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公开(公告)号：CN101625971A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810116414.5
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/302
Abstract: 一种利用光辅助氧化湿法刻蚀III族氮化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用标准的光刻工艺在III族氮化物表面制作有图案的紫外光掩蔽层；步骤2：将表面上制作有图案的紫外光掩蔽层的III族氮化物置于高能紫外光下曝光，使具有图案的暴露的III族氮化物在紫外光辅助下发生氧化，生成金属氧化物；步骤3：去除掩蔽层；步骤4：将曝光后的III族氮化物的样品放在酸或碱性溶液中，将生成的金属氧化物完全腐蚀掉，形成带有图案的刻蚀台阶，完成湿法刻蚀III族氮化物的工艺。
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公开(公告)号：CN100449797C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200310120544.3
申请日：2003-12-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法，包括如下步骤：在蓝宝石等绝缘衬底上生长氮化镓N型氮化镓层，发光有源区和P型氮化镓层；在管芯的P型氮化镓层上制备P型欧姆接触电极；将蓝宝石衬底减薄到70μm到150μm之间；在支撑体上沉积二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层，在沉积有二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层的支撑体上蒸镀与管芯P型欧姆接触电极大小相对应的金属焊料层；在管芯P型欧姆接触电极上开孔；在开孔后的支撑体的背面蒸镀或电镀金属层，引出管芯的P型电极；在倒装焊好管芯的背面利用光刻和蒸发等方法在管芯的侧面沉积一金属层；最后将具有单个管芯支撑体的P型欧姆接触电极焊接到热沉上，形成一个完整的具有良好导热性能的管芯。
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公开(公告)号：CN101150243A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610113238.0
申请日：2006-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作氮化镓基激光器管芯的方法，该方法包括：A.在制作的激光器外延结构的表面蒸镀P型欧姆接触电极；B.利用介质膜或光刻胶作掩膜在蒸镀了P型欧姆接触电极的激光器外延结构上刻蚀出激光器的N型接触区域；C.利用光刻胶作掩膜刻蚀出激光器的脊型结构，并保留剩余的光刻胶掩膜；D.在刻蚀出脊型结构的激光器上蒸镀或沉积介质膜隔离层；E.采用剥离的方法露出脊型表面的P型欧姆接触电极；F.采用光刻和蒸镀金属电极的方法形成激光器的P型加厚电极和N型欧姆接触电极。利用本发明，使激光器工作电流的注入均匀，进而易于制作脊型宽度窄的激光器，实现了激光器的基模工作。
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公开(公告)号：CN1780002A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410095294.7
申请日：2004-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法，包括如下步骤：在蓝宝石等绝缘衬底上依次外延生长氮化镓N型接触层，发光有源区和P型氮化镓层；在P型氮化镓层上淀积二氧化硅或氮化硅绝缘层；将蓝宝石衬底从背面减薄；在支撑体上沉积二氧化硅或氮化硅等绝缘隔离层；利用光刻和电镀或蒸发、溅射、印刷的方法分别在P型、N型引出电极的部分区域制作P型金属焊料凸块和N型金属焊料凸块；利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起；根据设计的管芯大小，将支撑体用划片或切割的方法分割成具有单个管芯的支撑体，也可以先将支撑体切割成单个管芯的支撑体之后，再利用倒装焊技术将分割好的单个管芯和支撑体焊接在一起。
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公开(公告)号：CN1624940A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200310119745.1
申请日：2003-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种大功率氮化镓基发光二极管管芯的制作方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石等绝缘衬底上用金属化学气相沉积技术分别外延生长N型氮化镓层、有源区和P型氮化镓层；2)利用光刻和干法刻蚀技术将设计好的大面积管芯刻蚀分隔成小面积管芯，并刻蚀到N型接触区氮化镓层；3)利用光刻和蒸发的方法在P型层和刻蚀形成的N型接触区制备P型透明电极和N型欧姆接触电极；4)利用空气桥技术和光刻、蒸发等方法制备金属电极，将每个小面积管芯的P型区连接起来，使每个小面积管芯P型区导通；5)将衬底从背面用研磨的方法或离子减薄技术将其减薄到70μm到150μm之间；6)最后用切割法或划片法沿设计好的大面积管芯的分割道分割成单个管芯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101898751B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNⅢ族氮化物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101894796B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200910084158.0
申请日：2009-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法，包括如下步骤：步骤1：减薄，将制作完激光器结构的外延片从衬底背面减薄；步骤2：抛光，将减薄的衬底抛光，去除减薄研磨过程中产生的机械应力；步骤3：利用激光划片技术，将激光聚焦在抛光后的衬底背面，沿横向分割道的中间，垂直于衬底背面，划一道沟槽，沟槽两边各留20μm到200μm宽度；步骤4：将激光聚焦的位置下降至沟槽底部，在已形成的沟槽处再划一次，形成解理的导向槽，并重复多次；步骤5：用裂片机将管芯沿划好的导向槽解理成条，形成具有腔面和腔长的管芯条；步骤6：沿纵向分割道的中间，划一道沟槽，并重复步骤4，用裂片机沿划好的导向槽将管芯条分割成单个管芯，完成解理。
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公开(公告)号：CN101626025B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810116416.4
申请日：2008-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
Abstract: 一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。
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公开(公告)号：CN101922015A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010263078.4
申请日：2010-08-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明公开了一种InGaN半导体光电极的制作方法，该方法包括：步骤1：取一衬底(21)；步骤2：在该衬底(21)上外延生长InGaN层(22)；步骤3：在该InGaN层(22)上制作形成纳米微结构层(31)；步骤4：在该InGaN纳米微结构层(31)上，外延生长或沉积n型或p型表面层(41)。利用本发明，将纳米结构引入到半导体光电极表面，大大降低了电极表面对光的反射，提高了电极与电解液的有效接触面积，增加了电化学反应效率，最大程度地提高了半导体光电极对太阳光的转换效率。
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公开(公告)号：CN101901850A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085926.4
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器，包括：一衬底；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在衬底上；一I型有源层，该I型有源层制作在N型欧姆接触层上面的中间，该I型有源层的面积小于N型欧姆接触层的面积，使N型欧姆接触层的两侧各形成一台面；一P型有源层，该P型有源层制作在I型有源层上；两N型欧姆电极，该两N型欧姆电极分别制作在N型欧姆接触层上面两侧的台面上；一肖特基电极，该肖特基电极制作在P型有源层上。
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