，自该气室至外壁有导阀口和主阀口；一阀体的断面为倒T型，且为中空，该阀体用螺丝与非磁性阀座连接，其最上部分有螺纹；一磁性阀芯为一柱体，在其端部的中心开有一圆孔，其位于阀体的中空部，在该磁性阀芯与阀体之间的下部有一弹簧，该弹簧套在磁性阀芯的外壁上；一氟胶条，其大小与磁性阀芯的圆孔大小一致，放在磁性阀芯的圆孔内；一电磁线圈缠绕在阀体的外壁上；一外壳套置在阀体的外面，其上面有一圆口，大小与磁性阀芯的最上部分相同，两个之间由螺母固定。
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公开(公告)号：CN1797711A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410098993.7
申请日：2004-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/30 , C23C16/34
Abstract: 一种III族氮化物衬底的生产设备，为复合型MOCVD－HVPE设备。在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)设备中封闭生长室内设有金属舟，金属舟内装有金属，另有氯化氢气体通过金属舟，具有卤化物气相外延功能，使设备同时具有金属有机物化学气相淀积和卤化物气相外延双层功能。用该设备只需要在一个反应室中即可完成氮化镓衬底整个生长过程：先用金属有机源和氨气在衬底上生长0.1～1微米的氮化物结晶层，然后关闭金属有机源，同时将装有金属的金属舟升温并通入氯化氢气体，生长约300微米的氮化物衬底层。该方法不降温、没有生长停顿、取出等过程，完全避免了由于多次生长造成的样品表面粘污和表面再构等问题。
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公开(公告)号：CN1779913A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009856.1
申请日：2004-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用应变调制掺杂法制备P型氧化锌(ZnO)半导体薄膜材料的方法。该方法是利用氧化锌和氧化镁锌两者的压电激化效应和两者之间的晶格失配，在氧化锌和氧化镁锌超晶格之中调制掺入P型杂质并退火。利用氧化锌和氧化镁锌之间的应变以及由应变造成的极化电场，加强P型杂质的离化并实现氧化锌的P型导电。本发明方法克服了氧化锌中P型掺杂元素电离能高和溶解度小所带来的不易实现氧化锌(ZnO)的P型掺杂的困难，制备出高质量的P型氧化锌(ZnO)薄膜材料，提供了一种新的做激光器件的材料。
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公开(公告)号：CN1779910A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410009858.0
申请日：2004-11-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L33/00 , H01S5/323 , H01S5/343
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，是在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法。该方法包括步骤：a)首先在硅衬底上用金属有机物化学气相淀积工艺生长一层缓冲层；b)然后用金属有机物化学气相淀积生长一层结晶层；c)用卤化物气相外延工艺生长一层氮化镓(GaN)厚膜；d)反复交错对步骤2、步骤3多次重复，成多层结构，直至生长出厚度复合要求的氮化镓(GaN)厚膜衬底材料；e)采用化学腐蚀方法将硅衬底去除，以得到自支撑的氮化镓厚膜。
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