公开(公告)号：CN102368524A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201110316113.9

申请日：2011-10-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 ,  蓝雨软件技术开发(上海)有限公司

Inventor： 陆卫 ,  夏长生 ,  王少伟 ,  张波 ,  甄红楼 ,  王兴军 ,  陈效双

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14

Abstract: 本发明公开了一种能够增强高注入电流下发光效率的GaN基半导体发光二极管。本发明由衬底、N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和电极组成，其中多量子阱发光层中靠近P型AlGaN电子阻挡层的最后一个势垒的带隙沿生长方向线性减小，其材料为此多量子阱结构中其它势垒材料与InN或GaN形成的合金，并且InN或GaN在合金中的含量沿生长方向线性增加。本发明结构简单、易操作，可以有效减少漏电流，增强空穴的注入效率，提高量子阱中电子和空穴的浓度以及均匀分布性，从而大幅提高其在高注入电流下的发光效率，作为高亮度、高功率器件结构在照明领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101531855B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200910049109.3

申请日：2009-04-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 张建标 ,  胡伟达 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: C09D133/02 ,  C09D5/33 ,  C09D7/12

Abstract: 本发明公开了一种复合型金属空心介质微球隔热涂料，它由金属空心介质微球、成膜剂、分散剂、成膜助剂和消泡剂组成，各组分的质量配比为：金属空心介质微球15～20％，成膜剂70～75％，分散剂1.0～3.0％，成膜助剂3.0～10.0％，消泡剂1.0～2.0％。该涂料在太阳辐射热量集中的1.3～10μm红外波段，反射率达到85％以上，自发辐射保持与基体材料一致，隔热效果良好。本发明的优点在于将辐射、反射和阻隔多重隔热机理综合在一起，具有自发辐射低、太阳热反射率高和热阻隔效果好的特点。

公开(公告)号：CN101846499A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010176138.9

申请日：2010-05-14

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 ,  阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 ,  上海宇豪光电技术有限公司

Inventor： 陆卫 ,  王少伟 ,  俞立明 ,  崔宝双 ,  王晓芳 ,  陈效双 ,  郭少令

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明公开了一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法。该方法以镀有一层厚度足以引起干涉的打底膜为衬底，通过测量镀膜前后透(反)射谱的变化，即可实现薄膜厚度的测量。由于打底膜的厚度已经引起干涉，新镀上去的待测薄膜即使很薄，也会引起干涉的变化，由镀制待测薄膜前后透(反)射谱干涉的变化就可以很容易地准确测量出待测薄膜的厚度，其测量极限高达3nm以上。该方法可以准确测量纳米超薄膜的厚度，只需测量镀制待测薄膜前后的透(反)射谱，就可以快速获得待测薄膜的厚度，非常简单、快捷，特别适用于镀膜行业的在线检测和实时监控，尤其是对于弱吸收材料超薄膜的厚度测量，本发明方法克服了传统方法测量的困难。

公开(公告)号：CN101832945A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010165069.1

申请日：2010-04-29

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  王少伟 ,  俞立明 ,  邹娟娟 ,  王晓芳 ,  陈效双

IPC: G01N21/88 ,  G01N21/55 ,  G01N21/49

Abstract: 本发明公开了一种镀膜玻璃薄膜缺陷的光学检测装置，被检样品一侧做成45°导角，激光光源发出的光线经扩束镜扩展后平行从被检样品侧面入射，光线在玻璃-空气、薄膜-空气界面发生全内反射。当薄膜无缺陷时，由于受制于全反射条件，光在上下表面间不断反射，直至从侧面射出，形成非常理想的暗场。而薄膜中的缺陷则成为散射体向上散射光，CCD在被检样品上方拍摄，得到清晰的缺陷图像由计算机图形处理及识别软件进行判别，并给出缺陷标记和提示。若在激光器和扩束镜之间添加转镜，可确保整个膜面的检测。与传统方法不同的是，本发明装置操作简单、明暗场对比强烈、效果明显，可非常方便地用于薄膜缺陷的在线检测。

公开(公告)号：CN101819219A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010165067.2

申请日：2010-04-29

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王少伟 ,  陆卫 ,  陈效双 ,  俞立明

IPC: G01Q60/38

Abstract: 本发明提出一种直接以倍半氧硅氢化物(HSQ)电子束光刻胶作为刻蚀掩模的高密度、超尖硅探针(tip)阵列的制备方法。通过电子束光刻方法进行曝光后显影形成HSQ的点阵图形，然后直接以HSQ为掩模对硅进行各向同性刻蚀，通过控制刻蚀条件，可使针尖最尖同时HSQ即将或自动脱落，针尖达到几个纳米，无需任何额外的氧化和腐蚀等锐化工艺，非常简单。本发明方法克服了传统制备方法需要氧化物层作为掩膜进行二次图形转移和额外的氧化、刻蚀工艺来锐化探针的不便，以及制备亚微米周期高密度硅探针阵列的困难，可以很容易地实现2.5×107/mm2以上高密度硅探针阵列。

公开(公告)号：CN101335309B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200810041158.8

申请日：2008-07-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  王旺平 ,  李宁 ,  甄红楼 ,  陈平平 ,  李天信 ,  张波 ,  李志锋 ,  陈效双

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/11

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种提高量子点共振隧穿二极管光探测器动态范围的方法。其结构核心部分包括GaAs或InGaAs入射光子吸收层、1010cm-2～1011cm-2量级的高密度InAs自组装量子点及AlGaAs/GaAs双势垒结构层。其工艺核心改进为延长交叉桥共振隧穿二极管器件工艺的退火时间，使得欧姆接触扩散到双势垒结构层。其核心探测途径发明点为在保持原有隧穿二极管对少光子敏感的纵向电流支路的同时，从量子阱引出了另一路横向电流，该横向电流由二维电子气组成，受量子点电场的强烈调制，可反映入射光强的连续变化。本发明器件优点是器件结构和工艺的改进均兼容原有设备，但多光子探测灵敏度相比原有器件有了大幅度提升。

公开(公告)号：CN101425552B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810194786.X

申请日：2008-10-20

Applicant: 淮阴师范学院 ,  中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈贵宾 ,  陆卫 ,  王少伟 ,  李志锋 ,  陈效双

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/04 ,  H01L21/426

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及离子注入制备高性能碲镉汞p-n结的方法。该方法采用同一块碲镉汞薄膜为基底；制作多块掩膜板；并蒸镀ZnS薄膜作为离子注入的阻挡层；在阻挡层上光刻出相应的离子注入区进行注入；再完成p-n结的成结工艺。其中，离子注入的阻挡层是通过多次叠加蒸镀获得的不同厚度ZnS薄膜阻挡层；离子注入的剂量为优化后的同一离子剂量、同一注入能量值。本发明在同一基底材料上获得叠加蒸镀具有不同厚度阻挡层的系列试验单元，一次性地以优化后的离子注入剂量对光刻出注入区进行离子注入的工艺改进，制备高性能碲镉汞p-n结，为光伏型红外探测器提供更方便快捷的优化工艺参数试验研究，试验成本低、且节省时间和精力；该方法同样可推广应用于对其它基底材料体系的离子注入阻挡层厚度的优化研究。

公开(公告)号：CN101789446A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010107441.3

申请日：2010-02-09

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  王林 ,  王晓东 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/205 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明公开了一种双异质结MOS-HEMT器件，包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、InGaN嵌入层7、GaN沟道层6、AlN势垒层5以及其上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3、Al2O3栅介质层4上形成的栅极2，其特征是：采用具有优良热导性和较大禁带宽度的AlN材料作为势垒层，降低了器件的自加热效应和栅极漏电流，降低了器件耗尽模式工作下的阈值电压；利用AlN材料强的极化性质，提高了沟道中的电子浓度，增大了饱和电流和器件的输出功率；使用原子层沉积工艺淀积的Al2O3材料作为栅介质层，大大地减少了栅极漏电流，提高了器件的击穿电压；利用InGaN材料的反向极化现象，提高了缓冲层的导带能量，降低了器件的电流坍塌效应。

公开(公告)号：CN101750424A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810204566.0

申请日：2008-12-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 ,  上海膜神工程技术咨询有限公司

Inventor： 陆卫 ,  王少伟 ,  陆志豪 ,  王海波 ,  陈洪波 ,  王健 ,  陈效双

IPC: G01N22/00

Abstract: 本发明的便携式low-ε中空玻璃U值鉴别仪包括：微波发射源101和接收端201，发射端信号及电源线102和接收端信号及电源线202，测试盒3，测试时样品4置于测试盒中，其中测试盒的设计目的是为了防止微波信号不穿过中空玻璃从其他途径绕射或直接到达接收端从而形成干扰。本发明公开了两类测试盒的设计，只需将中空玻璃样品装入测试盒中，然后通过两个蓝牙等微波发射/接收器件分别发射和接收微波信号，从通过中空玻璃样品的微波信号衰减程度就可以快速无损地鉴别出不同中空玻璃保温性能(U值)的优劣。该设备的结构非常简单，操作也很容易，无须具备任何专业知识，不需要经过任何专业训练即可轻松操作，成本低，特别适合在国内外广阔的建筑行业推广使用。

公开(公告)号：CN101706428A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200910198964.0

申请日：2009-11-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陆卫 ,  马法君 ,  李志锋 ,  陈效双 ,  李宁 ,  陈路 ,  何力 ,  陈平平 ,  李天信

IPC: G01N21/59

Abstract: 本发明公开了一种用脉冲激光泵浦-探测实验检测碲镉汞薄膜材料光学激活深能级上载流子弛豫时间的方法。在对碲镉汞薄膜材料的脉冲激光泵浦-探测实验中，由泵浦光脉冲激发的光生载流子首先被深能级俘获，之后通过复合逐渐恢复到平衡态。在此过程中深能级上部分载流子会被探测光脉冲重新激发进入导带，导致探测光子被大量吸收，使探测光透射强度小于不加泵浦光时的透射强度，造成在相对透射强度的延时变化曲线中出现一个数值为负的吸收谷。这种负的相对透射率随时间逐渐恢复到接近于零的平衡态时的情形，其恢复的时间过程反映出深能级上载流子浓度的变化，体现出深能级上非平衡载流子的弛豫时间。通过理论拟合能够提取出该弛豫时间的数值。