-
公开(公告)号：CN101872804A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010182280.4
申请日：2010-05-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件原位集成红外微凸镜列阵工艺所需的掩模用光刻胶微凸镜列阵的成形方法，它涉及光电探测器件的制造技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)方法，仅对红外焦平面探测器表面光刻胶进行局部的等离子体轰击回流的掩模用光刻胶微凸镜列阵成形的技术方案。基于高密度、低能量氧等离子体的光刻胶微凸镜列阵成形方法，只在氧等离子体与光刻胶发生反应的局部区域产生温升回流，解决了采用常规热熔回流进行红外焦平面探测器掩模用光刻胶微凸镜成形时必须经受高温过程的缺点。因而，本发明具有操作简单、可控性好和无需经受高温过程的特点。
-
公开(公告)号：CN101740501A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910198960.2
申请日：2009-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光电p-n结列阵修饰的技术方案，有效解决了离子注入型光电p-n结常规修饰方法存在单步工艺时间长、操作复杂和稳定性较差，以及会影响红外光敏感元列阵芯片表面清洁度和介质膜钝化性能的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、稳定性高和与探测芯片工艺兼容性好的特点。
-
公开(公告)号：CN100355054C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510030794.7
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器的可靠性筛选方法，特别是指器件In凸点电学连通的可靠性筛选方法，该方法采用在光敏感列阵芯片的四周添加数个电学互连的In凸点，同时在读出电路的四周也相应添加数个电学互连的In凸点。当光敏感列阵芯片和读出电路倒焊互连构成一个焦平面探测器后，添加的数个In凸点就构成数个单个连通电阻，而光敏感列阵芯片和读出电路的公共连通焊接点可看作为公共连通电阻，再将单个连通电阻和N个公共连通焊接点并联构成一个测试回路，用电阻测试仪进行测量，对测得的阻值进行判断，就可以用于红外焦平面探测器的可靠性筛选了。本发明的优点是：测量简单，检测速度快，数据量也较小，易于实现实时可靠性检测。
-
公开(公告)号：CN100355051C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510030792.8
申请日：2005-10-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/607 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面探测器的回流提拉倒装焊接方法，该方法的特征是：采用在硅读出电路上制备In球列阵，光敏感列阵芯片上制备焊接压点，并采用单边In球回流振动提拉的倒装焊接方法。本发明的优点是：采用硅读出电路一侧制备In球列阵的单边In球倒装焊接方法，避免了因经受In熔点的高温回流处理给红外光敏感列阵芯片带来性能上的不利影响。在回流倒装提拉焊接过程中，使列阵芯片的焊接压点与读出电路的In球之间产生微小振幅的来回运动，以蹭破In球表面的氧化层，提高了回流状态的In球与焊接压点间的浸润性，从而提高了器件倒装焊接的机械和电学性能。
-
公开(公告)号：CN1936626A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610117105.0
申请日：2006-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种置于碲镉汞红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片，所述的探测器芯片由衬底、衬底上依次置有的缓冲层、响应红外目标辐射的光电二极管列阵组成。所述的微型滤光片是通过分子束外延原位生长在缓冲层和光电二极管列阵之间。本发明的微型滤光片的优点是：具有高均匀性、高可靠性和无信号损失的特点；滤光波段是通过严格控制作为原位滤光层的Hg1－xCdxTe的组分来实现的，从而具很高的控制精度；这种集成在红外焦平面探测器芯片内部的微型滤光片无需任何外光路部件，使用方便，且非常可靠和稳定。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1253925C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200410053174.0
申请日：2004-07-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明的红外焦平面探测器的铟柱成球方法是采用氩等离子体和含蚁酸气体的氮气流来取代助熔剂的铟柱回熔成球技术。在铟柱回熔过程中，氩等离子体和含蚁酸气体的氮气流是在同一个腔室内完成对铟柱回熔处理的。氩等离子体主要是用于预清洗样品和击碎铟柱表面的氧化层；含蚁酸的氮气流是用以去除铟柱内铟晶粒间界面氧化层以加速铟柱回熔成球过程，并降低铟回熔的温度。这种无助熔剂的铟柱成球技术，避免了助熔剂在回熔后会侵蚀铟柱，提高了红外焦平面探测器的可靠性和延长了其储存寿命。
-
公开(公告)号：CN1587958A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410053174.0
申请日：2004-07-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明的红外焦平面探测器的铟柱成球方法是采用氩等离子体和含蚁酸气体的氮气流来取代助熔剂的铟柱回熔成球技术。在铟柱回熔过程中，氩等离子体和含蚁酸气体的氮气流是在同一个腔室内完成对铟柱回熔处理的。氩等离子体主要是用于预清洗样品和击碎铟柱表面的氧化层；含蚁酸的氮气流是用以去除铟柱内铟晶粒间界面氧化层以加速铟柱回熔成球过程，并降低铟回熔的温度。这种无助熔剂的铟柱成球技术，避免了助熔剂在回熔后会侵蚀铟柱，提高了红外焦平面探测器的可靠性和延长了其储存寿命。
-
公开(公告)号：CN1187797C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02136720.5
申请日：2002-08-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/302 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法，其主要是利用碲镉汞的含溴氧化剂作为腐蚀液，利用恒定光强照射来加快定向的腐蚀速率和精确控制腐蚀时间，利用在不需腐蚀部分的碲镉汞表面生长反射膜来精确控制腐蚀图形，利用腐蚀时旋转样品和冰水混合物来严格控制恒定的，可重复的腐蚀温度，使其深台面的纵向和横向的腐蚀速率比达8∶1，最终得到不同组分、不同导电类型和不同掺杂浓度的碲镉汞样品深台面侧壁垂直的理想效果。
-
公开(公告)号：CN118969805A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411016798.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L27/146 , G01J5/00 , G01J5/10 , G01J5/20 , G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种集成超构透镜的红外彩色焦平面探测器，在平面结构红外焦平面探测器的衬底上制备具有宽谱分离聚焦功能的红外超构透镜，入射的宽谱红外光透过红外超构透镜后发生谱段分离，不同谱段的红外光在衬底内分别汇聚至超像素的第一亚像元、第二亚像元和第三亚像元。三个亚像元独立输出探测信号，利用图像合成方法获得红外彩色图像。该探测器具有工作谱段宽、信号串扰小、能量损失少、集成度高，利用红外超构透镜与平面结构红外探测芯片获得红外彩色图像的优点。
-
公开(公告)号：CN117036660A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310876874.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种面阵探测器最大无盲元正方形区域识别与标注方法。本方法步骤包括：1，盲元数据矩阵及结果数据矩阵初始化，2，计算盲元数据矩阵中每个元对应的以该元为起点，向右下方能够扩展的最大无盲元正方形的边长值，将结果存入结果数据矩阵，3，计算结果数据矩阵的最大值及其相应坐标，即为所求最大无盲元正方形区域的大小和左上角顶点坐标，4，画出原始盲元矩阵的盲元分布图，5，在盲元分布图上画出每个最大无盲元正方形区域并标注大小。本发明的优点是实现了面阵探测器中最大无盲元正方形区域的自动识别和标注，方法简洁。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
124
records
(took 0.036 seconds)
