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公开(公告)号：CN114284864A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111618575.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种电声调谐等离激元激光器及其制备方法，电声调谐等离激元激光器包括压电晶体、金属光栅、纳米线以及金属电极。压电晶体压电晶体的上端面有一压电形变面；金属光栅设于压电形变面，金属光栅包括多条间隔设置的金属条纹；纳米线设于金属光栅的上端面上，纳米线的延伸方向与金属条纹的延伸方向呈相互垂直设置，与金属光栅上端面紧密贴合；金属电极设于压电晶体的侧壁面上。在本公开提供的技术方案中，激光器体积小，调谐频率高，具有多种调谐方式，发光端面小，腔长远小于传统分布反馈(DFB)激光器，连续调谐频率可达40MHz等优点，尤其实现了声光电的一体化耦合，具有深厚的研究价值和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111952459A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860334.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。
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公开(公告)号：CN111952458A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010860332.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种曲面异质结太阳电池及其制作方法，该曲面异质结太阳电池包括衬底；银纳米颗粒阵列，设置在衬底上；曲面金属膜，设置在银纳米颗粒阵列上，作为陷光结构及电荷收集电极；第一载流子传输层，设置在曲面金属膜上；吸光层，设置在第一载流子传输层上；第二载流子传输层，设置在吸光层上；以及电极，设置在第二载流子传输层上。本发明曲面异质结构具有陷光效果，能够提升吸光层光吸收效率；曲面结构相对于尖锐陷光结构不易在薄膜中引入缺陷；曲面结构有利于降低吸光层厚度，增加异质结界面面积，从而提高电荷传输效率。
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公开(公告)号：CN106383149A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610797899.3
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本 发 明公 开 了 一 种 基 于 钙 钛 矿(CH3NH3PbClxI3-x)纳米片阵列的湿度传感器件及其制备方法，它是采用化学溶液反应的方法在玻璃衬底上以聚3，4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)为缓冲层，滴落涂布醋酸铅(PbAc2)薄膜，将退火后的醋酸铅(PbAc2)薄膜置于甲基氯化铵及甲基碘化铵(CH3NH3ClxI1-x)混合的异丙醇溶液中反应制得钙钛矿纳米片结构阵列。将制得的纳米片阵列退火后，采用热蒸发的方法在其两端蒸镀银电极，即制得钙钛矿湿度传感器。本发明制备方法成本低，工艺简单，稳定性高，响应灵敏，可用于水蒸气等极性气体的探测。
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公开(公告)号：CN103762255B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410035355.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；硅氧化物介质钝化层形成于硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的表面；正面接触栅电极形成在硅氧化物介质钝化层的表面；背面接触电极形成在p型掺杂硅单晶衬底的下表面的金字塔减反射结构的表面。本发明在硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的制备过程加入了表面减反射结构，这可以增强它的红外吸收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104409553A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410612819.3
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出，其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。
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公开(公告)号：CN102569444B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210030204.0
申请日：2012-02-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种广谱高吸收太阳能电池结构，包括：一p型或轻掺杂n型硅层；一硫系元素掺杂层，该硫系元素掺杂层是在硅材料中掺杂硫系元素，该硫系元素掺杂层制作在p型或轻掺杂n型硅层上，该硫系元素掺杂层的表面制作有阵列状连续的尖锥结构，尖锥结构之间的空隙底部为沉积的银纳米颗粒；多个上表面接触栅电极，制作在尖锥结构的表面；一下电极，制作在p型或轻掺杂n型硅层的背面。本发明可以提高光吸收和光电转换效率。同时具有工艺简单，成本低等特点。同时还能利用工艺中起催化作用的银纳米颗粒来产生表面等离子波效应，一举两得。
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公开(公告)号：CN102938435A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210484770.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对衬底表面进行制绒；步骤3：对制绒后的衬底进行超饱和硫系元素离子注入；步骤4：对硫系元素离子注入后的衬底进行激光退火，消除离子注入产生的晶格缺陷，完成制备。本发明形成的超饱和硫系元素掺杂硅表面，既保证了良好的电极接触，又对入射光具有一定的减反射作用，对于制作高响应红外探测器特别有利。
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公开(公告)号：CN119726347A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410919781.8
申请日：2024-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/16
Abstract: 本发明提供一种无外腔近红外钙钛矿激光器及其制备方法。无外腔近红外钙钛矿激光器的制备方法包括：在衬底上滴加钙钛矿前驱体溶液；在衬底上覆盖柔性薄膜，使钙钛矿前驱体溶液均匀分布于衬底和柔性薄膜之间；将衬底静置处理后，移除柔性薄膜，得到钙钛矿增益介质层，其中，柔性薄膜用于诱导钙钛矿前驱体溶液在形成钙钛矿增益介质层的过程中生长出微晶结构，微晶结构为钙钛矿增益介质层的谐振腔。本发明提供的制备方法无需加热或热退火等高温处理，制备工艺简单，成本低，能够实现无外加谐振腔的近红外钙钛矿激光器的大面积制备，并且通过调控钙钛矿增益材料组分以及制备工艺参数，可以实现对激光器的发射峰的调节。
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公开(公告)号：CN119009669A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411126985.2
申请日：2024-08-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了基于准二维钙钛矿的光子晶体激光器及其制备方法，涉及微纳激光器技术领域。基于准二维钙钛矿的光子晶体激光器，包括：光子晶体层，包括一层介质薄膜，所述介质薄膜具有阵列排布的介质孔或介质柱；增益介质层，位于所述光子晶体层上，所述增益介质层为一层准二维钙钛矿薄膜；所述准二维钙钛矿薄膜的发光光谱覆盖范围为510nm‑560nm。
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