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公开(公告)号：CN1800975B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200510126215.9
申请日：2005-11-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 分步重复光照纳米压印装置，由压力驱动系统、Z向校准机构、双路CCD对准系统、倾斜校准机构、压模、基片、XYθ工件台、基片承片调平系统、大机台柜、控制系统、主机大底板和紫光均匀照明系统及机架等部分组成，能装载基片的承片调平系统安装于XYθ工件台上，机架上安装了压力驱动系统、Z向校准机构、倾斜校准机构和压模，双路CCD对准系统和紫光均匀照明系统，它既不需要弹性印章或铸模，也不需要加高温、高压和降温，只需普通紫光照射，应用CCD图像高精度对准，就能分步重复廉价制作出较复杂多层结构、较大有效工作面积和有利于推广应用的纳米图形结构。
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公开(公告)号：CN101446777B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200810246604.9
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种超分辨i线光刻装置，包含分离式曝光系统、自净化空气过滤系统以及气控弹性掩膜变形系统；曝光系统采用i线汞灯光源，且光源与匀光照明系统分离，两部分间光能传输通过光纤实现；气控弹性掩膜变形系统中，通过微气泵来改变气压大小使弹性掩膜发生变形，掩膜与芯片的紧密贴合通过控制弹性掩膜变形量的大小得以实现，从而可以得到超分辨光刻分辨力；自净化空气过滤系统，通过装置壳体顶部的空气过滤器循环过滤实现装置内部工作环境达到超净要求；通过包含上述系统的装置，实现在汞灯光源i线紫外光波长下突破一百纳米的超分辨近场光刻功能；该装置光刻分辨力高，结构简单，成本低，操作方便，对环境要求较低，适用于多种纳米结构加工领域。
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公开(公告)号：CN101566721B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910009369.8
申请日：2005-02-07
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 深紫外投影光刻物镜，包括外层的恒温密封外套、中间层和内层结构，中间层为镜筒，由第一镜筒和第二镜筒用连接件连接而成，内层为十个光学透镜元件及十个分隔固定光学透镜元件的透镜框组件，十个光学透镜元件组成的光学系统为双远心系统，在内层的十个光学透镜元件之间设有分辨力增强组件，分辨力增强组件将十个光学透镜元件分为前后二组物镜，前组物镜由第一至第四透镜组成，后组物镜由第五至第十透镜组成，分辨力增强组件的光栏面既是前组物镜的像方焦面，也是后组物镜的物方焦面，同时也是光学系统的光瞳面。本发明具有分辨力增强能力，克服了现有投影光刻物镜光刻分辨力只能实现传统光学极限分辨力的不足，同时还具有结构简单、成本低、光学缩小倍率大、大幅降低制作超微细掩模难度的特点，使之能制作更高分辨力微细图形。
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公开(公告)号：CN100582933C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510086826.5
申请日：2005-11-10
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 加温闪光两用纳米压印装置，由双路CCD对准系统、Z向校正器、紫光照明系统、左右侧板、油压顶系统、承片加热台、倾斜校准机构和控制系统等组成，主机大底板位于电气控制系统的机台柜上，并安装了左右侧板和后板及上面安装了横板构成框架，在横板的下面悬挂有Z向校正机构和装有压模的倾斜校准机构，在主机大底板的中间正对压模的位置装了油压顶系统，使安于上面的XYθ微动工件台、承片加热台和基片上升压紧压模而压印出纳米图形结构，装于横板上的紫光照明系统可对压印层聚合物进行紫光照射使其固化，同时承片吸板可被加热升温和降温，使聚合物固化脱模，从而可实现闪光压印和加温大面积压印。本发明发挥出了两种压印方法的优点，以利于推广应用。
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公开(公告)号：CN100580557C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN03123574.3
申请日：2003-05-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一般波长或长波长光接触接近纳米光刻光学装置，由光源(3)、镜组(2)、反射镜(1)和镜组(4)组成的均匀照明系统照明掩模，并使接触接近放置的硅片(7)上的抗蚀剂涂层(6)感光，其特征在于：均匀照明系统的光源(3)是一般波长或长波长激光，镜组(1)和镜组(4)是聚焦扩束准直均匀照明镜组，在均匀照明位置放置的掩模是金属掩模(5)，它与安放在其下方的高分辨率抗蚀剂涂层(6)之间距离为0.005-1000μm。本发明用193-1000nm任意波长激光照明金属掩模，激发金属掩模表面等离子体，通过等离子波传播，出射小发散角光用于光刻，不受衍射极限的限制，不需要复杂昂贵的极短波长光源，就可制作出纳米量级的图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100498527C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510130741.2
申请日：2005-12-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 圆弧导轨纳米压印倾斜校正机构，由上中下圆弧导轨、限位外套、压模卡盘、压模、基片、钢球或滚柱、上下隔离架、拉簧和拉簧挂销组成，上中下圆弧导轨之间有钢球或滚柱，并通过拉簧拉紧连接，下圆弧导轨与装有压模的压模卡盘相接，正对压模的下方是基片，限位外套安装在上圆弧导轨上，限位外套的下方四周对下圆弧导轨的旋转角度范围起限位作用。当压模和基片由于不平行，在压模下压接触基片时，压模可绕过压模下表面中心点的Y或X轴线作微滚动旋转，达到压模和基片的完全平行贴合与压紧，不产生偏离，使纳米压印套准精度大幅提高，制作出复杂多层的纳米图形结构，该机构用常规设备加工，制作方便，成本低廉，应用广泛。
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公开(公告)号：CN100491234C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200410009041.3
申请日：2004-04-26
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种光操纵原子制作纳米结构的方法及其装置，用高能脉冲激光烧蚀金属靶材料产生原子束，采用微秒脉冲激光器发出的激光形成与原子束传播方向垂直的完全非共振激光驻波场用于对原子进行聚焦。制作纳米构的装置由真空室、脉冲激光器、激光缩束系统、偏转电极等构成。本发明具有可操纵的原子种类多、可蒸发难熔金属材料、真空室污染轻、不需要对原子束进行横向高度准直等，可广泛应用于新型固态电子、光电子器件及半导体物理理论研究等方面。
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公开(公告)号：CN101424758A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810227029.8
申请日：2008-11-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种基于金属覆盖层的负折射人工材料，其特征包括以下步骤：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后在其表面蒸镀一层高纯SiO2膜；(2)在高纯SiO2膜表面蒸镀一层铬膜，并在其上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出介质光栅结构；(4)采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀掉裸露在外的铬膜；(5)采用干法腐蚀技术，将铬膜作为掩模，在高纯SiO2膜上刻蚀出介质光栅结构，去除铬膜；(6)采用真空蒸镀技术，在SiO2光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层，基于金属覆盖层的负折射人工材料制作完成。本发明具有制作简便，单层损耗小，单层正入射的特性，在磁共振、近场光学、隐身材料等领域具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN1264047C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN01108431.6
申请日：2001-05-16
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B27/22
Abstract: 本发明是一种利用光力制作超微细图形光学装置，由激光器、反射镜、声光器件、透镜组等组成的光学控制系统、原子束发生器以及真空工作室等构成。它利用光学控制系统形成的激光场对原子的作用力，使原子束准直和聚焦，直接在基底上成批量制作出点线图形，具有不需要掩模、光刻设备，避免了光刻显影刻蚀等工艺流程的特点，可广泛应用于包含纳米图形的超微细三维图形、纳米材料、纳米器件和量子器件等研究开发。
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公开(公告)号：CN1740089A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200410009486.1
申请日：2004-08-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种批量制作纳米结构的方法及其装置，用线偏振激光梯度场对原子束进行横向高度准直，原子束在穿过掩模时受到横向调制并沉积在基底上(或破坏基底上的特殊膜层)形成纳米结构；制作纳米结构的装置由真空室、原子源、准直孔、振动方向互相垂直的线偏振光、原子束掩模等构成。该方法具有分辨力高、可批量制作、成本低、效率高、操作简便等优点，可广泛应用于量子阱、量子线、量子点、新型纳米器件制作和半导体物理理论研究等方面。
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