公开(公告)号：CN109461785A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811226467.2

申请日：2018-10-22

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 何玮 ,  邵秀梅 ,  李淘 ,  曹高奇 ,  于一榛 ,  杨波 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236

Abstract: 本发明公开了一种正照射型的可见及短波红外宽光谱InGaAs探测器。本发明改进了传统外延层结构参数，将p型接触层厚度控制到30nm以内，同时引入表面集成绒面抗反膜设计，可以实现可见-短波红外(0.4μm～1.7μm)宽波段范围的高性能探测。本发明的特点是：第一，突破了传统InGaAs探测器外延层的结构参数，本质上解决了InGaAs探测器在可见波段量子效率低的技术瓶颈；第二，引入绒面抗反膜设计，弥补了传统光学薄膜仅在窄波段特定角度范围内具有良好增透效果的不足，为实现InGaAs探测器宽波段提高量子效率提供了新的途径。

公开(公告)号：CN108445563A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810315088.4

申请日：2018-04-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 姚鹏飞 ,  李淘 ,  李雪 ,  邵秀梅 ,  龚海梅

IPC: G02B5/00 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种单片集成在光电探测器上的金属纳米光天线，从上至下依次是低折射率覆盖层，金属纳米球体阵列和探测器衬底。所述低折射率覆盖层的折射率在1.3至2.3之间，金属纳米球体直径300-500纳米，周期700-900纳米。金属纳米天线结构通过光散射与表面局域场增强效应，可以提升探测器的光吸收性能，增强探测器对入射光的响应，改善量子效率，并且制备工艺简单，制备成本低。

公开(公告)号：CN101614834B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200910055330.X

申请日：2009-07-24

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 张燕 ,  贺香荣 ,  王小坤 ,  曾志江 ,  李淘 ,  张文静 ,  范广宇

IPC: G02B5/00 ,  G01J5/06

Abstract: 本发明公开了一种具有挡光环结构的冷光阑。其特点是在冷光阑的内壁合理的增加两个挡光环，同时挡光环的表面还涂覆一层性能良好的“黑色”涂层，从而能有效的减少杂散光。该设计能很好的提高系统的信噪比，增加对比度，改善整个系统的探测和识别能力。与不带挡光环的冷光阑相比，此发明能很有效的减少杂散光，让点源透过率PST值有相对几个数量级的衰减，制作易，成本低，能适用于任何冷光阑结构中。

公开(公告)号：CN101241946A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710173512.8

申请日：2007-12-28

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 唐恒敬 ,  张可锋 ,  吴小利 ,  朱慧 ,  宁锦华 ,  李淘 ,  汪洋 ,  李雪 ,  李永富 ,  龚海梅

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，包括在p－InGaAs/p－InP/i－InGaAs/n－InP外延片上刻蚀形成p－InGaAs/p－InP/i－InGaAs微台面，InGaAs吸收层厚度设计为1.1um至1.5um，掺杂浓度为3－5×1016cm－3，硫化+SiNx钝化膜并引入退火工艺，可达到有效减小表面和侧面的复合，降低界面态密度，提高器件探测率和均匀性的目的，p型电极引出区生长有一层p－InGaAs电极过渡层，电子束蒸发生长的Ti/Pt/Au电极与p－InGaAs接触是很好的欧姆接触，小的接触电阻提高了探测器的性能，同时采用背照射方式，入射光不会被p型电极引出层p－InGaAs吸收，有利于提高器件的响应率，背面低温淀积ZnS增透膜可以进一步提高器件的响应率和量子效率。

公开(公告)号：CN205810840U

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201620559090.2

申请日：2016-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 李平 ,  李淘 ,  李雪 ,  邵秀梅 ,  唐恒敬 ,  龚海梅

IPC: H01L31/09 ,  G01J5/20

Abstract: 本专利公开了一种铟镓砷短波红外探测器。器件结构从上至下依次包括钝化层，窗口层，吸收层，缓冲层，读出电路，金属电极和互连通孔。其中，金属电极制备在缓冲层上。互连通孔制备在光敏元上，形成一个锥形通孔。互连通孔只与窗口层和读出电路连通。钝化层覆盖了除金属电极以外的器件表面，同时在互连通孔锥形下半部形成内部绝缘隔离。本器件结构特征在于铟镓砷短波红外探测器在光敏元上引入一个锥形的通孔，然后在通孔中填充互连金属连接窗口层与读出电路，使得探测器光敏元从材料内部就可以与读出电路进行互连。这种结构具有结构紧凑、易集成，能有效提高探测器在三维方向的堆叠密度，是未来发展微系统的核心技术。

公开(公告)号：CN204679671U

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201520372295.5

申请日：2015-06-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王瑞 ,  李淘 ,  邵秀梅 ,  曹高奇 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: G02B5/30

Abstract: 本专利公开了一种单片集成在高折射率衬底的亚波长金属光栅偏振片，从上至下依次是亚波长金属光栅层，低折射率介质层和高折射率衬底。所述高折射率衬底的折射率在2.9至3.6之间，低折射率介质层的折射率在1.3至2.5之间，金属光栅周期100-400纳米。通过在高折射率衬底和亚波长金属光栅之间插入一层低折射率介质层，能有效提高偏振片在红外波段的TM波透过率和消光比。亚波长金属光栅偏振片结构因其具有结构紧凑、易集成、偏振特性好、光谱较宽、透射率和消光比高等特点,可以减少光路原件,增加光学系统设计的灵活性,具有改进和取代传统光学元器件的潜力。

公开(公告)号：CN208902268U

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201821638611.9

申请日：2018-10-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 孙夺 ,  杨波 ,  李淘 ,  李雪 ,  邵秀梅

IPC: G01J4/00

Abstract: 本专利公开了一种单片集成长线列金属偏振光栅的InGaAs焦平面探测器，其结构自下至上依次为硅基读出电路、铟柱互连层、InGaAs光敏芯片、SiO2介质层以及金属偏振光栅。所述金属偏振光栅由不同偏振取向的长线列亚波长金属光栅构成。本专利的优点在于：1、单片集成线列偏振光栅，结构紧凑，减小探测器体积；2、线列方式排布，能够有效避免不同偏振角度之间的串音问题，提高实际消光比；3、线列规模较大，可使探测器具有更大视场和更高分辨率；4、优化偏振探测单元设计，降低加工难度，增大光栅区域覆盖比例。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN208224516U

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201820500481.6

申请日：2018-04-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 姚鹏飞 ,  李淘 ,  李雪 ,  邵秀梅 ,  龚海梅

IPC: G02B5/00 ,  G02B6/122

Abstract: 本专利公开了一种单片集成在光电探测器上的金属纳米光天线，从上至下依次是低折射率覆盖层，金属纳米球体阵列和探测器衬底。所述低折射率覆盖层的折射率在1.3至2.3之间，金属纳米球体直径300-500纳米，周期700-900纳米。金属纳米天线结构通过光散射与表面局域场增强效应，可以提升探测器的光吸收性能，增强探测器对入射光的响应，改善量子效率，并且制备工艺简单，制备成本低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利