公开(公告)号：CN104880755B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510295974.1

申请日：2015-06-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王瑞 ,  李淘 ,  邵秀梅 ,  曹高奇 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种单片集成在高折射率衬底的亚波长金属光栅偏振片，从上至下依次是亚波长金属光栅层，低折射率介质层和高折射率衬底。所述高折射率衬底的折射率在2.9至3.6之间，低折射率介质层的折射率在1.3至2.5之间，金属光栅周期100‑400纳米。通过在高折射率衬底和亚波长金属光栅之间插入一层低折射率介质层，能有效提高偏振片在红外波段的TM波透过率和消光比。亚波长金属光栅偏振片结构因其具有结构紧凑、易集成、偏振特性好、光谱较宽、透射率和消光比高等特点,可以减少光路原件,增加光学系统设计的灵活性,具有改进和取代传统光学元器件的潜力。

公开(公告)号：CN104880755A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510295974.1

申请日：2015-06-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王瑞 ,  李淘 ,  邵秀梅 ,  曹高奇 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: G02B5/30

CPC classification number: G02B5/3058

Abstract: 本发明公开了一种单片集成在高折射率衬底的亚波长金属光栅偏振片，从上至下依次是亚波长金属光栅层，低折射率介质层和高折射率衬底。所述高折射率衬底的折射率在2.9至3.6之间，低折射率介质层的折射率在1.3至2.5之间，金属光栅周期100-400纳米。通过在高折射率衬底和亚波长金属光栅之间插入一层低折射率介质层，能有效提高偏振片在红外波段的TM波透过率和消光比。亚波长金属光栅偏振片结构因其具有结构紧凑、易集成、偏振特性好、光谱较宽、透射率和消光比高等特点,可以减少光路原件,增加光学系统设计的灵活性,具有改进和取代传统光学元器件的潜力。

公开(公告)号：CN104916731A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510296103.1

申请日：2015-06-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 曹高奇 ,  唐恒敬 ,  程吉凤 ,  石铭 ,  王瑞 ,  邵秀梅 ,  李庆法 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/101 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明公开了一种低损伤的铟镓砷探测器p+n结制备方法，具体步骤如下：1)淀积氮化硅成结掩膜，2)光敏区成结，3)取样清洗，4)氮气氛围热处理，5)去表面损伤层。其优点在于：氮气氛围热处理一方面能够修复成结过程引入的晶格损伤,减小复合中心的密度，降低探测器的暗电流，另一方面能够激活受主离子，降低施主补偿作用，增加P区的空穴载流子浓度，有利于P电极欧姆接触的稳定性，减小串联电阻；去表面损伤层一方面可以有效去除表面氧化层，减少表面的复合中心，有利于表面钝化，提高探测器的性能，另一方面可以去除表面形成的离子富集层和表层损伤层。

公开(公告)号：CN104916731B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201510296103.1

申请日：2015-06-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 曹高奇 ,  唐恒敬 ,  程吉凤 ,  石铭 ,  王瑞 ,  邵秀梅 ,  李庆法 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种低损伤的铟镓砷探测器p+n结制备方法，具体步骤如下：1)淀积氮化硅成结掩膜，2)光敏区成结，3)取样清洗，4)氮气氛围热处理，5)去表面损伤层。其优点在于：氮气氛围热处理一方面能够修复成结过程引入的晶格损伤,减小复合中心的密度，降低探测器的暗电流，另一方面能够激活受主离子，降低施主补偿作用，增加P区的空穴载流子浓度，有利于P电极欧姆接触的稳定性，减小串联电阻；去表面损伤层一方面可以有效去除表面氧化层，减少表面的复合中心，有利于表面钝化，提高探测器的性能，另一方面可以去除表面形成的离子富集层和表层损伤层。

公开(公告)号：CN204679671U

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201520372295.5

申请日：2015-06-02

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王瑞 ,  李淘 ,  邵秀梅 ,  曹高奇 ,  李雪 ,  龚海梅

IPC: G02B5/30

Abstract: 本专利公开了一种单片集成在高折射率衬底的亚波长金属光栅偏振片，从上至下依次是亚波长金属光栅层，低折射率介质层和高折射率衬底。所述高折射率衬底的折射率在2.9至3.6之间，低折射率介质层的折射率在1.3至2.5之间，金属光栅周期100-400纳米。通过在高折射率衬底和亚波长金属光栅之间插入一层低折射率介质层，能有效提高偏振片在红外波段的TM波透过率和消光比。亚波长金属光栅偏振片结构因其具有结构紧凑、易集成、偏振特性好、光谱较宽、透射率和消光比高等特点,可以减少光路原件,增加光学系统设计的灵活性,具有改进和取代传统光学元器件的潜力。