公开(公告)号：CN100590236C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200610169751.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  刘祥林 ,  赵凤瑷 ,  焦春美 ,  董向芸 ,  张晓沛 ,  范海波 ,  魏宏源 ,  张攀峰 ,  王占国

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。

公开(公告)号：CN101210345A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200610169751.1

申请日：2006-12-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨少延 ,  刘祥林 ,  赵凤瑷 ,  焦春美 ,  董向芸 ,  张晓沛 ,  范海波 ,  魏宏源 ,  张攀峰 ,  王占国

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明公开了一种生长氧化锌薄膜的装置，包括：衬底基座、三路射流进气喷管、辅气吹嘴、衬底旋转机构和不锈钢外壳。兼顾了氧化锌薄膜P型掺杂适宜采用低生长温度，而结晶质量提高适宜采用高生长温度的特殊要求。将衬底基座设计成双温区，下部为恒温区，工作时处于高温状态，由热容大的加热器、控温探头和保温层构成；上部为调温区，由热容小导热好的衬底托盘、衬底、测温探头和隔热层构成，通过控制进入导热托盘与隔热层间隙的调温气体的开关时间和吹气流量来实现低温P型掺杂生长和高温快速退火的温度周期调制。本发明同时公开了一种生长氧化锌薄膜的方法。利用本发明，能提高氧化锌薄膜结晶质量和实现均匀生长，并满足制备短波长光电器件需要。

公开(公告)号：CN1844867A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200510063801.3

申请日：2005-04-07

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘祥林 ,  赵凤瑷 ,  焦春美

IPC: G01J5/50 ,  G01K13/00

Abstract: 本发明涉及一种原位非接触探测金属有机物化学气相沉积(MOCVD)石墨温度分布的方法。该方法是利用数码相机对石墨进行拍摄，并根据需要在相机镜头前加滤光镜，然后利用电脑读取所拍摄的图像中的数据文件，根据文件所记录的构成每个象素点的三基色(红、绿、蓝)分量值的大小来确定石墨的温度分布特性。该方法不仅成本低、温度分辨率和空间分辨率很高，而且多点同时测量，测量速度快，可以进行数字处理、记录和保存。